TLV62065-Q1
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SLVSB92A - 2012年1月 - 修订2012年3月
3 MHz的2 -A降压转换器在2毫米x 2毫米SON封装
检查样品：
TLV62065-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
AEC -Q100测试指导用下面的
结果：
- 设备温度等级2 ： -40 ° C至
105 ° C工作环境温度
范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C3B
V
IN
范围从2.9 V至5.5 V
高达97 ％的效率
省电模式/ - MHz的固定PWM模式
在PWM模式输出电压精度± 2.0 ％
输出电容放电功能
典型18 μA的静态电流
100 ％占空比的最低压差
为了提高功能集见TPS62065
可在2毫米×2毫米× 0.75毫米的SON
2
描述
该TLV62065 -Q1是一款高效，同步
降压型直流 - 直流转换器具有1.2V的固定输出
电压。它最大输出电流为2一。
为2.9 V至5.5 V的输入电压范围
设备是一个非常适合的电源转换从5 -V
或3.3V系统电源轨。该TLV62065 -Q1
工作在3 MHz的固定频率，并进入加电
保存模式操作在轻负载电流，以维持
高效率在整个负载电流范围。为
低噪声的应用， TLV62065 - Q 1可以是
通过将强制进入固定频率PWM模式
MODE引脚拉高。
在关断模式下，电流消耗为
减少到小于1微安和一个内部电路
输出电容放电。
该TLV62065 -Q1的工作，有1 - μH的电感和
10 μF输出电容。
该TLV62065 -Q1可在一个小型2毫米× 2 -
毫米× 0.75毫米8引脚SON封装。
应用
负载点（ POL ）
笔记本电脑，掌上电脑
便携式媒体播放器
机顶盒
典型应用电路
TLV62065-Q1
PVIN
AVIN
C
IN
10
mF
EN
模式
AGND
保护地
SW
R
1
360 k
W
FB
R
2
180 k
W
L
1.0
m
H
V
OUT
1.8 V 2将
100
95
90
V
IN
= 3.7 V
V
IN
= 2.9 V至5.5 V
85
V
IN
= 4.2 V
V
IN
= 5 V
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25 1.5
I
L
- 负载电流 - 一个
1.75
2
L = 1.2
m
H（ NRG4026T 1R2 ）
C
OUT
= 22
m
F（ 0603尺寸） ，
V
OUT
= 3.3 V,
模式：自动PFM / PWM
C
ff
22 pF的
C
OUT
10
m
F
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-40C至105C
(1)
WSON -DSG
包
3000卷
订购型号
TLV62065TDSGRQ1
顶部端标记
SCD
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
价值
民
电压范围
(2)
单位
最大
7
V
IN
+ 0.3 < 7
7
A
2
750
kV
V
°C
V
AVIN ， PVIN
EN ， MODE ， FB
SW
–0.3
-0.3
–0.3
内部限制
目前（来源）
峰值输出
人体模型（ HBM ） AEC- Q100
分类级别H2
带电器件模型（ CDM ） AEC- Q100
分类级别C3B
T
J
T
英镑
–40
–65
ESD额定值
温度
(1)
(2)
140
150
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该网络的接地端子。
热信息
TLV62065-Q1
热公制
θ
JA
θ
JC （顶部）
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （底部）
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
DSG
8引脚
92.2
70.4
46.6
1.7
46.3
39.7
° C / W
单位
2
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推荐工作条件
民
AV
IN
,
PV
IN
电源电压
输出电流能力
输出电压范围可调电压
L
C
OUT
T
A
T
J
(1)
有效的电感范围
有效的输出电容范围
工作环境温度
工作结温
(1)
喃
最大
5.5
2000
单位
V
mA
V
H
F
°C
°C
2.9
0.8
0.7
4.5
–40
–40
1
10
V
IN
1.6
22
105
140
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下最大）
），则
该设备在应用程序（ PD （ MAX））的最大功耗，以及在该结点至环境热阻
部件/封装中的应用（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (θ
JA
× P
D（最大）
)
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电气特性
在整个工作环境温度范围内，典型值是在T
A
= 25°C 。除非另有说明，规范适用
对于病情V
IN
= EN = 3.6 V外部C成分
IN
= 10
μF
0603, C
OUT
= 10
μF
0603, L = 1
μH,
看参数
测量信息。
参数
供应
V
IN
I
Q
I
SD
V
UVLO
输入电压范围
工作静态电流
关断电流
欠压锁定阈值
I
OUT
= 0 mA时，器件在PFM模式下运行
而不是设备无法切换
EN = GND ，电流进入AVIN和PVIN组合
落下
升起
2.9 V
≤
V
IN
≤
5.5 V
2.9 V
≤
V
IN
≤
5.5 V
EN ， MODE接GND或AVIN
V
IN
= 3.6 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 5 V
(1)
(1)
测试条件
民
2.9
典型值
最大
5.5
单位
V
μA
18
0.1
1.73
1.9
1
0
0.01
120
95
90
75
2300
2750
150
10
2.6
3
600
3.4
1.78
1.95
5
1.83
1.99
5.5
0.4
1
180
150
130
100
μA
V
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
V
V
μA
开关
r
DS （ ON）
r
DS （ ON）
I
LIMF
T
SD
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET导通电阻
正向电流限制MOSFET
高侧和低侧
热关断
热关断迟滞
振荡器频率
参考电压
反馈电压， PWM模式
反馈电压， PFM模式，
电压定位
负载调整率
线路调整
内部放电电阻器
启动时间
激活与EN = GND ， 2.9 V
≤
V
IN
≤
5.5 V, 0.8
V
≤
V
OUT
≤
3.6 V
从积极的EN时间达到95 ％的V
OUT
PWM工作模式， MODE = V
IN
,
2.9 V
≤
V
IN
≤
5.5 V ， 0 mA负载
器件在PFM模式下，电压定位活跃
(2)
–2.0
m
mΩ
mA
°C
V
IN
= 3.6 V
(1)
(1)
3 V
≤
V
IN
≤
3.6 V
随着结温
降低结温
2.9 V
≤
V
IN
≤
5.5 V
振荡器
f
SW
产量
V
REF
V
FB （ PWM ）
V
FB （ PFM ）
V
FB
R
（放电）
t
开始
(1)
(2)
mV
2.0
%
1
-0.5
0
200
500
%/A
%/V
Ω
μs
兆赫
0
最大值适用对于T
J
= 85°C.
在PFM模式下，内部参考电压被设定为典型值。 1.01 ×V
REF
。参见参数测量信息。
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引脚分配
终端功能
终奌站
名字
AGND
AV
IN
EN
FB
模式
保护地
PV
IN
SW
散热垫
号
3
7
5
4
6
1
8
2
–
I / O
IN
IN
IN
IN
IN
PWR
PWR
OUT
–
描述
GND模拟电源引脚的控制电路。
模拟V
IN
电源的控制电路。必须连接到PVIN输入
电容。
这是该装置的使能引脚。要将这个引脚拉低强制器件进入关闭
模式。拉动这个引脚为高电平使能器件。该引脚必须被终止。
反馈引脚的内部稳压环路。连接外部电阻分压器到该引脚。
在固定输出电压选项的情况下，该引脚直接连接到输出电容。
MODE引脚=高力在固定频率PWM模式操作设备。 MODE引脚=
低实现与自动转换的省电模式从PFM模式，针对于固定
频率PWM模式。该引脚必须被终止。
GND电源引脚的输出级
V
IN
电源引脚的输出级
这是开关销和连接到内部MOSFET开关。连接
此端与输出电容器之间的外部电感。
供良好的热性能，这种焊盘必须焊接到PCB上的焊盘图案。
此垫应作为设备接地。
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