TLV2332 ， TLV2332Y ， TLV2334 ， TLV2334Y
路LinCMOS 低压中等功率
运算放大器
SLOS189 - 1997年2月
D
D
D
D
D
D
D
D
电源电压在很宽的范围
规定温度范围：
T
A
= - 40 ° C至85°C 。 。 。 2 V至8 V
充分的特点，在3 V和5 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨和多达
V
DD
- 1 V在T
A
= 25°C
输出电压范围包括负
轨
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
ESD保护电路
设计，在闭锁抗扰度
TLV2332
D或P封装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD–
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2332
PW包
（ TOP VIEW ）
描述
该TLV233x运算放大器是在家庭
已为专门设计的设备的
在低压单电源应用中使用。
不像是优化的TLV2322
超低功率，所述TLV233x被设计成
提供低功耗和良好的交流相结合
性能。每个放大器功能齐全
下降到2V的最小电源电压，是完全
其特征在于，测试，并指定在两个3 -V的
和5 V电源供电。共模
输入电压范围包括负轨
延伸到内的正轨1 V 。
具有仅310的最大供电电流
A
每个放大器在整个温度范围内，
TLV233x设备提供了良好的交流相结合
性能和微安电源电流。
从3 - V电源，放大器的典型
转换速率为0.38 V / μs到它的带宽是
300千赫。
1OUT
1IN–
1IN +
V
DD –
/ GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD +
2OUT
2IN -
2IN +
TLV2334
或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2N –
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD - / GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
TLV2334
PW包
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD +
2IN +
2IN -
2OUT
1
14
7
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
DD - / GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
可选项
TA
VIOMAX
在25℃下
9毫伏
- 40 ° C至85°C
包装设备
小尺寸
(D)
TLV2332ID
塑料DIP
(N)
—
塑料DIP
(P)
TLV2332IP
TSSOP
（ PW ）
TLV2332IPWLE
CHIP FORM
(Y)
TLV2332Y
TLV2334Y
10毫伏
TLV2334ID
TLV2334IN
—
TLV2334IPWLE
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TLV2332IDR ） 。
的PW包仅适用左端卷带封装（例如， TLV2332IPWLE ） 。
§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLV2332 ， TLV2332Y ， TLV2334 ， TLV2334Y
路LinCMOS 低压中等功率
运算放大器
SLOS189 - 1997年2月
描述（续）
这些放大器提供的AC性能等级超过，在经营众多其他设备
可比的功率电平。该TLV233x运算放大器尤其非常适合于在低电流使用
或电池供电的应用。
低电压和低功耗操作已成为可能通过使用德州仪器硅栅
路LinCMOS 技术。该路LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗和超低偏置
电流使这些放大器非常适合接口为高阻抗源，如传感器电路或过滤器
应用程序。
以方便的小型便携式设备的设计中， TLV233x制成，可以在一个宽的范围包
选项，包括小外形和超薄紧缩小外形封装（ TSSOP ） 。 TSSOP封装有
显著降低尺寸比标准表面贴装封装。其最大高度仅
1.1毫米使得它特别有吸引力的，当空间是关键的。
该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的电流而不遭受闭锁。该
TLV233x内部集成了ESD保护电路，防止功能性故障时的电压高达
2000 V作为根据MIL -STD 883C标准，方法3015.2 ;但是，应注意处理这些行使
装置暴露于静电放电可能会导致器件性能参数的劣化。
TLV2332Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLV2332特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(4)
(5)
(3)
VDD
(8)
+
(2)
1IN -
2OUT
(7)
–
(5)
+
–
(4)
VDD - / GND
切屑厚度： 15 MILS典型
(6)
2IN +
2IN -
(1)
1OUT
1IN +
(6)
59
(2)
(3)
(7)
(8)
72
(1)
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
2
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TLV2332 ， TLV2332Y ， TLV2334 ， TLV2334Y
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TLV2334Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLV2334特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
1IN +
1IN -
2IN +
2IN -
68
3英寸+
3英寸 -
(12)
4IN +
(1)
(2)
(3)
(4) (5)
108
(6)
(7)
4IN -
(13)
–
+
(5)
(6)
(10)
(9)
(3)
(2)
+
–
+
–
+
–
VDD
(4)
(1)
1OUT
(14)
(13)
(12) (11)
(10)
(9)
(8)
(7)
2OUT
(8)
3OUT
(14)
4OUT
(11)
VDD- / GND
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
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TLV2332 ， TLV2332Y ， TLV2334 ， TLV2334Y
路LinCMOS 低压中等功率
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等效电路图（每个放大器）
VDD
P3
P4
R6
IN =
R1
IN +
P1
P2
R2
N5
R5
C1
P5
P6
N3
N4
N1
R3
D1
N2
R4
D2
R7
N6
OUT
N7
GND
实际的设备元件数
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
TLV2332
54
14
4
2
TLV2334
108
28
8
4
包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪
电路。
4
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TLV2332 ， TLV2332Y ， TLV2334 ， TLV2334Y
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DD
±
输入电压范围，V
I
（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
30毫安
短路电流的（或低于）持续时间T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超过（见应用部分） 。
额定功耗表
包
D–8
D–14
N
P
PW–8
PW–14
TA
≤
25°C
额定功率
725毫瓦
950毫瓦
1575毫瓦
1000毫瓦
525毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
7.6毫瓦/°C的
12.6毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
4.2毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
494毫瓦
819毫瓦
520毫瓦
273毫瓦
364毫瓦
推荐工作条件
民
电源电压（VDD）
共模
共模输入电压， VIC
电压
经营自由的空气温度， TA
VDD = 3V
VDD = 5 V
2
– 0.2
– 0.2
– 40
最大
8
1.8
3.8
85
单位
V
V
°C
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
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