TLV2442 -Q1 ， TLV2442A -Q1
,
TLV2444A-Q1
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SGLS181C - 2003年9月 - 修订2009年8月
高级LinCMOS 轨到轨输出，宽输入电压
运算放大器
1
特点
低噪音： 16纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入失调电压：
950
V
马克斯在T
A
= 25 ° C（ TLV244xA ）
低输入偏置电流： 1 PA（典型值）
600 Ω输出驱动
高增益带宽： 1.8 MHz（典型值）
低电源电流： 750
A
每通道（典型值）
包括宏
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
3
V
DD
= 3 V
VOH - 高电平输出电压 - V
2.5
通过汽车应用认证
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）
输出摆幅包括两个电源轨
扩展共模输入电压范围：
0 V至4.25 V（最小值）的5 V单电源供电
无相转化
23
描述
该TLV244x和TLV244xA是低电压
运算放大器德州仪器（TI） 。该
这些器件的共模输入电压范围
一直延续了典型的标准CMOS
放大器，使得它们适用于范围广泛的
应用程序。此外，这些设备不相
当共模输入被驱动为反转
电源轨。这满足大多数设计要求
无需支付溢价的轨到轨输入
性能。他们还表现出轨到轨输出
在单增加动态范围性能
或分离电源应用。这家完全
特点3 - V和5 V电源供电，
用于低电压操作进行了优化。这两款器件
同时提供具有较低媲美的AC性能
噪声，输入失调电压和功耗比
现有的CMOS运算放大器。该TLV244x
拥有超过以前的轨到轨输出增加驱动器
运算放大器可驱动600 Ω负载的
电信应用。
2
T
A
= 40°C
1.5
1
T
A
= 125°C
0.5
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
I
OH
- 高电平输出电流 - 毫安
在TLV244x家族的其他成员是
低功耗， TLV243x和微功率， TLV2422 ，
图1 。
的版本。
该TLV244x ，表现出高输入阻抗和低噪声，是极好的用于小信号调理
高阻抗源，例如压电换能器。因为微耗散水平和
低电压操作，这些器件中的手持式监测和遥感应用中表现良好。在
此外，与单或分割用品轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择，当
与模拟 - 数字转换器（ADC ）的接口。对于高精度应用， TLV244xA可以用
950最大输入失调电压
V.
如果设计需要一个运算放大器，请参阅TI的TLV2211 / 21/ 31这是一个家庭的轨至轨输出的
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗使其非常适合
高密度电池供电设备。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PSpice的，部分是是MicroSim的商标。
版权所有2003-2009 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
(1)
T
A
V
IO
最大
在25℃下
950
V
-40_C到125_C
双
包
(2)
SOIC - D
TSSOP - PW
MSOP - DGK
2.5毫伏
950
V
(1)
(2)
双
四
SOIC - D
TSSOP - PW
TSSOP - PW
2500卷
2000年卷
2500卷
2500卷
2000年卷
2000年卷
订购零件
数
TLV2442AQDRQ1
TLV2442AQPWRQ1
TLV2442QDGKRQ1
TLV2442QDRQ1
TLV2442QPWRQ1
TLV2444AQPWRQ1
顶部端标记
2442AQ
2442AQ
OBR
2442Q1
2442Q1
2444AQ
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
TLV2442
D， DGK ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
TLV2444
PW包
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN+
V
DD -
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN-
2IN+
1OUT
1IN-
1IN+
V
DD
+
2IN+
2IN-
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN-
4IN+
V
DD-
/ GND
3IN+
3IN-
3OUT
2
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等效电路图（每个放大器）
部件
算
69
5
26
6
V
DD-
/ GND
VB4
晶体管
二极管
电阻器
电容器
V
DD+
OUT
R7
Q20
Q36
Q37
C2
VB2
Q34
Q35
C3
Q21
Q18
R5
VB3
R10
Q16
R6
Q32
Q31
Q33
Q15
Q29
Q30
Q13
D1
C1
Q14
Q17
Q19
R8
Q12
R1
R2
VB4
Q10
Q26
Q27
R4
Q8
Q9
Q24
Q25
Q6
Q7
VB3
R3
Q11
R9
Q22
Q23
Q3
Q1
Q4
VB1
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VB2
IN +
IN-
Q2
Q5
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
V
DD
V
ID
V
I
I
I
I
O
电源电压
(2)
差分输入电压
输入电流（任何输入）
输出电流
总电流为V
DD+
总电流输出的V
DD–
短路电流（或低于） 25℃下的持续时间
(4)
连续总功耗
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
(3)
12 V
±V
DD
0.3 V到V
DD
± 5毫安
-50毫安
-50毫安
-50毫安
无限
见耗散额定值表
-40_C到125_C
-65_C到150_C
260°C
输入电压（任意输入）
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分电压，是相对于与V之间的中点
DD+
和V
DD–
.
差分电压为IN +相对于IN- 。过大的电流会流，如果输入被带到低于V
DD–
– 0.3 V.
该输出可以被短路至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大的耗散
等级不超过。
耗散额定值
包
D（ 8针）
DGK （ 8针）
PW （ 8针）
PW （ 14引脚）
T
A
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
606毫瓦
525毫瓦
720毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.8毫瓦/°C的
4.847毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
464毫瓦
388毫瓦
336毫瓦
634毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
377毫瓦
315毫瓦
273毫瓦
547毫瓦
T
A
= 125°C
额定功率
145毫瓦
121毫瓦
105毫瓦
317毫瓦
推荐工作条件
民
V
DD
V
I
V
IC
T
A
电源电压
输入电压
共模输入电压
工作自由空气的温度
2.7
V
DD–
V
DD–
–40
最大
10
V
DD+
– 1
V
DD+
– 1
125
单位
V
V
V
°C
4
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电气特性
V
DD
= 3V时，在指定的自由空气的温度（除非另有说明）
参数
测试条件
TLV244x
V
IO
输入失调电压
V
IC
= 1.5 V, V
O
= 1.5 V,
R
S
= 50
TLV244xA
α
VIO
温度COEF网络cient
输入失调电压
输入失调电压
长期漂移
(2)
I
IO
I
IB
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入
电压范围
V
IC
= 1.5 V, V
O
= 1.5 V ，R
S
= 50
V
IC
= 1.5 V, V
O
= 1.5 V ，R
S
= 50
V
IC
= 1.5 V, V
O
= 1.5 V ，R
S
= 50
V
IC
= 1.5 V, V
O
= 1.5 V ，R
S
= 50
T
A (1)
25°C
全系列
25°C
全系列
25 ° C至85°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
I
O
= –100
A
V
OH
高电平输出电压
I
O
= -3毫安
I
O
= 100
A
V
OL
低电平输出电压
V
IC
= 1.5 V
I
O
= 3毫安
R
L
= 600
R
L
= 1 M
r
id
r
i
c
i
z
o
CMRR
k
SVR
I
DD
(1)
(2)
差分输入电阻
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模抑制
比
电源电压抑制
率（ ΔV
DD±
/ΔV
IO
)
电源电流
（每通道）
F = 10千赫
F = 1 MHz时，A
V
= 10
V
IC
= V
ICR
分钟，V
O
= V
DD
/2, R
S
= 50
V
DD
= 2.7 V至8 V ，V
IC
= V
DD
/ 2 ，空载
V
O
= 1.5 V，无负载
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
65
50
80
80
725
1100
1100
95
0.7
0.4
750
1000
1000
8
130
75
G
G
pF
dB
dB
A
1
V / MV
2.25
0.02
0.63
1
V
0至-0.25
2.25
2.5
0.2-2
2.98
2.5
V
1
260
2
0.002
0.5
150
300
民
典型值
300
最大
2000
2500
950
1600
μV/°C
μV /月
pA
pA
V
单位
V
ICR
|V
IO
|
≤
8毫伏，R
S
= 50
V
A
VD
大信号差
电压放大
V
O
= 1 V 2 V
全范围为-40° C至125°C 。
典型值是基于通过168小时的工作寿命测试在T中观察到的输入偏移电压漂移
A
= 150 ℃，外推到
T
A
=使用Arrhenius方程，并假设为0.96电子伏特的激活能25 ℃。
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