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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第410页 > TLV341IDRLR
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2007年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
2
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
40 C 125 C
-40_C到125_C
四
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
YC9_
TOP- SIDE
记号
§
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
§ DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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3
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器与1.1 VPP阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2007年，德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
2
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
40 C 125 C
-40_C到125_C
四
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
YC9_
TOP- SIDE
记号
§
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
§ DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
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具有关断功能
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电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器与1.1 VPP阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2007年，德州仪器
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1
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
2
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具有关断功能
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订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
40 C 125 C
-40_C到125_C
四
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
YC9_
TOP- SIDE
记号
§
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
§ DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器与1.1 VPP阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
邮政信箱655303
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。 10 PA（典型值）
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV342 。 。 。 D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV341 。 。 。 DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
TLV344 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
TLV341 。 。 。 DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息（续）
该TLV341 （单机）还提供关断（ SHDN）引脚，可用于禁用设备。在关断模式
模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供中均采用SOT -23和更小的SC- 70封装，
该TLV341适用于大多数空间受限的应用。双TLV342提供的标准中
SOIC和MSOP封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包装
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
标准
等级： 4毫伏
SOIC - D
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
YC9_
TOP- SIDE
标记
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
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3
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器， 2 -VPP步骤输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
4
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TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
关闭特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
ICC （ SHDN ）
吨（ON）的
VSD
在关断模式下电源电流
放大器开启时间
在模式
关断引脚电压范围
关断模式
25°C
测试条件
VSD = 0 V
TA
25°C
全系列
25°C
5
为1.5 1.8
00.5
V
民
典型值
0.01
最大
1
1.5
单位
mA
mA
ms
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。 10 PA（典型值）
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV342 。 。 。 D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV341 。 。 。 DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
TLV344 。 。 。 D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
TLV341 。 。 。 DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年，德州仪器
邮政信箱655303
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1
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息（续）
该TLV341 （单机）还提供关断（ SHDN）引脚，可用于禁用设备。在关断模式
模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供中均采用SOT -23和更小的SC- 70封装，
该TLV341适用于大多数空间受限的应用。双TLV342提供的标准中
SOIC和MSOP封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包装
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
标准
等级： 4毫伏
SOIC - D
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
YC9_
TOP- SIDE
标记
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器， 2 -VPP步骤输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
4
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TLV341 ， TLV342 ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568B - 2005年1月 - 修订2005年12月
关闭特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
> 1兆欧（除非另有说明）
参数
ICC （ SHDN ）
吨（ON）的
VSD
在关断模式下电源电流
放大器开启时间
在模式
关断引脚电压范围
关断模式
25°C
测试条件
VSD = 0 V
TA
25°C
全系列
25°C
5
为1.5 1.8
00.5
V
民
典型值
0.01
最大
1
1.5
单位
mA
mA
ms
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2007年，德州仪器
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1
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
2
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
订购信息
TA
MAX VIO
(255C)
包
3000卷
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
40 C 125 C
-40_C到125_C
四
TSSOP - PW
SOT -23 - DBV
单身
SC- 70 - DCK
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
预览
预览
预览
TY342A
Y5_
YCG_
预览
预览
预览
TY342
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
YC9_
TOP- SIDE
记号
§
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
§ DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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3
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
符号（每个放大器）
V+
V+
VI
+
C = 200 pF的
样品
时钟
VO
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除了差分电压和V +为IOS的测定规定的）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V+
TA
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨至轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
VIO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
TA
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
TYP
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
VICR
≤
1.2 V
1.8 V
≤
V+
≤
5 V
CMRR
≥
60分贝
RL = 10 kΩ至1.35 V
RL = 2 kΩ至1.35 V
低层
RL = 2 kΩ至0.9 V
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
AV
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
VO
输出摆幅
（三角洲电源轨）
RL = 10 kΩ至0.9 V
ICC
IOS
SR
GBW
F
m
Gm
Vn
In
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
RL = 10 kΩ的，注6
RL = 100 kΩ的， CL = 200 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
RL = 100 kΩ的， CL = 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫， AV = 1 ，RL = 600
,
VI = 1 VPP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
VO
≤
VCC + - 0.2 V
6.连接作为电压跟随器与1.1 VPP阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
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5
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2007年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
描述/订购信息
该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
2
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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订购信息
T
A
MAX V
IO
(255C)
包
3000卷
SOT-23
SOT 23 - DBV
单身
SC 70 - DCK
SC-70
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
圣D D
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
-40 ° C至125°C
40 C 125°C
四
TSSOP - PW
SOT-23
SOT 23 - DBV
单身
SC 70 - DCK
SC-70
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
TOP- SIDE
记号
§
YC9_
YC9
Y4
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
TY342
预览
预览
预览
YCG_
YCG
Y5
Y5_
TY342A
预览
预览
预览
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在www.ti.com/packaging 。
§
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的晶圆制造/装配现场一个额外的字符。
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3
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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符号（每个放大器）
V
+
V
+
+
V
O
V
I
+
C = 200 pF的
样品
时钟
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除差分电压和V
+
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/
θ
JA
。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
+
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
V
IO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
T
A
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
典型值
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模
共模抑制比
电源电压
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
V
ICR
≤
1.2 V
12
1.8 V
≤
V
+
≤
5 V
18
CMRR
≥
60分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
t 1 35
R
L
= 2 kΩ至1.35 V
1 35
低层
R
L
= 2 kΩ至0.9 V
09
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
A
V
大信号
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
V
O
输出摆幅
（三角洲电源轨）
R
L
= 10 kΩ至0.9 V
09
I
CC
I
OS
SR
GBW
F
m
G
m
V
n
I
n
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
短路
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
R
L
= 10 kΩ的，注6
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 200 pF的
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 20 pF的
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 1, R
L
= 600
,
V
I
= 1 V
PP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
V
O
≤
V
CC+
0.2 V
6.连接作为电压跟随器1.1 -V
PP
步骤输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
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TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
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D
1.8 V和5 V性能
D
低失调（ A级）
D
D
D
D
D
D
D
D
D
- 1.25 mV的最大值（ 255C ）
- 1.7 mV的最大值（ -405C至1255C ）
轨到轨输出摆幅
宽共模输入电压
范围内。 。 。 -0.2 V至（V
+
0.5 V)
输入偏置电流。 。 。 1 PA（典型值）
输入失调电压。 。 。 0.3毫伏（典型值）
低电源电流。 。 。 70
μA /通道
低关断电流。 。 。
10 PA（典型值），每通道
增益带宽。 。 。 2.3 MHz（典型值）
压摆率。 。 。 0.9 V / μs（典型值）
开启时间从关机
. . . 5
s
（典型值）
TLV341
DBV （ SOT- 23）或DCK （ SC- 70 ）封装
（ TOP VIEW ）
D
输入参考电压噪声（在10 kHz ）
D
D
。 。 。纳伏20赫兹//
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
应用
- 无线/移动电话
- 消费类电子产品（笔记本电脑，PDA ）
- 音频前置放大器的声音
- 便携式/电池供电的电子
设备
- 电源电流监控
电池监控
- 缓冲器
过滤器
- 驱动程序
TLV341
DRL （ SOT- 563 ）封装
（ TOP VIEW ）
IN +
GND
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
GND
IN +
IN-
1
2
3
6
5
4
V
+
SHDN
OUT
TLV342
D（ SOIC ）或DGK （ MSOP ）封装
（ TOP VIEW ）
TLV342S
地毯（ QFN ）封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
+
2OUT
2IN
2IN+
1IN
1IN+
GND
NC
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
1IN
1IN+
GND
SHDN
2IN+
1
2
3
4
5
10
9
1OUT
8
NC
7
V
+
6
2OUT
2IN
NC - 无内部连接
TLV344
D（ SOIC ）或PW （ TSSOP）封装
（ TOP VIEW ）
2IN
NC - 无内部连接
1OUT
1IN
1IN+
V
+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
GND
3IN+
3IN
3OUT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
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该TLV341 ， TLV342和TLV344是单路，双路和四路CMOS运算放大器，分别与
低电压，低功耗，轨到轨输出摆幅能力。在PMOS输入级提供了一个超低输入
偏置电流为1 pA （典型值）和0.3毫伏（典型值）的失调电压。对于需要出色的直流精度的应用，
A级（ TLV34xA ）具有1.25毫伏（最大值） ，在25 ℃的低偏移电压。
这些单电源放大器是专为超低电压设计（1.5 V至5 V ）的操作，用
共模输入电压范围内，通常为-0.2 V至0.5伏的范围是从与正电源轨。
其他功能还包括20 -NV /
√
在10 kHz ， 2.3 MHz的单位增益带宽，以及0.9 -V / μs的Hz的电压噪声
摆率。
该TLV341 （单）和TLV342 （双）在地毯包还提供关断（ SHDN ）引脚，可用于
禁用设备。在关断模式下，电源电流降至45 PA（典型值） 。提供同时在SOT- 23
和较小的SC- 70封装， TLV341适用于大多数空间受限的应用。双
TLV342在标准SOIC ， MSOP和QFN封装。
在扩展的工业温度范围从-40 ° C至125°C ，使TLV34x适用于各种
的商业和工业应用。
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T
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MAX V
IO
(255C)
包
3000卷
SOT-23
SOT 23 - DBV
单身
SC 70 - DCK
SC-70
SOT- 563 - DRL
QFN - 地毯
标准
圣D D
等级： 4毫伏
双
SOIC - D
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
-40 ° C至125°C
40 C 125°C
四
TSSOP - PW
SOT-23
SOT 23 - DBV
单身
SC 70 - DCK
SC-70
SOIC - D
A级：
1.25毫伏
双
MSOP / VSSOP - DGK
SOIC - D
四
TSSOP - PW
订购
产品型号
TLV341IDBVR
TLV341IDBVT
TLV341IDCKR
TLV341IDCKT
TLV341IDRLR
TLV342IRUGR
TLV342SIRUGR
TLV342ID
TLV342IDR
TLV342IDGKR
TLV342IDGKT
TLV344ID
TLV344IDR
TLV344IPWR
TLV344IPWR
TLV341AIDBVR
TLV341AIDBVT
TLV341AIDCKR
TLV341AIDCKT
TLV342AID
TLV342AIDR
TLV342AIDGKR
TLV342AIDGKT
TLV344AID
TLV344AIDR
TLV344AIPWR
TLV344AIPWR
TOP- SIDE
记号
§
YC9_
YC9
Y4
Y4_
Y4_
Y6E
2YE
TY342
预览
预览
预览
YCG_
YCG
Y5
Y5_
TY342A
预览
预览
预览
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
4000卷
3000卷
3000卷
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
2500卷
250的卷轴
50管
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符号（每个放大器）
V
+
V
+
+
V
O
V
I
+
C = 200 pF的
样品
时钟
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
+
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±5.5
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至5.5 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ：D封装（ 8引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
，D封装（ 14引脚） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 165 ° C / W
DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 259 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
地毯包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值（除差分电压和V
+
为I的测量指定
OS
）是相对于所述网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/
θ
JA
。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
V
+
T
A
电源电压（单电源供电）
工作自由空气的温度
1.5
40
最大
5.5
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
典型值
2000
200
单位
V
V
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLV341 ， TLV342 ， TLV342S ， TLV344
低电压轨到轨输出CMOS运算放大器
具有关断功能
SLVS568C - 2005年1月 - 修订2007年11月
电气特性，V
+
= 1.8 V ， GND = 0 ，V
IC
= V
O
= V
+
/2, R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有说明）
参数
测试条件
标准级
V
IO
输入失调电压
A级
a
V
平均温度系数
输入偏移电压的
T
A
25°C
全系列
25°C
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
IO
民
典型值
0.3
0.3
0.3
0.3
1.9
1
最大
4
4.5
1.25
1.5
1.7
单位
mV
全系列
25°C
毫伏/°C的
100
375
3000
pA
fA
dB
I
IB
I
IO
CMRR
k
SVR
V
ICR
输入偏置电流
输入失调电流
共模
共模抑制比
电源电压
电源电压抑制比
共模
输入电压范围
0
≤
V
ICR
≤
1.2 V
12
1.8 V
≤
V
+
≤
5 V
18
CMRR
≥
60分贝
R
L
= 10 kΩ至1.35 V
t 1 35
R
L
= 2 kΩ至1.35 V
1 35
低层
R
L
= 2 kΩ至0.9 V
09
高层
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
60
50
75
65
0
70
60
65
55
22
25
14
7
70
6
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
10
12
20
0.9
2.2
55
15
33
0.001
0.015
100
110
95
6.6
85
dB
1.2
V
A
V
大信号
大信号电压增益
（见注5 ）
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
低层
全系列
25°C
高层
全系列
25°C
全系列
dB
50
75
50
75
20
25
20
25
150
200
A
mA
mA
V / ms的
兆赫
°
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
%
mV
V
O
输出摆幅
（三角洲电源轨）
R
L
= 10 kΩ至0.9 V
09
I
CC
I
OS
SR
GBW
F
m
G
m
V
n
I
n
THD
电源电流（每通道）
采购
输出短路电流
短路
压摆率
单位增益带宽
相位裕度
增益裕度
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
总谐波失真
下沉
R
L
= 10 kΩ的，注6
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 200 pF的
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 20 pF的
R
L
= 100 kΩ的，C
L
= 20 pF的
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫，A
V
= 1, R
L
= 600
,
V
I
= 1 V
PP
典型值代表最可能的参数指标。
注： 5 GND + 0.2 V
≤
V
O
≤
V
CC+
0.2 V
6.连接作为电压跟随器1.1 -V
PP
步骤输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
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5
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推荐型号
TN2-L2-5V
TLV2780IP
TSC80C51-16IFB/883
TC1303B-BB2EMF
TSC80C31-36CED/883
TPS79918DDCRG4
TPS71712DCKRG4
TK11222BMCL
TSC80C31-40IGR/883
TLV370x
TL780_07
TF2514VU-131Y7R0-01
TLV2774QPWRQ1
T1K-080080-10-9
TL7705BCDG4
TC74LCX74FN
TMS370C356A
TDF1737DP
TC1271LERC
TM2125HSB2
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厂家
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封装
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操作
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NA
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24+
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SOT-563
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36794
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SOT-563
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