TLV2432 -Q1 ， TLV2432A -Q1 ， TLV2434 -Q1 ， TLV2434A -Q1

高级LinCMOS 轨到轨输出

宽输入电压运算放大器

SGLS182B

2003年9月

经修订的2010年11月

D

通过汽车应用认证

D

ESD保护超过2000伏每

D

D

D

MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V

使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）

输出摆幅包括两个电源轨

扩展共模输入电压

范围内。 。 。 0 V至4.5 V （分钟）的5 V单

供应

无相转化

D

低噪声。 。 。 18纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

D

低输入偏移电压

D

D

D

D

950

μV

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV243xA ）

低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值

极低的电源电流。 。 。 125

μA

每

通道最大

600 Ω输出驱动

包括宏

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

5

VOH

VOH

高电平输出电压

V

V

DD

= 5 V

4

描述

该TLV243x和TLV243xA是低电压

运算放大器德州仪器（TI） 。该

共模输入电压范围内的每个

装置延伸超过典型的CMOS

放大器使得它们适用于各种

的应用程序。此外，这些设备不

当共模输入是相位反转

驱动电源轨。这满足最

无需支付溢价的设计要求

为轨到轨输入性能。它们也显示出

轨到轨输出性能提高

在单或分离电源应用的动态范围

系统蒸发散。该系列产品的特点完全在3 V和

5 V电源，专为低电压优化

操作。该TLV243x只需要100

μA

每个通道的电源电流（典型值） ，使之成为理想的

对于电池供电的应用。该TLV243x

也有比以前增加了输出驱动器

轨至轨运算放大器可驱动

600 Ω负载的电信应用。

3

T

A

= 125°C

2

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

=40°C

在TLV243x家族的其他成员是高功率， TLV244x和微功率， TLV2422 ，版本。

该TLV243x ，表现出高输入阻抗和低噪声，是极好的用于小信号调理

高阻抗源，例如压电换能器。因为微耗散水平和

低电压操作，这些器件中的手持式监测和遥感应用中表现良好。在

此外，与单或分割用品轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择，当

与模拟 - 数字转换器（ADC ）的接口。对于高精度应用， TLV243xA可与

具有950的最大输入偏置电压

μV.

如果设计需要一个运算放大器，请参阅TI的TLV2211 / 21/ 31这是一个家庭的轨至轨输出的

运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗，使他们的理想

为高密度，电池供电的设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

0

0

4

8

12

16

I

OH

高电平输出电流

mA

20

图1

版权

2008年德州仪器

1

SGLS182B

2003年9月

经修订的2010年11月

TLV2432 -Q1 ， TLV2432A -Q1 ， TLV2434 -Q1 ， TLV2434A -Q1

高级LinCMOS 轨到轨输出

宽输入电压运算放大器

订购信息

T

A

V

IO

最大

在25℃下

950

μV

V

40°C

至125℃

40°C

2 5毫伏

2.5

950

μV

V

40°C

至125℃

40°C

2.5

2 5毫伏

包

}

SOIC （ D）

TSSOP （ PW ）

SOIC （ D）

TSSOP （ PW ）

SOIC （ D）

TSSOP （ PW ）

SOIC （ D）

TSSOP （ PW ）

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

磁带和卷轴

订购

产品型号

TLV2432AQDRQ1

TLV2432AQPWRQ1

§

TLV2432QDRQ1

TLV2432QPWRQ1

§

TLV2434AQDRQ1

TLV2434AQPWRQ1

§

TLV2434QDRQ1

§

TLV2434QPWRQ1

§

TOP- SIDE

记号

2432AQ

2432Q1

2434AQ

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，

或者看到TI网站http://www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在http://www.ti.com/packaging 。

§

产品预览。

TLV2432

包

（ TOP VIEW ）

TLV2432

PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2434

D组或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN

2IN +

1OUT

1IN

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN

2IN +

1OUT

1IN

1IN+

V

DD

+

2IN+

2IN

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN

4IN+

V

DD

/ GND

3IN+

3IN

3OUT

2

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达拉斯，德克萨斯州75265

等效电路图（每个放大器）

Q22

Q29

Q31

VB3

Q34

Q36

Q26

Q24

VB1

Q25

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

Q32

VB2

V

DD+

Q27

Q33

Q35

VB4

部件

算

Q23

R9

Q30

D1

R10

Q37

晶体管

二极管

电阻器

电容器

69

5

26

6

TLV2432 -Q1 ， TLV2432A -Q1 ， TLV2434 -Q1 ， TLV2434A -Q1

高级LinCMOS 轨到轨输出

宽输入电压运算放大器

Q3

IN-

Q6

R3

R4

Q8

Q10

Q13

Q15

Q18

R7

Q1

Q4

SGLS182B

2003年9月

经修订的2010年11月

IN +

Q7

Q9

Q11

R5

C1

Q16

R6

C3

C2

Q20

V

DD

/ GND

OUT

VB3

VB2

Q2

Q5

Q14

Q21

Q17

Q19

R8

Q12

R1

R2

VB4

3

SGLS182B

2003年9月

经修订的2010年11月

TLV2432 -Q1 ， TLV2432A -Q1 ， TLV2434 -Q1 ， TLV2434A -Q1

高级LinCMOS 轨到轨输出

宽输入电压运算放大器

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

V

DD

输入电流I

I

（每一个输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于） 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限

连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

：Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

40°C

至125℃

存储温度范围，T

英镑

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

65°C

至150℃

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于V之间的中点

DD+

和V

DD

.

2.差分电压为IN +相对于

.

过大的电流流过，如果输入被带到低于V

DD

0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D (8)

D (14)

PW （ 8 ）

PW （ 14 ）

T

A

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

1022毫瓦

525毫瓦

720毫瓦

降额因子

上述牛逼

A

= 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

T

A

= 70°C

70 C

额定功率

464毫瓦

900毫瓦

336毫瓦

634毫瓦

T

A

= 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

777毫瓦

273毫瓦

547毫瓦

T

A

= 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

450毫瓦

105毫瓦

317毫瓦

推荐工作条件

民

电源电压，V

DD

输入电压范围，V

I

共模输入电压V

IC

经营自由的空气温度，T

A

2.7

V

DD

V

DD

40

最大

10

V

DD +

0.8

V

DD +

0.8

125

单位

V

V

V

°C

4

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达拉斯，德克萨斯州75265

TLV2432 -Q1 ， TLV2432A -Q1 ， TLV2434 -Q1 ， TLV2434A -Q1

高级LinCMOS 轨到轨输出

宽输入电压运算放大器

SGLS182B

2003年9月

经修订的2010年11月

在指定的自由空气的温度，V电气特性

DD

= 3V（除非另有说明）

参数

测试条件

V

IC

= 0,

0

V

O

= 0,

V

DD

±

=

±

1.5 V,

R

S

= 50

Ω

TLV243x

TLV243xA

T

A

25°C

全系列

25°C

全系列

25 C

25°C

至70℃

25°C

V

IC

= 0,

0

V

O

= 0,

V

DD

±

=

±

1.5 V

1 5 V,

R

S

= 50

Ω

25°C

全系列

25°C

全系列

25°C

V

ICR

共模

共模输入电压范围

|V

IO

|

≤

5毫伏

毫伏，

R

S

= 50

Ω

全系列

I

OH

=

100

μA

V

OH

高层

高电平输出电压

I

OH

=

3毫安

V

IC

= 1.5 V,

V

OL

低层

低电平输出电压

V

IC

= 1 5 V

1.5 V,

V

IC

= 2.5 V,

V

O

= 1 V 2 V

I

OL

= 100

μA

I

OL

= 3

mA

R

L

= 2 kΩ

R

L

= 1 MΩ

25°C

25°C

全系列

25°C

25°C

全系列

25°C

全系列

25°C

25°C

25°C

F = 10千赫

F = 100千赫

A

V

= 10

V

IC

= V

ICR

分钟，V

O

= 1.5 V,

R

S

= 50

Ω

V

DD

= 2.7 V至8 V ，

V

IC

= V

DD

/2,

空载

V

O

= 1 5 V

1.5 V,

空载

25°C

25°C

25°C

全系列

25°C

全系列

25°C

全系列

70

70

80

80

195

250

260

95

1.5

0.5

750

1000

1000

8

130

83

GΩ

GΩ

pF

Ω

dB

dB

μA

2.5

V / MV

2.25

0.02

0.83

1

V

0

to

2.5

0

to

2.2

2.98

2.5

V

0.25

to

2.75

1

300

2

0.003

0.5

150

300

TLV243x-Q1

民

典型值

300

最大

2000

2500

950

2000

μV/°C

V /°C的

μV /月

pA

pA

μV

V

单位

V

IO

输入失调电压

α

VIO

输入偏移电压的温度系数

输入偏移电压长期漂移

（见注4 ）

I

IO

I

IB

输入失调电流

输入偏置电流

V

A

VD

r

我（D ）

r

I（C ）

c

I（C ）

z

o

CMRR

k

SVR

I

DD

大信号

大信号的差分电压放大

差分输入电阻

共模输入电阻

共模输入电容

闭环输出阻抗

共模

共模抑制比

电源电压

电源电压抑制比（ ΔV

DD

/ΔV

IO

)

电源电流

全范围

40 ° C至125°C的Q级部分。

引用到2.5伏

注4 ：典型值是基于通过500小时的工作寿命测试在T中观察到的输入偏移电压漂移

A

= 150℃外推

给T

A

=使用Arrhenius方程，并假设为0.96电子伏特的激活能25 ℃。

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5