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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第21页 > TLV3491AIDR
TLV
349
1
TLV
349
2
TLV
349
4
TLV
349
4
TLV3491
TLV3492
TLV3494
SBOS262C - 2002年12月 - 修订2004年5月
1.8V ，纳安级功耗，
推挽输出比较器
特点
q
极低的电源电流： 0.8
A（典型值）
q
输入共模范围为200mV
BEYOND电源轨
q
电源电压： + 1.8V至+ 5.5V
q
高速： 6
s
q
PUSH - PULL CMOS输出级
q
小型封装：
SOT23-5 （单人间）
SOT23-8 （双）
描述
该TLV349x系列推挽输出比较器为特色的
Tures的快6微秒的响应时间和< 1.2μA （最大值）的毫微功率
能力，从1.8V允许操作 - 5.5V 。输入的COM
共模范围超出电源轨进行TLV349x的
对于低电压应用的理想选择。
微小尺寸的封装选项提供便携式和空间 -
受限制的应用程序。单（ TLV3491 ）可
在SOT23-5和SO - 8 。双（ TLV3492 ）进来
SOT23-8和SO - 8 。四（ TLV3494 ）是可用
TSSOP- 14和SO- 14 。
该TLV349x非常适合功率敏感，低电压
（ 2小区）的应用程序。
应用
q
q
q
q
q
便携式医疗设备
无线安全系统
远程控制系统
手持式仪器
超低功耗系统
TLV349x相关产品
产品
TLV370x
TLV340x
特点
560nA ， 2.5V至16V ，推挽式CMOS输出级
比较
550nA ， 2.5V至16V ，漏极开路输出级比较器
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有2002-2004 ，德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ ................................. + 5.5V
信号输入端子，电压
(2)
.................. （ V-） - 0.5V至（V + ） + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
ESD额定值（人体模型） ........................................... 3000V .......
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间DE-可能
级器件的可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出规定的其他条件和灰是
不是暗示。 （2）输入端子的二极管钳位到电源轨。
输入信号可以比0.5V摆动更超出电源轨应
有电流限制在10mA或更小。 （ 3 ）短路接地，一个放大器
每包。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
用适当的预防措施。如果不遵守正确han-
危及周围并安装程序可能导致的损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
(1)
包
代号
的dBV
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
包
记号
VBNI
订购
数
TLV3491AIDBVT
TLV3491AIDBVR
TLV3491AID
TLV3491AIDR
TLV3492AIDCNT
TLV3492AIDCNR
TLV3492AID
TLV3492AIDR
TLV3494AIPWT
TLV3494AIPWR
TLV3494AID
TLV3494AIDR
运输
媒体， QUANTITY
管， 250
磁带和卷轴， 3000
管， 100
管， 2500
管， 250
磁带和卷轴， 3000
管， 100
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 94
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 58
磁带和卷轴， 2500
产品
TLV3491
PACKAGE -LEAD
SOT23-5
＆ QUOT ;
TLV3491
＆ QUOT ;
SO-8
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3491
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
SOT23-8
＆ QUOT ;
DCN
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
VBO1
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
SO-8
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
TSSOP-14
＆ QUOT ;
PW
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
SO-14
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于此数据表的末尾。
销刀豆网络gurations
顶视图
OUT
V–
+ IN
1
2
3
5
V+
SOT23-5
VBNI
TLV3491
SO-8
OUT A
OUT A
1
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
1
2
3
4
5
6
7
TSSOP-14
SO-14
TLV3494
14输出D
13 -IN
12 + D中
11 V–
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
VBO1
4
In
-IN一
+ IN A
V–
2
3
4
7
6
5
NC
(1)
In
+ IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
(1)
V+
产量
NC
(1)
SOT23-8
SO-8
注： （ 1 ） NC表示没有内部连接。
2
TLV3491 ， 3492 ， 3494
www.ti.com
SBOS262C
电气特性： V
S
= + 1.8V至+ 5.5V
粗体
限额适用于特定的温度范围内，
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25° C和V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。
TLV3491 ， TLV3492 ， TLV3494
参数
失调电压
输入失调电压
与温度
VS电源
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制比
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
V
CM
= 0V时，我
O
= 0V
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C
V
S
= 1.8V至5.5V
V
CM
= V
CC
/2
V
CM
= V
CC
/2
(V–) – 0.2V
60
54
条件
民
典型值
±3
最大
±15
1000
±10
±10
(V+) + 0.2V
74
62
单位
mV
V/
°
C
V/V
pA
pA
±
12
350
±1
±1
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
V
CM
= -0.2V至（V + ） - 1.5V
V
CM
= -0.2V至（V +） + 0.2V
V
dB
dB
输入电容
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间，从低到高
传播延迟时间，高到低
上升时间
下降时间
产量
电压输出，高铁从
输出电压从低轨道
短路电流
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
(1)
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻，
θ
JA
SOT23-5 ， SOT23-8
SO-8
SO- 14和TSSOP -14
注： （ 1 ）I
Q
每通道。
F = 10kHz时，V
步
= 1V
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
C
L
= 10pF的
C
L
= 10pF的
V
S
= 5V
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 5毫安
2
4
pF
pF
s
s
s
s
ns
ns
t
（ PLH ）
t
（ PHL ）
t
R
t
F
V
OH
V
OL
I
SC
V
S
I
Q
12
6
13.5
6.5
100
100
90
160
见典型特征
200
200
mV
mV
1.8
1.8
V
O
= 5V, V
O
=高
–40
–40
–65
200
150
100
0.85
5.5
5.5
1.2
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
+125
+125
+150
TLV3491 ， 3492 ， 3494
SBOS262C
www.ti.com
3
典型特征
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，并输入过载= 100mV的，除非另有说明。
静态电流与温度
1.00
0.95
静态电流（ μA ）
0.90
V
DD
= 5V
0.85
V
DD
= 1.8V
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
V
DD
= 3V
10
12
静态电流
与输出开关频率
V
S
= 5V
静态电流（ μA ）
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
输出跳变频率（Hz ）
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10k
100k
短路电流与电源电压
140
120
短路电流（mA）
输入偏置电流与温度
45
40
输入偏置电流（ PA）
35
30
25
20
15
10
5
0
100
SINK
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
电源电压（ V）
来源
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
V
DD
= 3V
0.2
V
DD
= 1.8V
V
OL
(V)
0.2
V
DD
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.15
V
DD
= 1.8V
0.15
V
DD
= 5V
0.1
0.1
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流（mA ）
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流（mA ）
4
TLV3491 ， 3492 ， 3494
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SBOS262C
典型特征
（续）
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，并输入过载= 100mV的，除非另有说明。
80
70
60
传播延迟（T
PLH
）对容性负载
80
70
60
50
t
PHL
(s)
传播延迟（T
PHL
）对容性负载
50
t
PLH
(s)
V
DD
= 5V
40
V
DD
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
DD
= 5V
V
DD
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载（ NF）
容性负载（ NF）
20
18
16
t
PLH
(s)
传播延迟（T
PLH
） VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟（T
PHL
） VS输入OVERDRIVE
t
PHL
(s)
14
12
10
8
6
4
0
10
V
DD
= 5V
14
12
V
DD
= 1.8V
10
8
6
4
V
DD
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DD
= 3V
V
DD
= 3V
V
DD
= 1.8V
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱（MV ）
输入过驱（MV ）
8.0
7.5
7.0
传播延迟（T
PLH
）与温度
8.0
7.5
7.0
传播延迟（T
PHL
）与温度
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 3V
V
DD
= 1.8V
6.5
t
PLH
(s)
6.5
t
PHL
(s)
V
DD
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
V
DD
= 5V
6.0
5.5
V
DD
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
TLV3491 ， 3492 ， 3494
SBOS262C
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5
TLV
349
1
TLV
349
2
TLV
349
4
TLV
349
4
TLV3491
TLV3492
TLV3494
SBOS262C - 2002年12月 - 修订2004年5月
1.8V ，纳安级功耗，
推挽输出比较器
特点
q
极低的电源电流： 0.8
A（典型值）
q
输入共模范围为200mV
BEYOND电源轨
q
电源电压： + 1.8V至+ 5.5V
q
高速： 6
s
q
PUSH - PULL CMOS输出级
q
小型封装：
SOT23-5 （单人间）
SOT23-8 （双）
描述
该TLV349x系列推挽输出比较器为特色的
Tures的快6微秒的响应时间和< 1.2μA （最大值）的毫微功率
能力，从1.8V允许操作 - 5.5V 。输入的COM
共模范围超出电源轨进行TLV349x的
对于低电压应用的理想选择。
微小尺寸的封装选项提供便携式和空间 -
受限制的应用程序。单（ TLV3491 ）可
在SOT23-5和SO - 8 。双（ TLV3492 ）进来
SOT23-8和SO - 8 。四（ TLV3494 ）是可用
TSSOP- 14和SO- 14 。
该TLV349x非常适合功率敏感，低电压
（ 2小区）的应用程序。
应用
q
q
q
q
q
便携式医疗设备
无线安全系统
远程控制系统
手持式仪器
超低功耗系统
TLV349x相关产品
产品
TLV370x
TLV340x
特点
560nA ， 2.5V至16V ，推挽式CMOS输出级
比较
550nA ， 2.5V至16V ，漏极开路输出级比较器
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有2002-2004 ，德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ ................................. + 5.5V
信号输入端子，电压
(2)
.................. （ V-） - 0.5V至（V + ） + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
ESD额定值（人体模型） ........................................... 3000V .......
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间DE-可能
级器件的可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出规定的其他条件和灰是
不是暗示。 （2）输入端子的二极管钳位到电源轨。
输入信号可以比0.5V摆动更超出电源轨应
有电流限制在10mA或更小。 （ 3 ）短路接地，一个放大器
每包。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路处理
用适当的预防措施。如果不遵守正确han-
危及周围并安装程序可能导致的损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
封装/订购信息
(1)
包
代号
的dBV
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 125°C
包
记号
VBNI
订购
数
TLV3491AIDBVT
TLV3491AIDBVR
TLV3491AID
TLV3491AIDR
TLV3492AIDCNT
TLV3492AIDCNR
TLV3492AID
TLV3492AIDR
TLV3494AIPWT
TLV3494AIPWR
TLV3494AID
TLV3494AIDR
运输
媒体， QUANTITY
管， 250
磁带和卷轴， 3000
管， 100
管， 2500
管， 250
磁带和卷轴， 3000
管， 100
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 94
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 58
磁带和卷轴， 2500
产品
TLV3491
PACKAGE -LEAD
SOT23-5
＆ QUOT ;
TLV3491
＆ QUOT ;
SO-8
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3491
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
SOT23-8
＆ QUOT ;
DCN
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
VBO1
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
SO-8
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3492
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
TSSOP-14
＆ QUOT ;
PW
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
SO-14
＆ QUOT ;
D
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 125°C
＆ QUOT ;
TLV3494
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于此数据表的末尾。
销刀豆网络gurations
顶视图
OUT
V–
+ IN
1
2
3
5
V+
SOT23-5
VBNI
TLV3491
SO-8
OUT A
OUT A
1
8
V+
OUT B
-IN B
+ IN B
1
2
3
4
5
6
7
TSSOP-14
SO-14
TLV3494
14输出D
13 -IN
12 + D中
11 V–
10 + IN C
9
8
-IN
输出C
-IN一
+ IN A
V+
+ IN B
-IN B
OUT B
VBO1
4
In
-IN一
+ IN A
V–
2
3
4
7
6
5
NC
(1)
In
+ IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
(1)
V+
产量
NC
(1)
SOT23-8
SO-8
注： （ 1 ） NC表示没有内部连接。
2
TLV3491 ， 3492 ， 3494
www.ti.com
SBOS262C
电气特性： V
S
= + 1.8V至+ 5.5V
粗体
限额适用于特定的温度范围内，
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C.
在T
A
= + 25° C和V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，除非另有说明。
TLV3491 ， TLV3492 ， TLV3494
参数
失调电压
输入失调电压
与温度
VS电源
输入偏置电流
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压范围
共模电压范围
共模抑制比
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
V
CM
= 0V时，我
O
= 0V
T
A
= –40
°
C至+ 125
°
C
V
S
= 1.8V至5.5V
V
CM
= V
CC
/2
V
CM
= V
CC
/2
(V–) – 0.2V
60
54
条件
民
典型值
±3
最大
±15
1000
±10
±10
(V+) + 0.2V
74
62
单位
mV
V/
°
C
V/V
pA
pA
±
12
350
±1
±1
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
V
CM
= -0.2V至（V + ） - 1.5V
V
CM
= -0.2V至（V +） + 0.2V
V
dB
dB
输入电容
共模
迪FF erential
开关特性
传播延迟时间，从低到高
传播延迟时间，高到低
上升时间
下降时间
产量
电压输出，高铁从
输出电压从低轨道
短路电流
电源
额定电压
工作电压范围
静态电流
(1)
温度范围
指定范围
工作范围
存储范围
热阻，
θ
JA
SOT23-5 ， SOT23-8
SO-8
SO- 14和TSSOP -14
注： （ 1 ）I
Q
每通道。
F = 10kHz时，V
步
= 1V
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
输入过驱动= 10mV的
输入过驱= 100mV的
C
L
= 10pF的
C
L
= 10pF的
V
S
= 5V
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 5毫安
2
4
pF
pF
s
s
s
s
ns
ns
t
（ PLH ）
t
（ PHL ）
t
R
t
F
V
OH
V
OL
I
SC
V
S
I
Q
12
6
13.5
6.5
100
100
90
160
见典型特征
200
200
mV
mV
1.8
1.8
V
O
= 5V, V
O
=高
–40
–40
–65
200
150
100
0.85
5.5
5.5
1.2
V
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
+125
+125
+150
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3
典型特征
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，并输入过载= 100mV的，除非另有说明。
静态电流与温度
1.00
0.95
静态电流（ μA ）
0.90
V
DD
= 5V
0.85
V
DD
= 1.8V
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
V
DD
= 3V
10
12
静态电流
与输出开关频率
V
S
= 5V
静态电流（ μA ）
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
输出跳变频率（Hz ）
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10k
100k
短路电流与电源电压
140
120
短路电流（mA）
输入偏置电流与温度
45
40
输入偏置电流（ PA）
35
30
25
20
15
10
5
0
100
SINK
80
60
40
20
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
电源电压（ V）
来源
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
V
DD
= 3V
0.2
V
DD
= 1.8V
V
OL
(V)
0.2
V
DD
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.15
V
DD
= 1.8V
0.15
V
DD
= 5V
0.1
0.1
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流（mA ）
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流（mA ）
4
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典型特征
（续）
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ，并输入过载= 100mV的，除非另有说明。
80
70
60
传播延迟（T
PLH
）对容性负载
80
70
60
50
t
PHL
(s)
传播延迟（T
PHL
）对容性负载
50
t
PLH
(s)
V
DD
= 5V
40
V
DD
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
DD
= 5V
V
DD
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载（ NF）
容性负载（ NF）
20
18
16
t
PLH
(s)
传播延迟（T
PLH
） VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟（T
PHL
） VS输入OVERDRIVE
t
PHL
(s)
14
12
10
8
6
4
0
10
V
DD
= 5V
14
12
V
DD
= 1.8V
10
8
6
4
V
DD
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DD
= 3V
V
DD
= 3V
V
DD
= 1.8V
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱（MV ）
输入过驱（MV ）
8.0
7.5
7.0
传播延迟（T
PLH
）与温度
8.0
7.5
7.0
传播延迟（T
PHL
）与温度
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 3V
V
DD
= 1.8V
6.5
t
PLH
(s)
6.5
t
PHL
(s)
V
DD
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
V
DD
= 5V
6.0
5.5
V
DD
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
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TPS77733PWPRG4
TAJC336J050S
TPS622
TPS3306-18-Q1
TLV1391CDBVR
TBL150-124
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