TLV3501
TLV3502
SBOS321D - 2005年3月 - 修订2005年7月
4.5ns轨至轨高速比较器
在Microsize包
特点
D
D
D
D
D
D
D
高速： 4.5ns
轨到轨I / O
电源电压： + 2.7V至+ 5.5V
PUSH - PULL CMOS输出级
SHUTDOWN （ TLV3501只）
微型封装的：
SOT23-6 （单）
SOT23-8 （双）
低电源电流： 3.2毫安
描述
该TLV350x系列推挽输出比较器
有来自快速4.5ns传播延迟和操作
+ 2.7V至+ 5.5V 。除了摆幅输入共模
范围使其非常适用于低压应用的理想选择
系统蒸发散。轨到轨输出可直接驱动或者CMOS或
TTL逻辑。
Microsize软件包提供的选项用于便携式和
空间受限的应用。单（ TLV3501 ）是
提供SOT23-6和SO - 8封装。双
（ TLV3502 ）进来的SOT23-8和SO - 8封装。
应用
传播延迟（ NS ）
D
D
D
D
D
传播延迟VS过驱动电压
9
8
上升
7
6
秋天
5
4
3
0
20
40
60
80
100
过驱动电压（毫伏）
V
CM
= 1V
V
S
= 5V
C
负载
= 17PF
自动测试设备
无线基站
阈值检测器
过零检测器
窗口比较器
TLV350x相关产品
特点
精密超高速，低功耗比较器
差分输出比较器
高速运算放大器， 16位精度， 150MHz的
高速运算放大器，轨到轨， 38MHz
高速运算放大器，带有关断， 250MHz的
产品
TLC3016
TL712
OPA300
OPA350
OPA357
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2005年，德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5.5V
信号输入端子，电压（ 2 ） 。 。 。 。 。 （ V - ） - 0.3V至（V +） + 0.3V
信号输入端子，电流（ 2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
输出短路（ 3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74毫安
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
ESD额定值（人体模型） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3000V
带电器件模型（ CDM） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500V
（ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只，和
该器件在这些或任何其他条件的功能操作
超出这些规定的不支持。
（2）输入端子的二极管钳位到电源轨。
输入信号可以比0.3V的摆动更超越了供应
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
（ 3 ）短路接地，每包一个比较器。
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害，因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TLV3501
TLV3501
TLV3502
PACKAGE -LEAD
SOT23-6
SO-8
SOT23-8
封装标识
的dBV
D
DCN
包装标志
NXA
TLV3501A
NXC
TLV3502
SO-8
D
TLV3502A
（ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站
在www.ti.com 。
销刀豆网络gurations
TLV3501
TLV3501
NXA
NC
(2)
6
5
4
SOT236
(1)
SO8
SOT23-8 ， SO- 8
SHDN
OUT
+ IN
+ IN
3
V+
V
4
5
NC
(2)
3
6
OUT
+ IN B
In
B
3
B
4
5
V
6
OUT B
IN
1
2
8
7
SHDN
V+
IN
V
+ IN A
In
A
1
A
2
7
OUT A
8
V+
1
2
TLV3502
（ 1）采用SOT23-6的引脚1是由定向的包标记为图中所示确定。
（ 2 ） NC表示没有内部连接。
2
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电气特性
粗体
限额适用于特定的温度范围内，
T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
在TA = + 25 ° C和VS = + 2.7V至+ 5.5V ，除非另有说明。
TLV3501 ， TLV3502
参数
失调电压
输入偏移电压（1）
与温度
VS电源
输入滞后
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流（ 2 ）
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制
输入阻抗
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间（ 3 ）
T（ PD ）
V
IN = 100mV的，超载= 20mV的
V
IN = 100mV的，超载= 20mV的
V
IN = 100mV的，高速=为5mV
V
IN = 100mV的，高速=为5mV
V
IN = 100mV的，超载= 20mV的
过载= 50mV的， VS = 5V
条件
VOS
dVos / DT
PSRR
VCM = 0V ， IO = 0毫安
TA = -40°C至+ 125°C
VS = 2.7V至5.5V
民
典型值
±1
±5
100
6
±2
±2
(V) 0.2V
57
55
最大
±6.5
400
单位
mV
μV/°C
V/V
mV
pA
pA
V
dB
dB
pF
pF
6.4
7
10
12
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
mV
ns
ns
V
V
pA
A
V
V
mA
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
IB
IOS
VCM
CMRR
VCM = VCC / 2
VCM = VCC / 2
±10
±10
(V+) + 0.2V
VCM = -0.2V至（V + ） + 0.2V
VCM = -0.2V至（V + ） + 0.2V
70
1013
2
1013
4
4.5
7.5
0.5
80
1.5
1.5
30
30
100
(V+) 1.7V
(V+) 0.9V
2
2
VS
IQ
VS = 5V ， VO =高
40
40
65
q
JA
200
200
150
+2.7
2.25.5
3.2
+5.5
5
+125
+125
+150
50
传播延迟偏斜（ 4 ）
最大切换频率
上升时间（ 5 ）
下降时间（ 5 ）
产量
从轨电压输出
关闭
花花公子
吨
VL结构（比较器被使能）（6）
VH （比较器被禁止） （ 6 ）
关断引脚的输入偏置电流
IQSD （停机时静态电流）
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻
SOT23-5
SOT23-8
SO-8
t
（歪斜）
FMAX
tR
tF
VOH ，V
OL
IOUT =
±1mA
（1） VOS被定义为正，负开关阈值的平均值。
（2） IB +和IB-之间的差异。
（3）传播延迟，不能精确地测量与自动测试设备低速超速。该参数确保了
表征和测试，在100mV的过载。
（4）的传播延迟之间的差变高和传播延迟变低。
（5 ）测量之间的VS为10％和90％的VS的
（ 6 ）当关断引脚中最积极的供应0.9V ，部分被禁用。当其大于下方的最正电源1.7V ，
的部分被启用。
3
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典型特征
在TA = + 25 ° C， VS = + 5V和输入过载= 100mV的，除非另有说明。
输出响应各种
OVERDRIVE电压（上升）
V
IN
(V)
输入
输入
V
IN
(V)
0
0
输出响应各种
OVERDRIVE电压（下降）
5
4
V
OUT
(V)
3
2
1
0
1
10
0
10
20
时间（纳秒）
30
40
V
OD
= 100mV的
5
V
OD
= 50mV的
V
OUT
(V)
V
OD
= 20mV的
V
OD
=为5mV
4
3
2
1
0
1
10
0
V
OD
= 100mV的
V
OD
= 50mV的
V
OD
= 20mV的
V
OD
=为5mV
10
20
时间（纳秒）
30
40
传播延迟与温度
(V
OD
= 20mV的）
5.0
秋天
传播延迟（ NS ）
4.5
上升
传播延迟（ NS ）
5.0
传播延迟与温度
(V
OD
= 50mV的）
4.5
4.0
4.0
秋天
3.5
3.5
上升
3.0
40 25
0
25
50
75
100
125
3.0
40 25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
温度（℃）
传播延迟VS容性负载
(V
OD
= 20mV的）
9
8
传播延迟（ NS ）
传播延迟（ NS ）
7
6
秋天
5
上升
4
3
0
20
40
60
80
100
容性负载（PF ）
9
8
7
6
5
传播延迟VS容性负载
(V
OD
= 50mV的）
秋天
4
上升
3
0
20
40
60
80
100
容性负载（PF ）
4
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典型特性（续）
在TA = + 25 ° C， VS = + 5V和输入过载= 100mV的，除非另有说明。
传播延迟与电源电压
(V
CM
= 1V, V
OD
= 20mV的）
9
8
传播延迟（ NS ）
7
6
5
秋天
4
上升
3
2
3
4
电源电压（ V）
5
6
50
40 25
唤醒延迟（ns ）
90
110
WAKE -UP DELAY与温度
70
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
反应至50MHz正弦波
(V
DD
= 5V, V
IN
= 20mV的
PP
)
V
IN
（毫伏）
10
0
10
5
4
V
OUT
(V)
3
2
1
0
1
0
20
40
60
时间（纳秒）
80
100
V
OUT
(V)
V
IN
（毫伏）
响应100MHz的正弦波
（ ± 2.5V双电源供电为50Ω示波器输入）
500
0
500
2
1
0
1
2
0
2
4
6
8
10
时间（纳秒）
12
14
16
18
20
静态电流与电源电压
4.0
3.8
静态电流（mA ）
静态电流（mA ）
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
2
3
4
电源电压（ V）
5
6
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
40
25
静态电流与温度
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
5
QQ：2881677436 复制
