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TLV2352 , TLV2352Y
路LinCMOS 双通道低电压差分比较仪
SLCS011B - 1992年5月 - 修订1999年3月
D
D
D
D
D
电源电压范围广
2 V至8 V
充分的特点,在3 V和5 V
超低电源电流漏
120
A
典型值在3 V
输出兼容TTL , MOS管,以及
CMOS
快速的响应时间。 。 。 200 ns的典型的
TTL电平输入步骤
D
D
D
D
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
极低的输入偏置电流
5 pA的典型
共模输入电压范围
包括地面
内置ESD保护
描述
的TLV2352包括两个独立的,
低功耗比较器特别设计
单电源应用和操作
与电源轨低至2 V.当
从3 V电源供电,典型电源
目前仅120
A.
符号(每个比较器)
IN +
OUT
IN =
该TLV2352使用的是德州仪器路LinCMOS 技术设计,因此拥有一个
非常高的输入阻抗(通常大于10
12
),
它能够直接与
高阻抗源。输出是N沟道开漏配置,需要一个外部上拉
电阻,以提供正的输出电压摆动,并且它们可以被连接到实现正逻辑
线与关系。该TLV2352I是充分的特点,在3 V和5 V工作于 - 40 ° C至85°C 。
该TLV2352M是充分的特点,在3 V和5 V从操作 - 55 ° C至125°C 。
的TLV2352具有内部静电放电(ESD) - 保护的电路和被分类为有
1000 -V ESD额定值使用人体模型测试。但是,应注意在处理这个设备来行使
由于暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
可选项
包装设备
TA
VIO MAX
在25℃下
概要
(D)
TLV2352ID
芯片
支架
( FK )
TLV2352MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLV2352MJG
塑料
DIP
(P)
TLV2352IP
TSSOP
( PW )
TLV2352IPWLE
塑料
DIP
(U)
TLV2352Y
5毫伏
TLV2352MU
芯片
形式
(Y)
- 40 ° C至
85°C
= 55 ° C至
125°C
5毫伏
D封装中提供卷带封装。添加后缀R键的设备类型(例如, TLV2352IDR ) 。
的PW包仅适用左侧端卷带封装(例如, TLV2352IPWLE )
这些设备具有有限的内置保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ,所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2352 , TLV2352Y
路LinCMOS 双通道低电压差分比较仪
SLCS011B - 1992年5月 - 修订1999年3月
TLV2352I 。 。 。 或P包装
TLV2352M 。 。 。 JG包装
( TOP VIEW )
TLV2254M
ü套餐
( TOP VIEW )
TLV2352I 。 。 。 PW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD–
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD+
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD–
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD+
2OUT
2IN -
2IN +
NC - 无内部连接
TLV2352M
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1IN -
NC
1IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VDD +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
2
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NC
VDD - / GND
NC
2IN+
NC
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TLV2352 , TLV2352Y
路LinCMOS 双通道低电压差分比较仪
SLCS011B - 1992年5月 - 修订1999年3月
OUT
等效原理图
通用于所有通道
VDD
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GND
IN +
IN =
3
TLV2352 , TLV2352Y
路LinCMOS 双通道低电压差分比较仪
SLCS011B - 1992年5月 - 修订1999年3月
TLV2352Y芯片信息
这些芯片,如果正确组装,显示类似TLV2352特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。该芯片可安装
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(7)
(6)
(5)
IN +
IN =
OUT
(4)
(7)
(3)
(2)
+
VDD
(8)
(1)
OUT
+
(4)
GND
(5)
(6)
IN +
IN =
57
(8)
切屑厚度: 15 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
(1)
(2)
(3)
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连
背侧的芯片。
57
4
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TLV2352 , TLV2352Y
路LinCMOS 双通道低电压差分比较仪
SLCS011B - 1992年5月 - 修订1999年3月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
8 V
输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3到8伏特
输出电压V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流,I
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
到GND输出短路电流的持续时间(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
: TLV2352I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
TLV2352M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D ,P和PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒: FK , JG ,和U包。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
应力超出“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于网络接地。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.从产出到VDD短路可能引起过热和最终设备的破坏。
额定功耗表
D
FK
JG
P
PW
U
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
降额
因素
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.5毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
370毫瓦
TA = 125°C
额定功率
275毫瓦
210毫瓦
150毫瓦
推荐工作条件
电源电压(VDD)
共模
共模输入电压, VIC
电压
展业务
工作的自由空气TEM erature , TA
温度
VDD = 3V
VDD = 5 V
TLV2352I
TLV2352M
2
0
0
– 40
– 55
最大
8
1.75
3.75
85
125
单位
V
V
°C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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