TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
www.ti.com
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
特点
指定在2.7伏， 5 -V的参数，和15 -V的
耗材
电源电流7
A
（典型值）的5 V
响应时间4
s
（典型值）的5 V
推挽输出
输入共模范围之外
V
CC–
和V
CC+
低输入电流
包
（ TOP VIEW ）
应用
电池供电的产品
笔记本电脑和PDA
移动通信
报警和安全电路
直接传感器接口
取代放大器用作比较器
具有更好的性能和更低的电流
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
NC
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
5
4
V
CC–
IN-
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
6
5
4
NC
V
CC–
IN-
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TLV7211和TLV7211A都在节省空间的SOT- 23-5可微的CMOS比较器
封装。这使得比较器适合于空间和重量的关键设计。该TLV7211A设有一个
输入偏移量的5毫伏的电压，并且TLV7211提供的15毫伏的输入偏移电压。
的SOT-23-5封装的主要好处是最为明显的小型便携式电子设备，如
移动电话，寻呼机，笔记本电脑，个人数字助理，和PCMCIA卡。轨到轨
输入电压使TLV7211或TLV7211A传感器接口，一个不错的选择，如光检测器
电路，光学和磁性传感器，以及报警和状态的电路。
采用SOT -23-5封装的小尺寸使得它适合在PC板上狭小的空间。
订购信息
T
A
V
OS
（最大）
包
(1)
SOIC - D
5毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
-40 ° C至85°C
SOIC - D
15毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
(1)
(2)
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
TLV7211AIDR
TLV7211AID
TLV7211AIDBVR
TLV7211AIDCKR
TLV7211AIDCKT
TLV7211IDR
TLV7211ID
TLV7211IDBVR
TLV7211IDCKR
TLV7211IDCKT
顶部端标记
(2)
7211AI
YBN_
Y8_
TY7211
YBK_
Y7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
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功能框图
IN-
OUT
IN +
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC+
– V
CC–
V
ID
V
I
V
O
I
CC
I
I
I
O
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（任何输入）
输出电压范围
电源电流
输入电流
输出电流
包
封装的热阻抗
(4) (5)
工作结温
存储温度范围
–65
DBV包装
DCK包装
V
CC–
– 0.3
V
CC–
– 0.3
最大
16
●供应
电压
V
CC+
+ 0.3
V
CC+
+ 0.3
40
±5
±30
97
206
259
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
ESD保护
典型值
人体模型
2000
单位
V
推荐工作条件
民
V
CC+
– V
CC–
T
J
电源电压
工作结温
2.7
–40
最大
15
85
单位
V
°C
2
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TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
2.7 -V电气特性
V
CC+
= 2.7 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 2.5毫安
I
负载
= 2.5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
(1)
0
≤
V
CM
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC+
≤
15 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
5
7
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
5
7
2.5
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
A
2.5
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
提交文档反馈
3
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
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5 -V电气特性
V
CC+
= 5 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
短路输出
当前
短路输出
当前
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12 V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
30
45
5
7
4.8
5.2
5
–0.3
–0.2
0
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
mA
mA
A
4.8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
5.2
5
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
4
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TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
15 -V电气特性
V
CC+
= 15 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压平均
漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模抑制
比
电源抑制比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模电压
范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平输出电压
低电平输出电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
输出短路电流
输出短路电流
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12
V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
TEST
条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
30
45
5
7
14.8
15.2
15
–0.3
–0.2
0
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
mA
mA
A
14.8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
15.2
15
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
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5
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
特点
指定在2.7伏， 5 -V的参数，和15 -V的
耗材
电源电流7
A
（典型值）的5 V
响应时间4
s
（典型值）的5 V
推挽输出
输入共模范围之外
V
CC–
和V
CC+
低输入电流
包
（ TOP VIEW ）
应用
电池供电的产品
笔记本电脑和PDA
移动通信
报警和安全电路
直接传感器接口
取代放大器用作比较器
具有更好的性能和更低的电流
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
NC
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
5
4
V
CC–
IN-
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
6
5
4
NC
V
CC–
IN-
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TLV7211和TLV7211A都在节省空间的SOT- 23-5可微的CMOS比较器
封装。这使得比较器适合于空间和重量的关键设计。该TLV7211A设有一个
输入偏移量的5毫伏的电压，并且TLV7211提供的15毫伏的输入偏移电压。
的SOT-23-5封装的主要好处是最为明显的小型便携式电子设备，如
移动电话，寻呼机，笔记本电脑，个人数字助理，和PCMCIA卡。轨到轨
输入电压使TLV7211或TLV7211A传感器接口，一个不错的选择，如光检测器
电路，光学和磁性传感器，以及报警和状态的电路。
采用SOT -23-5封装的小尺寸使得它适合在PC板上狭小的空间。
订购信息
T
A
V
OS
（最大）
包
(1)
SOIC - D
5毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
-40 ° C至85°C
SOIC - D
15毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
(1)
(2)
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
TLV7211AIDR
TLV7211AID
TLV7211AIDBVR
TLV7211AIDCKR
TLV7211AIDCKT
TLV7211IDR
TLV7211ID
TLV7211IDBVR
TLV7211IDCKR
TLV7211IDCKT
顶部端标记
(2)
7211AI
YBN_
Y8_
TY7211
YBK_
Y7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
www.ti.com
功能框图
IN-
OUT
IN +
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC+
– V
CC–
V
ID
V
I
V
O
I
CC
I
I
I
O
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（任何输入）
输出电压范围
电源电流
输入电流
输出电流
包
封装的热阻抗
(4) (5)
工作结温
存储温度范围
–65
DBV包装
DCK包装
V
CC–
– 0.3
V
CC–
– 0.3
最大
16
●供应
电压
V
CC+
+ 0.3
V
CC+
+ 0.3
40
±5
±30
97
206
259
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
ESD保护
典型值
人体模型
2000
单位
V
推荐工作条件
民
V
CC+
– V
CC–
T
J
电源电压
工作结温
2.7
–40
最大
15
85
单位
V
°C
2
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,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
SLCS149B - 2006年8月 - 修订2007年1月
2.7 -V电气特性
V
CC+
= 2.7 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 2.5毫安
I
负载
= 2.5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
(1)
0
≤
V
CM
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC+
≤
15 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
5
7
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
5
7
2.5
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
A
2.5
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
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3
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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www.ti.com
5 -V电气特性
V
CC+
= 5 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
短路输出
当前
短路输出
当前
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12 V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
30
45
5
7
4.8
5.2
5
–0.3
–0.2
0
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
mA
mA
A
4.8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
5.2
5
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
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TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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15 -V电气特性
V
CC+
= 15 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压平均
漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模抑制
比
电源抑制比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模电压
范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平输出电压
低电平输出电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
输出短路电流
输出短路电流
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12
V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
TEST
条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
30
45
5
7
14.8
15.2
15
–0.3
–0.2
0
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
mA
mA
A
14.8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
15.2
15
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
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TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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特点
指定在2.7伏， 5 -V的参数，和15 -V的
耗材
电源电流7
A
（典型值）的5 V
响应时间4
s
（典型值）的5 V
推挽输出
输入共模范围之外
V
CC–
和V
CC+
低输入电流
包
（ TOP VIEW ）
应用
电池供电的产品
笔记本电脑和PDA
移动通信
报警和安全电路
直接传感器接口
取代放大器用作比较器
具有更好的性能和更低的电流
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
NC
IN-
IN +
V
CC–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
NC
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
5
4
V
CC–
IN-
OUT
V
CC+
IN +
1
2
3
6
5
4
NC
V
CC–
IN-
NC - 无内部连接
描述/订购信息
该TLV7211和TLV7211A都在节省空间的SOT- 23-5可微的CMOS比较器
封装。这使得比较器适合于空间和重量的关键设计。该TLV7211A设有一个
输入偏移量的5毫伏的电压，并且TLV7211提供的15毫伏的输入偏移电压。
的SOT-23-5封装的主要好处是最为明显的小型便携式电子设备，如
移动电话，寻呼机，笔记本电脑，个人数字助理，和PCMCIA卡。轨到轨
输入电压使TLV7211或TLV7211A传感器接口，一个不错的选择，如光检测器
电路，光学和磁性传感器，以及报警和状态的电路。
采用SOT -23-5封装的小尺寸使得它适合在PC板上狭小的空间。
订购信息
T
A
V
OS
（最大）
包
(1)
SOIC - D
5毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
-40 ° C至85°C
SOIC - D
15毫伏
SOT- 23-5 - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
(1)
(2)
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
2500卷
75管
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
TLV7211AIDR
TLV7211AID
TLV7211AIDBVR
TLV7211AIDCKR
TLV7211AIDCKT
TLV7211IDR
TLV7211ID
TLV7211IDBVR
TLV7211IDCKR
TLV7211IDCKT
顶部端标记
(2)
7211AI
YBN_
Y8_
TY7211
YBK_
Y7_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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功能框图
IN-
OUT
IN +
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC+
– V
CC–
V
ID
V
I
V
O
I
CC
I
I
I
O
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
电源电压
(2)
差分输入电压
(3)
输入电压范围（任何输入）
输出电压范围
电源电流
输入电流
输出电流
包
封装的热阻抗
(4) (5)
工作结温
存储温度范围
–65
DBV包装
DCK包装
V
CC–
– 0.3
V
CC–
– 0.3
最大
16
●供应
电压
V
CC+
+ 0.3
V
CC+
+ 0.3
40
±5
±30
97
206
259
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值（除差分电压和V
CC
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
差分电压为IN +相对于IN- 。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
ESD保护
典型值
人体模型
2000
单位
V
推荐工作条件
民
V
CC+
– V
CC–
T
J
电源电压
工作结温
2.7
–40
最大
15
85
单位
V
°C
2
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TLV7211 ， TLV7211A
,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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2.7 -V电气特性
V
CC+
= 2.7 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 2.5毫安
I
负载
= 2.5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
(1)
0
≤
V
CM
≤
2.7 V
2.7 V
≤
V
CC+
≤
15 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
5
7
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
5
7
2.5
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
2.4
2.3
0.2
0.3
0.4
12
14
10
12
A
2.5
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
2.9
2.7
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
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,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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5 -V电气特性
V
CC+
= 5 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压
平均漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源抑制
比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模
电压范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平的输出
电压
低电平输出
电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
短路输出
当前
短路输出
当前
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12 V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
测试条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
30
45
5
7
4.8
5.2
5
–0.3
–0.2
0
4.6
4.45
0.2
0.4
0.55
14
18
10
13
mA
mA
A
4.8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
5.2
5
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
1
3.3
0.04
0.02
75
80
100
5.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
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,
CMOS比较
具有轨到轨输入和推挽输出
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15 -V电气特性
V
CC+
= 15 V, V
CC–
= GND ，V
CM
= V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
V
OS
TCV
OS
输入失调电压
输入失调电压
温度漂移
输入失调电压平均
漂移
(1)
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
输入电流
输入失调电流
共模抑制
比
电源抑制比
电压增益
CMRR > 55分贝
CMVR
输入共模电压
范围
CMRR > 55分贝
V
OH
V
OL
高电平输出电压
低电平输出电压
I
负载
= 5毫安
I
负载
= 5毫安
V
OUT
= LOW
I
CC
电源电流
V
OUT
=高怠速
I
OH
I
OL
(1)
(2)
输出短路电流
输出短路电流
I
来源
I
SINK
, V
O
< 12
V
(2)
5 V
≤
V
CC+
≤
10 V
TEST
条件
T
J
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
-40 ° C至85°C
25°C
25°C
30
45
5
7
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
30
45
5
7
14.8
15.2
15
–0.3
–0.2
0
14.6
14.45
0.2
0.4
0.55
14
18
12
14
mA
mA
A
14.8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
15.2
15
–0.3
–0.2
0
V
V
TLV7211A
民
典型值
3
最大
5
8
4
4
0.04
0.02
82
80
100
15.3
V
民
TLV7211
典型值
3
最大
15
18
单位
mV
μV/°C
μV /月
pA
pA
dB
dB
dB
输入偏移电压平均漂移是通过将加速运行寿命V计算
OS
由等效运行时间漂移。这
表示最坏情况下的输入条件和包含漂移的第30天。
不要短路输出到V + ，如果V +是>12 V.
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