【TLV226x ， TLV226xA高级LinCMOS轨至轨运算放大器SLOS186B - 1997】,IC型号TLV2262AIDR,TLV2262AIDR PDF资料,TLV2262AIDR经销商,ic,电子元器件-51电子网

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

版权

2001年，德州仪器

1

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

-40 ° C至

40 C

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

2

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

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高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下，10秒： D，N ，P和PW的包。。。。。。。 260℃

FK ，J ， JG ，U和W包。。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

16

Q后缀

民

2.7

最大

16

M后缀

民

2.7

最大

16

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

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高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

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版权

2001年，德州仪器

1

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

-40 ° C至

40 C

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

2

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高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

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6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

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V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

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V

DD

/ GND

1

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V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

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10

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8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

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2OUT

1

2

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10

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4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下，10秒： D，N ，P和PW的包。。。。。。。 260℃

FK ，J ， JG ，U和W包。。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

16

Q后缀

民

2.7

最大

16

M后缀

民

2.7

最大

16

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

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5

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗使其非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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版权

1997年至2006年，德州仪器

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

1

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站

在www.ti.com 。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

40 C

-40 ° C至

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站

在www.ti.com 。

2

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

8

Q后缀

民

2.7

最大

8

M后缀

民

2.7

最大

8

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

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5

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗使其非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

版权

1997年至2006年，德州仪器

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

1

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站

在www.ti.com 。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

40 C

-40 ° C至

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站

在www.ti.com 。

2

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

8

Q后缀

民

2.7

最大

8

M后缀

民

2.7

最大

8

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗使其非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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版权

1997年至2006年，德州仪器

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

1

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者看到TI网站

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TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

40 C

-40 ° C至

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

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高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

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TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

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V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

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V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

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6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

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4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

8

Q后缀

民

2.7

最大

8

M后缀

民

2.7

最大

8

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

版权

2001年，德州仪器

1

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

-40 ° C至

40 C

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下，10秒： D，N ，P和PW的包。。。。。。。 260℃

FK ，J ， JG ，U和W包。。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

16

Q后缀

民

2.7

最大

16

M后缀

民

2.7

最大

16

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

版权

2001年，德州仪器

1

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

-40 ° C至

40 C

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下，10秒： D，N ，P和PW的包。。。。。。。 260℃

FK ，J ， JG ，U和W包。。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

16

Q后缀

民

2.7

最大

16

M后缀

民

2.7

最大

16

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

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5

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

D

输出摆幅包括两个电源轨

低噪声。。。 12纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫

低输入偏置电流。。。 1 pA的典型值

充分说明了这两种单电源和

拆分电源供电

低功耗。。。 500

A

最大

共模输入电压范围

包括负轨

D

低输入偏移电压

D

950

V

马克斯在T

A

= 25 ° C（ TLV226xA ）

宽电源电压范围

2.7 V至8 V

包括宏

可在Q-临时汽车

HighRel汽车领域的应用

配置控制/打印支持

资质汽车标准

高电平输出电压

vs

高电平输出电流

4

VDD = 3V

3.5

描述

该TLV2262和TLV2264是双核和四低

来自得克萨斯仪器电压运算放大器

求。两款器件具有轨到轨输出

为提高动态范围性能

单个或分离电源应用。该TLV226x

系列提供微之间的妥协

电力TLV225x和的交流性能

TLC227x 。它具有低电源电流为电池 -

供电应用，同时还具有足够的

AC性能，为那些需要它的应用程序。

该系列产品的特点完全在3 V和5 V和

针对低电压应用。该

噪声性能得到了大幅im-

证明了前几代的CMOS

放大器。图1示出的噪声水平低

电压为这个CMOS放大器，只有拥有

200

A

每个放大器的电源电流（典型值）。

VOH - 高电平输出电压 - V

3

2.5

TA = 125°C

2

TA = 25°C

1.5

1

0.5

TA = 85°C

TA = - 40°C

TA = - 55°C

0

该TLV226x ，具有高输入阻抗

0

500

1000

1500

2000

和低噪声，非常适合小信号

| IOH | - 高电平输出电流 -

A

调节为高阻抗源，如

图1

压电换能器。由于微的

功率耗散水平结合3 -V的

操作中，这些装置中的手持式监测和遥感应用中表现良好。此外，该

当接口与单个或分离电源轨到轨输出特性，使这个家庭的理想选择

模拟 - 数字转换器（ADC ）。对于高精度应用， TLV226xA家庭提供有

950最大输入失调电压

V.

该TLV2262 / 4也使得很大升级到TLV2332 / 4的标准设计。他们提供了增加产量

动态范围，低噪声电压和低输入偏置电压。这种增强的功能集使他们能够

在更广泛的应用中使用。对于要求较高的输出驱动和更宽的输入电压的应用

范围，请参阅TLV2432和TLV2442设备。如果您的设计需要一个放大器，请参阅

TLV2211 /三十一分之二十一家庭。这些器件采用SOT -23封装的单轨至轨运算放大器。其

小尺寸和低功耗，使它们非常适用于高密度，电池供电设备。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

关于产品符合MIL PRF 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

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版权

2001年，德州仪器

1

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

TLV2262可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2262CD

TLV2262AID

TLV2262ID

TLV2262AQD

TLV2262QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2262AMFK

TLV2262MFK

陶瓷的

DIP

（ JG ）

—

TLV2262AMJG

TLV2262MJG

塑料

DIP

(P)

TLV2262CP

TLV2262AIP

TLV2262IP

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2262CPWLE

TLV2262AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(U)

—

TLV2262AMU

TLV2262MU

0 ° C至70℃

-40_C到125_C

-55 ° C至125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262CDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

TLV2264可选项

包装设备

TA

VIOMAX

在25℃下

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

950

V

2.5毫伏

小

概要

(D)

TLV2264AID

TLV2264ID

TLV2264AQD

TLV2264QD

—

芯片

支架

（ FK ）

—

TLV2264AMFK

TLV2264MFK

陶瓷的

DIP

(J)

—

TLV2264AMJ

TLV2264MJ

塑料

DIP

(N)

TLV2264AIN

TLV2264IN

—

TSSOP

（ PW ）

TLV2264AIPWLE

—

陶瓷的

扁平

(W)

—

TLV2264AMW

TLV2264MW

-40 ° C至

40 C

125°C

40 C

-40 ° C至

125°C

-55℃

125°C

为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLV2262IDR ）。

的PW包仅左端录音和缠绕。

§芯片在25 ℃条件下测定。

2

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TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV2262C ， TLV2262AC

TLV2262I ， TLV2262AI

TLV2262Q ， TLV2262AQ

D，P ，或PW包

（ TOP VIEW ）

TLV2264I ， TLV2264AI

TLV2264Q ， TLV2264AQ

D，N ，或PW包装

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2262M ， TLV2262AM

JG套餐

（ TOP VIEW ）

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD

/ GND

1

2

3

4

8

7

6

5

V

DD +

2OUT

2IN -

2IN +

TLV2264M ， TLV2264AM

J或W包装

（ TOP VIEW ）

TLV2662M ， TLV2262AM

ü套餐

（ TOP VIEW ）

NC

1OUT

1IN -

1IN +

V

CC

/ GND

1

2

3

4

5

10

9

8

7

6

NC

V

CC

+

2OUT

2IN -

2IN +

1OUT

1IN -

1IN +

V

DD +

2IN +

2IN -

2OUT

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

4OUT

4IN -

4IN +

V

DD

/ GND

3英寸+

3英寸 -

3OUT

TLV2264M ， TLV2264AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

TLV2262M ， TLV2262AM

FK包装

（ TOP VIEW ）

NC

1IN -

NC

1IN +

NC

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

NC

2OUT

NC

2IN -

NC

1IN +

NC

V

CC +

NC

2IN +

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

1IN -

1OUT

NC

4OUT

4IN -

4IN +

NC

V

CC

/ GND

NC

3英寸+

NC

1OUT

NC

VDD +

NC

VDD- / GND

NC

2IN+

NC

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2IN -

2OUT

NC

3OUT

3英寸 -

3

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

4

VDD +

Q3

Q6

Q9

Q12

Q14

Q16

R6

C1

R5

Q1

Q13

Q4

Q15

Q17

OUT

D1

Q2

R3

R4

Q5

Q7

Q8

Q10

Q11

R1

R2

VDD - / GND

实际的设备元件数

部件

晶体管

电阻器

二极管

电容器

TLV2252

38

28

9

3

TLV2254

76

54

18

6

包括两个放大器和所有ESD ，偏置和修剪电路

等效电路图（每个放大器）

IN +

模板发布日期： 94年7月11日

IN =

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TLV226x ， TLV226xA

高级LinCMOS轨至轨

运算放大器

SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压，V

DD

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16 V

差分输入电压，V

ID

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

V

DD

输入电压范围，V

I

（任何输入，见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DD

0.3 V到V

DD+

输入电流I

I

（每一个输入）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

5毫安

输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流为V

DD +

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

总电流输出的V

DD

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。无限

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

我的后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

Q后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

M后缀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下，10秒： D，N ，P和PW的包。。。。。。。 260℃

FK ，J ， JG ，U和W包。。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带

下面VDD - - 0.3 V.

3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大

额定功耗不超标。

额定功耗表

包

D8

D14

FK

J

JG

N

P

PW8

PW14

U

W

TA

≤

25°C

25 C

额定功率

725毫瓦

950毫瓦

1375毫瓦

1050毫瓦

1150毫瓦

1000毫瓦

525毫瓦

700毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

7.6毫瓦/°C的

11.0毫瓦/°C的

8.4毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

4.2毫瓦/°C的

5.6毫瓦/°C的

5.5毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

377毫瓦

494毫瓦

715毫瓦

—

598毫瓦

520毫瓦

273毫瓦

364毫瓦

—

370毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

145毫瓦

190毫瓦

275毫瓦

210毫瓦

—

200毫瓦

105毫瓦

—

150毫瓦

推荐工作条件

我的后缀

民

电源电压（VDD）

±

（见注1 ）

输入电压范围， VI

共模输入电压，维多利亚

经营自由的空气温度， TA

2.7

VDD }

40

最大

16

Q后缀

民

2.7

最大

16

M后缀

民

2.7

最大

16

VDD + - 1.3

125

单位

V

°C

VDD + - 1.3 VDD -

125

40

VDD + - 1.3 VDD -

125

55

注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

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