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TLV2361 , TLV2361Y , TLV2362 , TLV2362Y
高性能低电压运算放大器
SLOS195B - 1997年2月 - 修订1998年10月
D
D
D
D
D
D
低电源电压
操作。 。 。 V
CC
=
±1
V分钟
宽的带宽。 。 。 7 MHz的典型值在
V
CC
±
=
±2.5
V
高转换率。 。 。 3 V /μs的典型值在
V
CC
±
=
±2.5
V
宽输出电压摆幅。 。 。
±2.4
V典型值
在V
CC
±
=
±2.5
V ,R
L
= 10 k
低噪声。 。 。 8内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
封装选项包括SOT -23 ( DBV )
封装为TLV2361和塑料
小外形封装( D) ,超薄紧缩
小外形( PW )和双列直插式( P)
包的TLV2362
TLV2361 。 。 。 DBV包装
( TOP VIEW )
IN +
V
CC
IN-
1
2
3
5
V
CC
+
4
OUT
TLV2362 。 。 。 D, P或PW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN–
1IN+
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
+
2OUT
2IN–
2IN+
描述
该TLV236x设备使用的是原始德州内置高性能的双运算放大器
仪器双极型工艺。这些设备可以在非常低的电源电压( ± 1V)进行操作,而
保持宽输出摆幅。该TLV236x设备提供信号的显着改善动态范围
空调在低电压系统。该TLV236x器件还提供了性能高于其他
通用的运算放大器相结合,高的单位增益带宽,更快的压摆率。同
它们的低失真和低噪声性能,这些设备是非常适合用于音频应用。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70 ℃,并在I-后缀设备的特点
从-40 ° C到85°C操作。
TLV2361可选项
包装设备
TA
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
SOT-23
( DBV )
TLV2361CDBV
TLV2361IDBV
符号
VAAC
VAAI
芯片
形成的?
(Y)
TLV2361Y
的DBV包仅提供卷带封装。
芯片形式仅在25 ° C温度范围。
TLV2362可选项
TA
-20 ° C至85°C
包装设备
小尺寸
塑料DIP
(D)
(P)
TLV2362ID
TLV2362IP
TSSOP
( PW )
TLV2362IPWR
芯片
形成的?
(Y)
TLV2362Y
芯片形式仅在25 ° C温度范围。
§为D套餐可供录音和缠绕。添加一个R键包的后缀(如TLV2362IDR ) 。
的PW封装可供左键结束录音,只有举步为艰, (例如, TLV2362IPWR ) 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2361 , TLV2361Y , TLV2362 , TLV2362Y
高性能低电压运算放大器
SLOS195B - 1997年2月 - 修订1998年10月
等效电路图(每个放大器)
VCC +
IN +
IN-
OUT
VCC-
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
JFET
TLV2361
30
6
1
2
1
TLV2362
46
11
1
4
1
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLV2361 , TLV2361Y , TLV2362 , TLV2362Y
高性能低电压运算放大器
SLOS195B - 1997年2月 - 修订1998年10月
TLV2361Y芯片信息
这种芯片中,当正确地组装时,也有类似的TLV2361特性。热压缩或
超声波接合可用于掺杂的铝接合焊盘。该芯片可安装
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
合焊盘分配
(8)
(3)
(7)
(4)
VCC +
(5)
(1)
IN +
(3)
39
IN-
(2)
(2)
(6)
+
(2)
VCC-
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJ ( MAX)= 150℃
公差
±10%.
所有尺寸都以密耳。
销(2 )在内部连接到芯片的背面。
(4)
OUT
(1)
(1)
(3)
(4)
(5)
(5)
39
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
TLV2361 , TLV2361Y , TLV2362 , TLV2362Y
高性能低电压运算放大器
SLOS195B - 1997年2月 - 修订1998年10月
TLV2362Y芯片信息
这种芯片中,当正确地组装时,也有类似的TLV2362特性。热压缩或
超声波接合可用于掺杂的铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
合焊盘分配
(8)
(7)
(3)
1IN+
(2)
1IN–
(7)
2OUT
39
(2)
(6)
VCC-
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJ ( MAX)= 150℃
公差
±10%.
所有尺寸都以密耳。
销( 4 )内部连接到芯片的背面。
(4)
+
+
(6)
2IN–
(1)
1OUT
(5)
2IN+
VCC +
(8)
(1)
(3)
(4)
(5)
39
4
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLV2361 , TLV2361Y , TLV2362 , TLV2362Y
高性能低电压运算放大器
SLOS195B - 1997年2月 - 修订1998年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC
+ (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 V
电源电压,V
CC
- (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.5 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±3.5
V
输入电压V
I
(任何输入) (见注1和3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
±
输出电压V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±3.5
V
输出电流,I
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ℃(输出短接至GND ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 197 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 347 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 104 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 243 ° C / W
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC-之间的中点。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.所有的输入电压值不能超过VCC 。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 ,除了通孔封装,其使用痕迹
长度为零。
推荐工作条件
后缀
电源电压VCC
经营自由的空气温度, TA
±1
0
最大
±2.5
70
我的后缀
±1
–40
最大
±2.5
85
单位
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
TLV2361 , TLV2362
高性能,低电压运算放大器
SLOS195G - 1997年2月 - 修订2003年11月
D
低电源电压
D
D
D
D
操作。 。 。 V
CC
=
±1
V分钟
宽的带宽。 。 。 7 MHz的典型值在
V
CC
±
=
±2.5
V
高转换率。 。 。 3 V /μs的典型值在
V
CC
±
=
±2.5
V
宽输出电压摆幅。 。 。
±2.4
V典型值
在V
CC
±
=
±2.5
V ,R
L
= 10 k
低噪声。 。 。 8内华达州/ √Hz的典型值在f = 1千赫
TLV2361 。 。 。 DBV包装
( TOP VIEW )
IN +
V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
OUT
TLV2362 。 。 。 D, DGK ,P , PS ,或PW包装
( TOP VIEW )
描述/订购信息
该TLV236x器件是高性能的双
4
5
运算放大器使用原来的建
德州仪器双极型工艺。这些
设备可以在非常低的电压下工作
电压( ± 1V) ,同时保持一个宽输出摆幅。该TLV236x设备提供了显着改善
在低电压系统的信号调理的动态范围。该TLV236x器件还提供高
性能比其它通用的运算放大器相结合,高单位增益带宽和
更快的压摆率。与它们的低失真和低噪声性能,这些设备是非常适合于音频
应用程序。
订购信息
TA
= 0℃至70 ℃的
包装
3000卷
SOT- 23-5 ( DBV )
SOT- 23-5 ( DBV )
MSOP / VSSOP ( DGK )
PDIP ( P)
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
SOIC ( D)
SOP (PS)的
TSSOP ( PW )
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
2500卷
50管
75管
2500卷
2000年卷
150管
2000年卷
订购
产品型号
TLV2361CDBVR
TLV2361CDBVT
TLV2361IDBVR
TLV2361IDBVT
TLV2362IDGKR
TLV2362IP
TLV2362ID
TLV2362IDR
TLV2362IPSR
TLV2362IPW
TLV2362IPWR
TY2362
2362I
TY2362
VAAI
YBS
TLV2362IP
VAAC
TOP- SIDE
记号
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
8
7
6
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2361 , TLV2362
高性能,低电压运算放大器
SLOS195G - 1997年2月 - 修订2003年11月
等效电路图(每个放大器)
VCC +
IN +
IN-
OUT
VCC-
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
JFET
TLV2361
30
6
1
2
1
TLV2362
46
11
1
4
1
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLV2361 , TLV2362
高性能,低电压运算放大器
SLOS195G - 1997年2月 - 修订2003年11月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC+
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 V
电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.5 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±3.5
V
输入电压V
I
(任何输入) (见注1和3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
±
输出电压V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±3.5
V
输出电流,I
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ℃(输出短接至GND ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注4和5 ) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85°C / W
PS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 149 ° C / W
经营虚拟结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC-之间的中点。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.所有的输入电压值不能超过VCC 。
4.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) /
θ
JA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
5.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
VCC
TA
电源电压
工作自由空气的温度
TLV2361C
TLV2361I , TLV2362I
±1
0
40
最大
±2.5
70
85
单位
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
3
TLV2361 , TLV2362
高性能,低电压运算放大器
SLOS195G - 1997年2月 - 修订2003年11月
TLV2361和TLV2362电气特性,V
CC
±
=
±1.5
V(除非另有说明)
参数
VIO
IIO
IIB
维克
VOM +
VOM-
ICC
AVD
CMRR
kSVR
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入
电压
最大正峰值
输出电压
最大负峰值
输出电压
电源电流
(每个放大器)
大信号差
电压放大
共模抑制
电源电压抑制
VO = 0,
VO = 0,
VO = 0,
|比奥|
7.5毫伏
RL = 10 kΩ的
RL
10 k
RL = 10 kΩ的
RL
10 k
VO = 0,
VO =
±1
V,
VIC =
±0.5
V
VCC
±
=
±1.5
V到
±2.5
V
空载
TLV2361
RL = 10 kΩ的
TLV2362
25°C
25°C
25°C
测试条件
VIC = 0
VIC = 0
VIC = 0
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
60
80
55
75
80
dB
dB
dB
±0.5
±0.5
1.2
1.2
1.2
1.2
1.4
2.25
2.75
1.4
V
mA
mA
1.4
V
20
5
典型值
1
最大
6
7.5
100
150
150
250
nA
V
nA
mV
单位
TLV2361和TLV2362经营特色,V
CC
±
=
±1.5
V,T
A
= 25°C
参数
SR
B1
Vn
压摆率
单位增益带宽
等效输入噪声电压
AV = 1,
AV = 40,
卢比= 100
,
测试条件
VI =
±0.5
V
RL = 10 kΩ的,
RF = 10 kΩ的,
CL = 100 pF的
F = 1千赫
典型值
2.5
6
9
单位
V / μs的
兆赫
纳伏/赫兹÷
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TLV2361 , TLV2362
高性能,低电压运算放大器
SLOS195G - 1997年2月 - 修订2003年11月
TLV2361和TLV2362电气特性,V
CC
±
=
±2.5
V(除非另有说明)
参数
VIO
IIO
IIB
维克
VOM +
VOM-
ICC
AVD
CMRR
kSVR
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
共模输入
电压
最大正峰值
输出电压
最大负峰值
输出电压
电源电流
(每个放大器)
大信号差
电压放大
共模抑制
电源电压抑制
VO = 0,
VO = 0,
VO = 0,
|比奥|
7.5毫伏
RL = 10 kΩ的
RL
10 k
RL = 10 kΩ的
RL
10 k
VO = 0,
VO =
±1
V,
VIC =
±0.5
V
VCC
±
=
±1.5
V到
±2.5
V
空载
TLV2361
RL = 10 kΩ的
TLV2362
25°C
25°C
25°C
测试条件
VIC = 0
VIC = 0
VIC = 0
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
60
80
60
85
80
dB
dB
dB
±1.5
±1.4
2
2
2
2
1.75
2.5
3
mA
2.4
V
2.4
V
20
5
典型值
1
最大
6
7.5
100
150
150
250
nA
V
nA
mV
单位
TLV2361和TLV2362经营特色,V
CC
±
=
±2.5
V,T
A
= 25°C
参数
SR
B1
Vn
THD + N
压摆率
单位增益带宽
等效输入噪声电压
总谐波失真加噪声
AV = 1,
AV = 40,
卢比= 100
,
AV = 1,
测试条件
VI =
±0.5
V
RL = 10 kΩ的,
RF = 10 kΩ的,
VO =
±1.2
V,
CL = 100 pF的
F = 1千赫
RL = 10 kΩ的, F = 3千赫
典型值
3
7
8
0.004
单位
V / μs的
兆赫
纳伏/赫兹÷
%
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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