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TLV2231 , TLV2231Y
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
低功耗单路运算放大器
SLOS158D - 1996年6月 - 修订2001年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 15纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
完全指定的单电源3 -V和
5 -V操作
共模输入电压范围
包括负轨
高增益带宽。 。 。在2 MHz
V
DD
= 5 V 600 Ω的负载
高转换率。 。 。 1.6 V / μs的在V
DD
= 5 V
宽电源电压范围
2.7 V至10 V
包括宏
DBV包装
( TOP VIEW )
IN +
1
2
3
4
OUT
5
VDD +
VDD- / GND
IN =
描述
该TLV2231是一个单一的低电压运算放大器在SOT -23封装。它提供了2兆赫
带宽和1.6 V /压摆率要求良好的AC性能的应用微秒。该装置表现出
轨到轨输出性能在单或分离电源应用中增加了动态范围。该TLV2231
是充分的特点,在3 V和5 V ,并针对低电压应用进行了优化。
的TLV2231 ,呈现高输入阻抗和低噪声,是极好的小信号调理
高阻抗源,例如压电换能器。由于微功耗水平
结合3 -V的运算,这些设备中的手持式监测和遥感很好地工作
应用程序。此外,与单或分割用品轨到轨输出特性,使这个家庭有很大
选择与模拟 - 数字转换器(ADC )的接口时。该设备还可以驱动600 Ω负载的
电信应用。
随着5.6毫米总面积
2
,采用SOT -23封装,只需要标准的8引脚三分之一的电路板空间
SOIC封装。这种超小型封装使设计人员能够把单个放大器非常接近的信号
源,最大限度地降低噪声拾取,从较长的PCB走线。 TI还采取了特殊照顾,以提供引脚排列,
是对于电路板布局优化的(参见图1) 。两个输入端被接地分开,以防止耦合或泄漏
路径。 OUT和IN - 终端电路板上,用于提供负反馈的同一端。最后,
增益设置电阻和去耦电容很容易被周围放置的包。
1
4
C
GND
RI
3
IN =
RF
OUT
5
VO
2
VDD / GND
VI
IN +
VDD +
V+
图1.典型的表面贴装布局固定增益同相放大器
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
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达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLV2231 , TLV2231Y
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
低功耗单路运算放大器
SLOS158D - 1996年6月 - 修订2001年4月
可选项
包装设备
TA
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
VIOmax 25℃
3毫伏
3毫伏
SOT- 23 ( DBV )
TLV2231CDBV
TLV2231IDBV
符号
VAEC
VAEI
芯片
形成的?
(Y)
TLV2231Y
的DBV包只有磁带和卷轴可用。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLV2231Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLV2231C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(3)
(4)
(1)
IN +
(3)
IN =
VDD +
(5)
+
(2)
VDD - / GND
(4)
OUT
40
(2)
切屑厚度: 10 MILS典型
焊盘: 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 2 )内部连接
背侧的芯片。
(1)
(5)
32
2
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TLV2231 , TLV2231Y
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
低功耗单路运算放大器
SLOS158D - 1996年6月 - 修订2001年4月
等效原理图
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
R7
C2
IN +
R6
C1
OUT
IN =
Q1
Q4
R5
Q13
Q15
Q17
R2
Q2
R3
Q5
R4
Q7
Q8
Q10
Q11
R1
D1
VDD - / GND
元件数
晶体管
二极管
电阻器
电容器
23
5
11
2
包括两个放大器和所有
ESD ,偏置和修剪电路
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3
TLV2231 , TLV2231Y
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
低功耗单路运算放大器
SLOS158D - 1996年6月 - 修订2001年4月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围,V
I
(任何输入,见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间(或低于)25 ℃(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
: TLV2231C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
TLV2231I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒: DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时,输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
的dBV
TA
25°C
额定功率
150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
1.2毫瓦/ C
TA = 70℃
额定功率
96毫瓦
TA = 85°C
额定功率
78毫瓦
推荐工作条件
TLV2231C
电源电压(VDD)
(见注1 )
输入电压范围, VI
共模输入电压,维多利亚
经营自由的空气温度, TA
注1 :所有的电压值,除了差分电压,是相对于VDD - 。
2.7
VDD }
VDD }
0
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
70
TLV2231I
2.7
VDD }
VDD }
– 40
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
85
单位
V
V
V
°C
4
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TLV2231 , TLV2231Y
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
低功耗单路运算放大器
SLOS158D - 1996年6月 - 修订2001年4月
在指定的自由空气的温度,V电气特性
DD
= 3V(除非另有说明)
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度
输入的COEF网络cient
失调电压
输入失调电压
长期漂移
(见注4 )
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VDD
±
=
±
1.5 V VIC = 0 ,
V,
VO = 0,
RS = 50
全系列
测试条件
TA
TLV2231C
典型值
0.75
0.5
05
最大
3
TLV2231I
典型值
0.75
0.5
05
最大
3
单位
mV
μV/°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
0
to
2
0
to
1.7
0.003
0.5
1
60
150
60
150
– 0.3
to
2.2
0
to
2
0
to
1.7
2.87
2.74
2
10
100
300
1
0.3
250
1012
1012
6
156
60
55
70
70
750
1200
1500
96
70
60
55
70
70
1.6
1
0.3
2
0.003
0.5
1
60
150
60
150
– 0.3
to
2.2
μV /月
pA
pA
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO |
5毫伏
全系列
g
V
VOH
高电平的输出
嗨H L
L T吨
电压
IOH = - 1毫安
IOH = - 2毫安
VIC = 1.5 V,
VIC = 1 5 V
1.5 V,
IOL = 50
A
IOL = 500
A
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
2.87
2.74
10
100
300
1.6
V / MV
250
1012
1012
6
156
70
pF
dB
mV
V
VOL
低电平输出
L
l
L T吨
电压
大信号
大信号
差分电压
放大器阳离子
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模
抑制比
电源电压
抑制比
( ΔVDD / ΔVIO )
电源电流
AVD
RL = 600
VIC = 1.5 V,
15V
VO = 1 V 2 V
RL = 1 MΩ
RID
RIC
CIC
zo
CMRR
F = 10千赫
F = 1MHz时,
AV = 1
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
VIC = 0 1.7 V ,
,
VO = 1.5 V,
RS = 50
VDD = 2.7 V至8 V ,
,
VIC = VDD / 2 ,
空载
VO = 1 5 V
1.5 V,
空载
96
dB
750
1200
1500
kSVR
国际直拨电话
A
全系列的TLV2231C为0℃至70℃ 。全系列的TLV2231I为 - 40° C至85°C 。
参考1.5 V
注4 :典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程,并假设为0.96电子伏特的激活能,TA = 25 ℃。
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TLV2231IDBVR
TI/德州仪器
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