TLV2342 ， TLV2342Y ， TLV2344 ， TLV2344Y
路LinCMOS 低电压高速
运算放大器
SLOS194 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
D
D
电源电压在很宽的范围
规定温度范围：
- 40 ° C至85°C 。 。 。 2 V至8 V
充分的特点，在3 V和5 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨和多达
V
DD
- 1 V在25℃下
输出电压范围包括负
轨
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型
ESD保护电路
设计，在闭锁抗扰度
TLV2342
D或P封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD–
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2342
PW包
（ TOP VIEW ）
描述
该TLV234x运算放大器是在家庭
已为专门设计的设备的
在低压单电源应用中使用。
不像其他的产品在这个系列设计
主要是为了满足紧张的电力消耗
规格， TLV234x被开发
报价AC性能接近一个的BiFET的
而从操作的运算放大器
单电源轨。在3 V时， TLV234x有
2.1 V / μs的典型摆率790千赫
单位增益带宽。
每个放大器是全功能下降到
2 V和最小电源电压为充分
其特征在于，测试，并指定在两个3 -V的
和5 -V的电源的温度范围内
对 - 40 ° C至85°C 。共模输入
电压范围包括负轨
延伸到内的正轨1 V 。
1OUT
1IN–
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2344
或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2N –
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD - / GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLV2344
PW包
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD+
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD –
/ GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
9毫伏
10毫伏
小尺寸
(D)
TLV2342ID
TLV2344ID
塑料DIP
(N)
—
TLV2344IN
塑料DIP
(P)
TLV2342IP
—
TSSOP
（ PW ）
TLV2342IPWLE
TLV2344IPWLE
CHIP FORM
(Y)
TLV2342Y
TLV2344Y
- 40 ° C至85°C
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TLV2342IDR ） 。
的PW包仅适用左端卷带封装（例如， TLV2342IPWLE ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLV2342 ， TLV2342Y ， TLV2344 ， TLV2344Y
路LinCMOS 低电压高速
运算放大器
SLOS194 - 1997年2月
描述（续）
低电压和低功耗操作已成为可能通过使用德州仪器硅栅
路LinCMOS技术。该路LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗，超低输入
的偏置电流。这些参数加上良好的AC性能使TLV234x行之有效的
的应用，如高频滤波器和宽带宽的传感器。
以方便的小型便携式设备的设计中， TLV234x制成，可以在一个宽的范围包
选项，包括小外形和超薄紧缩小外形封装（ TSSOP ） 。 TSSOP封装有
显著降低尺寸比标准表面贴装封装。其最大高度仅
1.1毫米使得它特别有吸引力的，当空间是关键的。
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的电流而不遭受闭锁。该
TLV234x内部集成了ESD保护电路，防止功能性故障时的电压高达
2000伏以下MIL- PRF- 38535 ，方法3015.2作为测试;但是，应注意处理这些行使
装置暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
TLV2342Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLV2342特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(5)
(4)
(3)
VDD
(8)
+
–
+
–
(4)
VDD - / GND
(1)
1OUT
(3)
1IN +
(6)
59
(2)
(2)
1IN -
2IN +
2IN -
(5)
(6)
(7)
2OUT
(7)
(8)
72
(1)
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
2
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TLV2342 ， TLV2342Y ， TLV2344 ， TLV2344Y
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TLV2344Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLV2344特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(3)
(14)
(13)
(12) (11)
(10)
(9)
(8)
1IN +
(2)
1IN -
(5)
2IN +
(6)
2IN -
68
3英寸+
(9)
3英寸 -
(12)
4IN +
(1)
(2)
(3)
(4) (5)
108
(6)
(7)
(13)
4IN -
(10)
+
–
(3)
+
–
+
–
+
–
(11)
(14)
4OUT
(8)
3OUT
(7)
2OUT
VDD
(4)
(1)
1OUT
VDD - / GND
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
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3
TLV2342 ， TLV2342Y ， TLV2344 ， TLV2344Y
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等效电路图（每个放大器）
VDD
P3
P4
R6
IN =
R1
IN +
P1
P2
R2
N5
R5
C1
P5
P6
N3
N4
N1
R3
D1
N2
R4
D2
R7
N6
OUT
N7
GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2342
54
14
4
2
TLV2344
108
28
8
4
包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪
电路。
4
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TLV2342 ， TLV2342Y ， TLV2344 ， TLV2344Y
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
±
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30毫安
短路电流的（或低于）持续时间T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超过（见应用选择） 。
额定功耗表
包
D–8
D–14
N
P
PW–8
PW–14
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1575毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
6.0毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
364毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
340毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
共模
共模输入电压， VIC
电压
经营自由的空气温度， TA
VDD = 3V
VDD = 5 V
2
– 0.2
– 0.2
– 40
最大
8
1.8
3.8
85
单位
V
V
°C
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5
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