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TLV2422 , TLV2422A , TLV2422Y
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压微功耗双运算放大器
SLOS199B - 1997年9月 - 修订1999年9月
输出摆幅包括两个电源轨
扩展共模输入电压
范围内。 。 。 0 V至4.5 V (分钟)的5 V单
供应
无相转化
低噪声。 。 。 18纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏移电压
950
V
马克斯在T
A
= 25 ° C( TLV2422A )
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
微操作。 。 。 50
A
通道
600 Ω输出驱动
可在Q-临时汽车
HighRel汽车领域的应用
配置控制/打印支持
资质汽车标准
描述
该TLV2422和TLV2422A是双低电压
运算放大器德州仪器(TI) 。
的共模输入电压范围这
设备已扩展过的典型的CMOS
放大器使得它们适用于各种
的应用程序。此外,该设备不
当共模输入是相位反转
驱动电源轨。这满足最
无需支付溢价的设计要求
为轨到轨输入性能。它们也显示出
轨到轨输出性能提高
在单或分离电源的动态范围
应用程序。该系列产品的特点完全在
3 -V和5 V电源供电,并优化
低电压操作。该TLV2422只需要
50
A
每个通道的供电电流,从而使其
非常适合电池供电的应用。该
TLV2422也超过了产量增加的驱动器
以前的轨至轨运算放大器和能
驱动600 Ω负载的电信应用。
在TLV2422家族的其他成员是
大功率, TLV2442和低功耗, TLV2432 ,
的版本。
高电平输出电压
vs
高电平输出电流
5
VDD = 5 V
VOH - 高电平输出电压 - V
4
TA = -40°C
TA = 25°C
3
2
TA = 85°C
1
TA = 125°C
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
IOH - 高电平输出电流 - 毫安
图1
的TLV2422 ,呈现高输入阻抗和低噪声,非常适合用于小信号调节
高阻抗源,例如压电换能器。因为微耗散水平和
低电压操作,这些器件中的手持式监测和遥感应用中表现良好。在
此外,与单或分割用品轨到轨输出特性使得这个家庭一个伟大的选择,当
与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口。对于高精度应用, TLV2422A可与
950的最大输入偏置电压
V.
如果设计需要一个运算放大器,请参阅TI的TLV2211 / 21/ 31这是一个家庭的轨至轨输出的
运算放大器在SOT- 23封装。其小尺寸和低功耗,使他们的理想
为高密度,电池供电的设备。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 , B类,所有的参数都
测试,除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2422 , TLV2422A , TLV2422Y
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压微功耗双运算放大器
SLOS199B - 1997年9月 - 修订1999年9月
可选项
包装设备
TA
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 40 ° C至125°C
- 55 ° C至125°C
VIOMAX
在25℃下
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2.5毫伏
950
V
2毫伏
概要
(D)
TLV2422CD
TLV2422AID
TLV2422ID
TLV2422AQD
TLV2422QD
芯片载体
( FK )
TLV2422AMFK
TLV2422MFK
陶瓷DIP
( JG )
TLV2422AMJG
TLV2422MJG
TSSOP
( PW )
TLV2422CPWLE
TLV2422AIPWLE
陶瓷的
扁平封装
(U)
TLV2422AMU
TLV2422MU
TLV2422Y
芯片形式
(Y)
对D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLV2422CDR ) 。该PW包仅左端录音
而举步为艰。芯片在25 ℃条件下测定。
D组或JG包装
( TOP VIEW )
PW包
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN–
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
ü套餐
( TOP VIEW )
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD
+
2OUT
2IN -
2IN +
NC
VDD- / GND
NC - 无内部连接
NC
2IN+
NC
2
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等效电路图(每个放大器)
Q22
Q29
Q31
VB3
Q34
Q36
Q26
TLV2422 , TLV2422A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压微功耗双运算放大器
Q24
VB1
Q25
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Q32
VB2
VDD +
Q27
Q33
Q35
VB4
部件
Q23
R9
Q30
Q37
D1
R10
晶体管
二极管
电阻器
电容器
69
5
26
6
Q3
R3
R4
Q13
Q15
Q18
R7
Q10
IN-
Q1
Q4
Q6
Q8
SLOS199B - 1997年9月 - 修订1999年9月
IN +
Q7
Q9
C1
VB3
VB2
Q2
Q5
Q14
Q11
Q16
R6
C3
R5
C2
Q20
VDD- / GND
OUT
Q21
Q17
Q12
R1
R2
Q19
R8
VB4
3
TLV2422 , TLV2422A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压微功耗双运算放大器
SLOS199B - SEPTEMBER1997 - 修订1999年9月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压V
I
(任何输入,见注1 ) : C和I后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
Q后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD +和VDD之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。如果输入被带到低于VDD过大的电流流过 - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D
FK
JG
PW
U
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
525毫瓦
675毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8 4毫瓦/°C的
8.4
4.2毫瓦/ C
毫瓦/°C的
5.4毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
336毫瓦
432毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
273毫瓦
350毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
105毫瓦
135毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
±
输入电压范围, VI
共模输入电压,
维克
工作自由空气的温度,
TA
2.7
VDD }
VDD }
0
最大
10
VDD + - 0.8
VDD + - 0.8
70
我的后缀
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
10
VDD + - 0.8
VDD + - 0.8
85
Q后缀
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
10
VDD + - 0.8
VDD + - 0.8
125
M后缀
2.7
VDD }
VDD }
– 55
最大
10
VDD + - 0.8
VDD + - 0.8
125
单位
V
V
V
°C
4
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TLV2422 , TLV2422A
高级LinCMOS 轨到轨输出
宽输入电压微功耗双运算放大器
SLOS199B - SEPTEMBER1997 - 修订1999年9月
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 3V(除非另有说明)
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
输入偏移电压的温度系数
输入失调电压长期漂移(见注4 )
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VIC = 0,
0,
VO = 0
VDD
±
=
±
2.5 V,
RS = 50
测试条件
TA
25°C
全系列
25°C
至70℃
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
VICR
共模
共模输入电压范围
|比奥|
5毫伏
毫伏,
RS = 50
全系列
IOH = - 100
A
VOH
高电平输出电压
IOH = - 500
A
VIC = 0,
VOL
低电平输出电压
VIC = 0
0,
IOL = 100
A
IOL = 250
A
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
F = 10千赫
F = 100千赫
AV = 10
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
70
70
80
80
100
150
175
95
6
3
700
1012
1012
8
130
83
pF
dB
dB
A
10
V / MV
2.5
0.05
0.2
0.5
V
0
to
2.5
0
to
2.2
2.97
2.75
V
–0.25
to
2.75
1
150
2
0.003
0.5
150
TLV2422C
典型值
300
最大
2000
2500
单位
V
μV/°C
μV /月
pA
pA
V
AVD
RI (四)
RI (三)
CI ( C)
zo
CMRR
kSVR
国际直拨电话
大信号的差分电压放大
g
g
g
RL = 10 kΩ的
VIC = 2.5 V ,
25V
VO = 1 V 2 V
RL = 1 MΩ
差分输入电阻
共模输入电阻
共模输入电容
闭环输出阻抗
共模
共模抑制比
电源电压
电源电压抑制比( ΔVDD / ΔVIO )
电源电流
VIC = 0 2.5 V, VO = 1.5 V,
,
,
RS = 50
VDD = 2.7 V至8 V ,
,
VIC = VDD / 2 ,
空载
VO = 1 5 V
1.5 V,
空载
全范围为0 ℃ 70℃ 。
参考2.5 V
注4 :典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程,并假设为0.96电子伏特的激活能,TA = 25 ℃。
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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