TLV5510

2.7 V至3.6 V的8位高速模拟数字转换器

1997年SLAS124C-十二月 - 修订1999年12月

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

8位分辨率

积分非线性误差

±

0.75 LSB（最大值） （ 25 ° C）

±

1 LSB（最大值） （ - 35 ° C至85°C ）

微分线性误差

±

0.5 LSB （ 25 ° C）

±

0.75 LSB（最大值） （ - 35 ° C至85°C ）

最大转化率

10兆每秒采样次数

（ MSPS ）最小

2.7 V至3.6 V单电源供电

低功耗。 。 。 42 mW的典型值在

3V

低压置换CXD1175

PW或NS包装

（ TOP VIEW ）

OE

DGND

D1(LSB)

D2

D3

D4

D5

D6

D7

D8(MSB)

V

DDD

CLK

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

DGND

REFB

REFBS

AGND

AGND

ANALOG IN

V

DDA

REFT

REFTS

V

DDA

V

DDA

V

DDD

应用

通讯

数码影像

视频会议

高速数据转换

此外，在磁带和卷轴可用，

订购的TLV5510INSR 。

可选项

包

TA

- 35 ° C至85°C

TSSOP （ PW ）

TLV5510IPW

SOP （ NS ）

TLV5510INS

描述

的TLV5510是一个CMOS 8位分辨率semiflash模拟 - 数字转换器（ADC），采用2.7 V至3.6 V单

电源和内部基准电压源。它宽频带的模拟信号（转换成诸如视频

信号），以在直流的采样率，以10兆赫的数字信号。

功能框图

电阻器

参考

分频器

REFB

200

喃

REFT

REFBS

60

喃

AGND

AGND

VDDA

40

喃

REFTS

ANALOG IN

时钟

发电机

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

OE

较低的采样

比较

（ 4位）

较低的编码器

（ 4位）

较低的数据

LATCH

D1(LSB)

D2

D3

D4

较低的采样

比较

（ 4位）

较低的编码器

（ 4位）

D5

上面的数据

LATCH

上编码器

（ 4位）

D6

D7

D8(MSB)

UPPER采样

比较

（ 4位）

CLK

版权

1999年，德州仪器

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1

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2.7 V至3.6 V的8位高速模拟数字转换器

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输入和输出的原理图

等效模拟输入

VDDA

等效每个数字输入

VDDD

等效每个数字量输出的

VDDD

ANALOG IN

OE ， CLK

D1 – D8

AGND

DGND

DGND

终端功能

终奌站

名字

AGND

ANALOG IN

CLK

DGND

D1 – D8

OE

VDDA

VDDD

REFB

REFBS

号

20, 21

19

12

2, 24

3 – 10

1

14, 15, 18

11, 13

23

22

I

O

I

I

I

I / O

模拟地

模拟量输入

时钟输入

数字地

数字数据输出。 D1 ： LSB ， D8 ： MSB

输出使能。当OE =低电平时，数据已启用。当OE =高， D1 - D8为高阻态。

模拟电源电压

数字电源电压

参考电压中（底部）

参考电压（下部）。当使用内部电压分压器，产生标称2 -V参考，

该端子被短路到REFB终端和REFTS端子被短路到REFT终端（见

图21）。

I

参考电压（顶部）

参考电压（顶部） 。当使用内部电压分压器，产生标称2 -V参考这一点，

端子被短路到REFT终端和REFBS端子被短路到REFB终端（见

图21）。

描述

REFT

REFTS

17

16

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DDA

, V

DDD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

参考电压输入范围， REFT ， REFB ， REFBS ， REFTS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND到V

DDA

模拟输入电压范围，V

我（ ANLG ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AGND到V

DDA

数字的输入电压范围，V

我（ DGTL ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND到V

DDD

数字输出电压范围，V

O（ DGTL ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 DGND到V

DDD

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 35 ° C至85°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

2

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推荐工作条件

民

电源电压

基准输入电压（上图） ， REFT

基准输入电压（底部） ， REFB

模拟输入电压范围， VI （ ANLG ） （见注1 ）

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

脉冲持续时间，时钟高，总重量（H ）

脉冲持续时间，时钟低，总重量（ L）

时钟频率f （ CLK ）

采样频率， fs的

注1 ： REFT - REFB

≤

2.4 V最大

10

10

10

10

VDDA - AGND

VDDD - DGND

AGND - DGND

2.7

2.7

– 100

REFB+2

0

REFB

2.5

0.6

喃

3

3

0

最大

3.6

3.6

100

VDDA–0.3

REFT- 2

REFT

0.5

单位

V

mV

V

V

V

V

V

ns

ns

兆赫

MSPS

在V电气特性

DDD

= V

DDA

= 3 V ， REFT = 2.5 V， REFB = 0.5 V，F

（CLK）

= 10兆赫，

T

A

= 25 ℃（除非另有说明）

数字I / O

参数

IIH

IIL

IOH

IOL

IOZH

IOZL

高层次的输入电流

低电平输入电流

高电平输出电流

低电平输出电流

高级别高阻抗状态

输出漏电流

低级别高阻抗状态

输出漏电流

VDDD = MAX ，

VDDD = MAX ，

OE = GND ，

OE = GND ，

OE = VDDD ，

OE = VDDD ，

测试条件

VIH = VDDD

VIL = 0

VDDD = MIN ，

VDDD = MIN ，

VDDD = MAX

VDDD = MIN

VOH = VDDD - 0.5 V

VOL = 0.4 V

VOH = VDDD

VOL = 0

– 1.6

2.6

15

A

15

民

典型值

最大

5

5

单位

A

mA

条件标记MIN或MAX都在推荐工作条件规定。

动力

参数

国际直拨电话

电源电流

测试条件

FSIN = 1 MHz的正弦波，参考电阻损耗是不同的

6

民

典型值

4

10

最大

10

14

单位

mA

mA

IREF

参考电压电流

REF

= REFT - REFB = 2 V

条件标记MIN或MAX都在推荐工作条件规定。

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3

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在V电气特性

DDD

= V

DDA

= 3 V ， REFT = 2.5 V， REFB = 0.5 V，F

（CLK）

= 10兆赫，

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） （续）

静态性能

参数

自偏压（1） ，在REFB

自偏压（1） ， REFT - REFB

自偏压（2） ，在REFT

RREF

Ci

参考电压电阻

模拟量输入电容

积分非线性（ INL ）

微分非线性（ DNL ）

测试条件

总之REFB到REFBS ，

REFBS

总之REFB到AGND ，

总之REFT到REFTS

总之REFT到REFTS

民

0.54

1.8

2.25

140

典型值

0.60

2

2.5

200

16

±

0.3

±

0.2

– 18

– 20

– 43

0

±

0.75

±

1

±

0.5

±

0.75

– 68

20

mV

mV

最低位

最大

0.72

2.4

3

260

pF

V

单位

之间REFT和REFB

VI （ ANLG ） = 1.5 V + 0.07 V有效值

TA = 25°C

F（ CLK ）= 10兆赫

,

VI = 0.5 V至2.5 V

TA = - 35 ° C至85°C

F（ CLK ）= 10兆赫

,

VI = 0.5 V至2.5 V

TA = 25°C

TA = - 35 ° C至85°C

EZS

零刻度误差

REF

= REFT - REFB = 2 V

EFS

满量程误差

REF

= REFT - REFB = 2 V

条件标记MIN或MAX都在推荐工作条件规定。

工作特性在V

DDD

= V

DDA

= 3 V ， REFT = 2.5 V， REFB = 0.5 V，F

（CLK）

= 10兆赫，

T

A

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

fconv

BW

TD （ D）

泰姬陵

TD （S ）

TEN

TDI发动机

最大转化率

模拟输入带宽

数字输出延迟时间

孔径抖动时间

采样延迟时间

启用时， OE ↓到有效数据

禁止时间， OE ↑高阻抗

CL = 10 pF的

CL = 10 pF的

输入音调= 1兆赫

无杂散动态范围（ SFDR ）

输入音调= 1.4 MHz的

14

SNR

信号 - 噪声

信噪比

输入音调= 1.4 MHz的

14

TA = 25°C

全系列

TA = 25°C

全系列

TA = 25°C

全系列

测试条件

FI = 1 - kHz的斜坡波形，

VI （ ANLG ）= 0.5 V - 2.5 V

在 - 1分贝

在 - 3分贝

CL

≤

10 pF的（见注1和图1）

民

0.2

17

36

18

30

4

15

10

41

41

38

38

38

37

dB

dB

30

典型值

最大

10

单位

MSPS

兆赫

兆赫

ns

ps

ns

ns

ns

注2 ： CL包括探针和夹具电容。

4

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参数测量信息

总重量（H ）

的CLK （时钟）

总重量（L）的

ANALOG IN

（输入信号）

N

N+1

N+2

N+3

N+4

D1 – D8

（输出数据）的

N–3

tPD的

N–2

N–1

N

N+1

图1. I / O时序图

典型特征

功耗

vs

采样频率

12

TA = 25°C

VDDA = 2.7 V ，

VREFB = 0.5 V ，

VREFT = 2.5 V ，

FCLK = 10 MHz的

增益 - 分贝

0

–1

–2

–3

–4

–5

4

–6

2

–7

–8

100

TA = 25°C

VDDA = 2.7 V ，

VREFB = 0.5 V ，

VREFT = 2.5 V ，

FCLK = 10 MHz的

101

网络连接 - 输入频率 - MHz的

102

模拟输入带宽

10

功耗 - 毫瓦

8

6

0

0

2

4

6

8

10

12

采样频率 - 兆赫

图2

科幻gure 3

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