TL(RE,RME,SE,OE,YE,PYE,GE,FGE,PGE)53T(F)
东芝InGaAP LED
TLRE53T(F),TLRME53T(F),TLSE53T(F),TLOE53T(F),TLYE53T(F),
TLPYE53T(F),TLGE53T(F),TLFGE53T(F),TLPGE53T(F)
面板电路指标
单位：mm
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
3mm封装
InGaAP技术
所有的塑料模具
透明镜片
阵容： 6种颜色（红，橙，黄，纯黄色，绿色和纯
绿）
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：留言板，安全设备和仪表板
显示器
阵容
产品名称
TLRE53T(F)
TLRME53T(F)
TLSE53T(F)
TLOE53T(F)
TLYE53T(F)
TLPYE53T(F)
TLGE53T(F)
TLFGE53T(F)
TLPGE53T(F)
颜色
红
红
红
橙
黄
纯黄色
绿色
绿色
纯绿
材料
JEDEC
JEITA
东芝
InGaAlP系
―
―
4-4E1A
重量：0.23克（典型值）。
1
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,PYE,GE,FGE,PGE)53T(F)
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLRE53T(F)
TLRME53T(F)
TLSE53T(F)
TLOE53T(F)
TLYE53T(F)
TLPYE53T(F)
TLGE53T(F)
TLFGE53T(F)
TLPGE53T(F)
正向电流
I
F
（MA ）
50
50
50
50
50
50
50
50
50
反向电压
V
R
(V)
4
4
4
4
4
4
4
4
4
功耗
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
120
120
120
120
120
40~100
40~120
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气和光学特性
（大
=
25°C)
产品名称
TLRE53T （ F）
TLRME53T （ F）
TLSE53T （ F）
TLOE53T （ F）
TLYE53T （ F）
TLPYE53T （ F）
TLGE53T （ F）
TLFGE53T （ F）
TLPGE53T （ F）
单位
典型值。发射波长
λ
d
λ
P
Δλ
发光强度
I
V
民
153
272
272
272
272
153
153
85
47.6
MCD
典型值。
400
600
800
1000
800
450
400
200
130
I
F
20
20
20
20
20
20
20
20
20
mA
正向电压
V
F
典型值。
1.9
1.9
1.9
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.1
V
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
I
F
20
20
20
20
20
20
20
20
20
mA
反向电流
I
R
最大
50
50
50
50
50
50
50
50
50
μ
A
I
F
20
20
20
20
20
20
20
20
20
mA
V
R
4
4
4
4
4
4
4
4
4
V
630
626
613
605
587
580
571
565
558
(644)
(636)
(623)
(612)
(590)
(583)
(574)
(568)
(562)
nm
20
23
20
20
17
14
17
15
14
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：最大1.6毫米的装置的主体）
如果铅形成，所述引线应当形成为从装置的主体1.6毫米不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,PYE,GE,FGE,PGE)53T(F)
TLRE53T(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
3000
Ta
=
25°C
1000
I
V
– I
F
I
F
10
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
正向电流
I
V
（ MCD ）
（MA ）
100
5
3
1
1.6
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
Ta
=
25°C
相对发光强度
20
0
60
80
相对发光强度
0.8
1
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
40
0
580
600
620
640
660
680
700
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
I
F
- TA
（MA ）
I
F
60
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,PYE,GE,FGE,PGE)53T(F)
TLRME53T(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
3000
Ta
=
25°C
1000
I
V
– I
F
I
F
10
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
正向电流
I
V
（ MCD ）
（MA ）
100
5
3
1
1.6
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
5
Ta
=
25°C
相对发光强度
20
0
20
40
60
80
相对发光强度
0.8
3
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
580
600
620
640
660
680
700
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
I
F
- TA
（MA ）
I
F
60
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
4
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,PYE,GE,FGE,PGE)53T(F)
TLSE53T(F)
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
10000
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
（MA ）
正向电流
I
F
1000
10
5
3
100
1
1.6
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 - 波长
IF
=
20毫安
I
V
Ta
=
25°C
相对发光强度
20
0
60
80
相对发光强度
0.8
1
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
40
0
560
580
600
620
640
660
680
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
I
F
- TA
（MA ）
I
F
60
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
容许正向电流
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
5
2007-10-01
QQ：2880707522 复制
