TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3011
TLV3012
6
5
4
V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
www.ti.com
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
www.ti.com
SBOS300B
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
www.ti.com
5
TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3011
TLV3012
6
5
4
V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
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5
TLV3011
TLV3012
SBOS300B - 2004年2月 - 修订2004年6月
纳安级功耗, 1.8V , SOT23
比较器参考电压
特点
q
低静态电流: 5
A(最大值)
q
集成基准电压源: 1.242V
q
输入共模范围:
200mV的超越导轨
q
参考电压初始准确度: 1 %
q
开漏逻辑兼容输出:
TLV3011
q
推挽输出: TLV3012
q
低电源电压: 1.8V至5.5V
q
响应时间快: 6
s传输延迟
具有100mV的过载( TLV3011 ,R
引体向上
= 10k)
q
MicroSIZE封装: SOT23-6和SC70-6
描述
该TLV3011是一款低功耗,漏极开路输出比较器;
的TLV3012是一个推挽输出比较器。这两种功能
未提交的片上电压参考。两者都有5μA
(最大值)的静态电流,输入共模范围为200mV
超越电源轨,并从单电源工作
1.8V至5.5V 。集成1.242V系列电压基准
提供100ppm的低/° C(最大值)漂移,稳定与达至10nF
容性负载,并能提供高达输出0.5毫安(典型值)
电流。
该TLV3011和TLV3012是在微小的SOT23-6可用
封装为空间的保守设计。它也可用于
在SC70封装的更大的电路板面积节省。两
版本为-40°C的温度范围
+125°C.
应用
q
q
q
q
q
电池供电的电平检测
数据采集
系统监控
振荡器
传感器系统:
烟雾探测器,光传感器,报警
TLV3011和TLV3012相关产品
产品
TLV349x
TLV370x
TLV340x
特点
1.2μA , 1.8V至5.5V推挽比较
560nA , 2.5V至16V推挽输出的CMOS比较器
550nA , 2.5V至16V漏极开路比较
OUT
V
IN +
1
2
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TLV3011
TLV3012
6
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V+
REF
IN-
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 2004年,德州仪器
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绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ .................................... + 7V
信号输入端子,电压
(2)
........................... -0.5V至(V + ) + 0.5V
当前
(2)
..................................................
±10mA
输出短路
(3)
..................................................连续............
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 150°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 150°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
ESD额定值(人体模型) ........................................... 2000V .......
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,
该器件在这些或任何其他与功能操作
超出规定的条件是不是暗示。
(2)输入端子的二极管钳位到电源轨。在
把能比0.5V摆动更超出电源信号
轨道应该是电流限制在10mA或更小。
( 3 )短路接地。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
销刀豆网络gurations
顶视图
TLV3011AIDBV
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
TLV3012AIDBV
6
5
4
V+
REF
IN-
SOT23-6
TLV3011AIDCK
ALR
AJX
SC70-6
1
2
3
6
5
4
SOT23-6
TLV3012AIDCK
ALS
ALT
OUT
V
IN +
V+
REF
IN-
OUT
V
IN +
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
SC70-6
注:1脚是由定向的封装标识如图所示确定。
2
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
静态电流与温度
3.8
3.6
静态电流( μA )
静态电流( μA )
静态电流
与输出开关频率
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
S
= 1.8V
TLV3011
R
引体向上
= 1M
V
S
= 3V
V
S
= 5V
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
1
10
100
1k
10k
输出跳变频率(Hz )
静态电流
与输出开关频率
14
TLV3012
12
V
S
= 5V
输入偏置电流与温度
45
40
静态电流( μA )
10
V
S
= 3V
8
6
4
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
输出跳变频率(Hz )
V
S
= 1.8V
输入偏置电流( PA)
35
30
25
20
15
10
5
0
–5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
输出低电平VS输出电流
0.25
0.25
高输出与输出电流
TLV3012
V
DD
= 3V
0.20
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
V
S
– V
OH
(V)
0.20
V
DD
= 1.8V
0.15
V
OL
(V)
0.15
V
S
= 5V
0.10
0.10
V
DD
= 5V
0.05
0.05
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
0
0
2
4
6
8
10
12
输出电流(mA )
4
TLV3011 , TLV3012
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SBOS300B
典型特征
(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
= + 1.8V至+ 5.5V ,R
引体向上
= 10kΩ的,和输入过驱动= 100mV的,除非另有说明。
80
70
60
t
PLH
(s)
传播延迟(T
PLH
)对容性负载
TLV3012
80
70
60
50
传播延迟(T
PHL
)对容性负载
V
S
= 5V
40
V
S
= 3V
30
20
10
0
0.01
V
S
= 1.8V
t
PHL
(s)
50
V
S
= 3V
40
30
20
10
0
0.01
V
S
= 5V
V
S
= 1.8V
0.1
1
10
100
1k
0.1
1
10
100
1k
容性负载( NF)
容性负载( NF)
20
18
16
14
t
PLH
(s)
12
10
8
6
4
0
传播延迟(T
PLH
) VS输入OVERDRIVE
20
18
16
传播延迟(T
PHL
) VS输入OVERDRIVE
V
S
= 5V
t
PHL
(s)
14
12
V
S
= 1.8V
10
8
6
4
V
S
= 5V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
S
= 3V
V
S
= 3V
V
S
= 1.8V
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入过驱(MV )
输入过驱(MV )
8.0
7.5
7.0
传播延迟(T
PLH
)与温度
8.0
7.5
V
S
= 1.8V
传播延迟(T
PHL
)与温度
7.0
6.5
t
PHL
(s)
V
S
= 1.8V
V
S
= 3V
6.5
t
PLH
(s)
V
S
= 3V
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
V
S
= 5V
6.0
5.5
V
S
= 5V
5.0
4.5
4.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
温度(℃)
TLV3011 , TLV3012
SBOS300B
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