TLV2322 ， TLV2322Y ， TLV2324 ， TLV2324Y

路LinCMOS Low-voltage低功耗

运算放大器

SLOS187 - 1997年2月

D

D

D

D

D

D

D

D

电源电压在很宽的范围

规定温度范围：

T

A

= - 40 ° C至85°C 。 。 。 2 V至8 V

充分的特点，在3 V和5 V

单电源供电

共模输入电压范围

扩展低于负轨和多达

V

DD

-1 V在T

A

= 25°C

输出电压范围包括负

轨

高输入阻抗。 。 。 10

12

典型

ESD保护电路

设计，在闭锁抗扰度

TLV2322

D或P封装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD –

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2322

PW包

（ TOP VIEW ）

描述

该TLV232x运算放大器是在家庭

已为专门设计的设备的

在低压单电源应用中使用。

此放大器尤其非常适合于

需要的设备，以超低功耗系统

消耗降到最低供应

电流。每个放大器是全功能下降到

2V的最小电源电压，是完全

其特征在于，测试，并指定在两个3 -V的

和5 V电源供电。共模输入

电压范围包括负轨

延伸到内的正轨1 V 。

这些放大器是专门针对使用

在非常低功率，便携式电池驱动的

与最大供电电流每个应用程序

只有在指定的27运算放大器

A

过度

其全温度范围 - 40 ° C至85°C 。

1OUT

1IN–

1IN +

V

DD –

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2324

或N包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD+

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD –

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2324

PW包

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD+

2IN +

2IN -

2OUT

1

14

7

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD –

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

可选项

包装设备

TA

VIOmax在

25°C

9毫伏

- 40 ° C至85°C

10毫伏

小尺寸

(D)

TLV2322ID

TLV2324ID

塑料DIP

(N)

—

TLV2324IN

塑料DIP

(P)

TLV2322IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2322IPWLE

TLV2324IPWLE

CHIP FORM

(Y)

TLV2322Y

TLV2324Y

D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如， TLV2322IDR ） 。

的PW包仅适用左端卷带封装（例如， TLV2322IPWLE ） 。

§芯片形式仅在25 ℃条件下测定。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

路LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1997年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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路LinCMOS Low-voltage低功耗

运算放大器

SLOS187 - 1997年2月

描述（续）

低电压和低功耗操作已成为可能通过使用德州仪器硅栅

路LinCMOS技术。该路LinCMOS工艺还具有极高的输入阻抗和超低偏置

电流使这些放大器非常适合接口为高阻抗源，如传感器电路或过滤器

应用程序。

以方便的小型便携式设备的设计中， TLV232x制成，可以在一个宽的范围包

选项，包括小外形和超薄紧缩小外形封装（ TSSOP ） 。 TSSOP封装有

显著降低尺寸比标准表面贴装封装。其最大高度仅

1.1毫米使得它特别有吸引力的，当空间是关键的。

该器件的输入和输出设计，可以承受-100 mA的电流而不遭受闭锁。该

TLV232x内部集成了ESD保护电路，防止功能失效的电压高达2000伏

根据MIL -STD 883C的测试，方法3015.2 ;但是，应注意在操作这些设备的行使

由于暴露于静电放电会导致器件性能参数的劣化。

TLV2322Y芯片信息

该芯片，当正确组装，显示类似TLV2322I特点。热压缩或

超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电

环氧树脂或金 - 硅预制件。

焊盘ASSIGNMENTS

(5)

(4)

(3)

(3)

(2)

1IN -

2IN +

(6)

59

(2)

2IN -

(5)

(6)

VDD

(8)

+

1OUT

–

+

2OUT

–

(4)

VDD - / GND

1IN +

切屑厚度： 15 MILS典型

焊盘： 4

×

4 MILS最低

(7)

(8)

72

(1)

TJMAX = 150℃

公差

±

10%.

所有尺寸都以密耳。

2

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TLV2324Y芯片信息

该芯片，当正确组装，显示类似TLV2324特点。热压缩或

超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电

环氧树脂或金 - 硅预制件。

焊盘ASSIGNMENTS

VDD

(4)

+

–

+

–

+

–

+

(13)

–

(11)

VDD- / GND

(8)

3OUT

(7)

(1)

1OUT

(14)

(13)

(12) (11)

(10)

(9)

(8)

1IN +

1IN -

2IN +

2IN -

(3)

(2)

(5)

(6)

(10)

(9)

2OUT

68

3英寸+

3英寸 -

(12)

4IN +

(1)

(2)

(3)

(4)

108

(5)

(6)

(7)

4IN -

(14)

4OUT

切屑厚度： 15 MILS典型

焊盘： 4

×

4 MILS最低

TJMAX = 150℃

公差

±

10%.

所有尺寸都以密耳。

PIN码（ 12 ）内部连接

背侧的芯片。

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3

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等效电路图（每个放大器）

VDD

P3

P4

R6

IN =

R1

IN +

P1

P2

R2

N5

R5

C1

P5

P6

N3

N4

N1

R3

D1

N2

R4

D2

R7

N6

OUT

N7

GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2342

54

14

4

2

TLV2344

108

28

8

4

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪

电路。

4

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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

DD

±

输入电压范围，V

I

（任意输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V

DD

输入电流I

I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

30毫安

短路电流的（或低于）持续时间T

A

= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限

连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C

存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于网络接地。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超过（见应用部分） 。

额定功耗表

包

D–8

D–14

N

P

PW–8

PW–14

TA

≤

25°C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1575毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

12.6毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

TA = 85°C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

819毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

推荐工作条件

民

电源电压（VDD）

共模

共模输入电压， VIC

电压

经营自由的空气温度， TA

VDD = 3V

VDD = 5 V

2

– 0.2

– 0.2

– 40

最大

8

1.8

3.8

85

单位

V

V

°C

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5