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TLV2221 ， TLV2221Y
高级LinCMOS轨至轨
非常低功耗的单通道运算放大器
SLOS157B - JUNE1996 - 修订2005年4月
D
D
D
D
D
D
D
D
输出摆幅包括两个电源轨
低噪声。 。 。 19纳伏/ √Hz的典型值在f = 1千赫
低输入偏置电流。 。 。 1 pA的典型值
完全指定的单电源3 -V和
5 -V操作
非常低的功耗。 。 。 110
A
典型值
共模输入电压范围
包括负轨
宽电源电压范围
2.7 V至10 V
包括宏
DBV包装
（ TOP VIEW ）
IN +
1
2
3
4
OUT
5
VDD +
VDD- / GND
IN =
描述
该TLV2221是一个单一的低电压运算放大器在SOT -23封装。它提供了一个
交流性能与TLV2231的输出驱动器和微TLV2211之间的妥协。
它仅消耗150
A
电源电流（最大值），非常适合电池供电的应用。该装置
展品轨到轨输出性能在单或分离电源应用中增加了动态范围。该
TLV2221是充分的特点，在3 V和5 V ，并针对低电压应用进行了优化。
的TLV2221 ，呈现高输入阻抗和低噪声，非常适合用于小信号调节
高阻抗源，例如压电换能器。由于微功耗水平
结合3 -V的运算，这些设备中的手持式监测和遥感很好地工作
应用程序。此外，单个或分离电源轨到轨输出特性使得这个家庭有很大
选择与模拟 - 数字转换器（ADC ）的接口时。
随着5.6毫米总面积
2
，采用SOT -23封装，只需要标准的8引脚三分之一的电路板空间
SOIC封装。这种超小型封装使设计人员能够把单个放大器非常接近的信号
源，最大限度地降低噪声拾取，从较长的PCB走线。 TI还采取了特殊照顾，以提供引脚排列，
是对于电路板布局优化的（参见图1） 。两个输入端被接地分开，以防止耦合或泄漏
路径。在OUT和IN端子在电路板的同一端提供负反馈。最后，获得
设置电阻和去耦电容很容易放在身边的包。
VI
1
IN +
VDD +
4
C
V+
GND
RI
2
VDD / GND
5
3
IN =
OUT
VO
RF
图1.典型的表面贴装布局固定增益同相放大器
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
高级LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年-2005 ，德州仪器
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31
SLOS157B - JUNE1996 - 修订2005年4月
TLV2221 ， TLV2221Y
高级LinCMOS轨至轨
非常低功耗的单通道运算放大器
可选项
包装设备
TA
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
VIOmax 25℃
3毫伏
3毫伏
SOT- 23 （ DBV ）
TLV2221CDBV
TLV2221IDBV
符号
VADC
VADI
芯片
形成的？
(Y)
TLV2221Y
的DBV包只有磁带和卷轴可用。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLV2221Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TLV2221C特点。热压
或超声波接合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。这个芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(3)
(4)
(1)
IN +
(3)
IN =
VDD +
(5)
+
(2)
VDD - / GND
(4)
OUT
40
(2)
切屑厚度： 10 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 2 ）内部连接
背侧的芯片。
(1)
(5)
32
32
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等效原理图
VDD +
Q3
Q6
Q9
Q12
Q14
Q16
R7
C2
IN +
R6
C1
R5
Q1
Q13
Q4
OUT
IN =
TLV2221 ， TLV2221Y
高级LinCMOS轨至轨
非常低功耗的单通道运算放大器
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Q2
R3
R4
Q5
Q7
Q8
Q10
Q11
元件数
晶体管
二极管
电阻器
电容器
23
5
11
2
包括两个放大器和所有
ESD ，偏置和修剪电路
Q15
Q17
R2
D1
R1
SLOS157B - 1997年6月 - 修订2005年4月
VDD - / GND
63
SLOS157B - 1996年6月 - 修订2005年4月
TLV2221 ， TLV2221Y
高级LinCMOS轨至轨
非常低功耗的单通道运算放大器
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
DD
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围，V
I
（任何输入，见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
（每一个输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
输出电流，I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流为V
DD +
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
总电流输出的V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
50毫安
短路电流的持续时间（或低于）25 ℃（见注3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
： TLV2221C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
TLV2221I 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。
2.差分电压是在同相输入相对于反相输入端。电流过大时，输入带
下面VDD - - 0.3 V.
3.输出可以短至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制，以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
包
的dBV
TA
≤
25°C
25 C
额定功率
150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
1.2毫瓦/ C
TA = 70℃
70 C
额定功率
96毫瓦
TA = 85°C
85 C
额定功率
78毫瓦
推荐工作条件
TLV2221C
民
电源电压（VDD）
（见注1 ）
输入电压范围， VI
共模输入电压，维多利亚
经营自由的空气温度， TA
注1 ：所有的电压值，除了差分电压，是相对于VDD - 。
2.7
VDD }
VDD }
0
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
70
TLV2221I
民
2.7
VDD }
VDD }
40
最大
10
VDD + - 1.3
VDD + - 1.3
85
单位
V
V
V
°C
4
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TLV2221 ， TLV2221Y
高级LinCMOS轨至轨
非常低功耗的单通道运算放大器
SLOS157B - 1996年6月 - 修订2005年4月
在指定的自由空气的温度，V电气特性
DD
= 3V（除非另有说明）
参数
VIO
α
VIO
输入失调电压
温度
输入的COEF网络cient
失调电压
输入失调电压
长期漂移
（见注4 ）
IIO
IIB
输入失调电流
输入偏置电流
VDD
±
=
±
1.5 V,
VO = 0，
VIC = 0，
RS = 50
全系列
测试条件
TA
TLV2221C
民
典型值
0.62
1
最大
3
民
TLV2221I
典型值
0.62
1
最大
3
单位
mV
μV/°C
V /°C的
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25 C
25°C
0
to
2
0
to
1.7
0.003
0.5
150
1
150
0.3
to
2.2
0
to
2
0
to
1.7
2.97
2.88
2.5
15
150
500
2
1
250
1012
1012
6
90
70
65
80
80
100
150
200
95
82
70
65
80
80
3
2
1
2.5
0.003
0.5
150
1
150
0.3
to
2.2
μV /月
pA
pA
VICR
共模输入
电压范围
RS = 50
,
|V
IO
| ≤
5毫伏
全系列
V
VOH
高电平的输出
电压
IOH = - 100
A
IOH = - 400
A
A
VIC = 1.5 V，
VIC = 1.5 V，
VIC = 1.5 V，
VO = 1 V 2 V
IOL = 50
A
IOL = 500
A
A
RL = 2 kΩ的
RL = 1 MΩ
25°C
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
25°C
2.97
2.88
15
150
500
3
V / MV
250
1012
1012
6
90
82
dB
95
dB
pF
mV
V
VOL
低电平输出
电压
大信号
差分电压
放大器阳离子
差分输入
阻力
共模输入
阻力
共模输入
电容
闭环输出
阻抗
共模
抑制比
电源电压
抑制比
（ ΔVDD / ΔVIO ）
电源电流
AVD
RID
RIC
CIC
zo
CMRR
F = 10千赫
F = 10 kHz时，
AV = 10
25°C
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
VIC = 0 1.7 V ，
VO = 1.5 V，
RS = 50
VDD = 2.7 V至8 V ，
VIC = VDD / 2 ，
空载
VO = 1.5 V，
空载
kSVR
国际直拨电话
100
150
200
A
全系列的TLV2221C为0℃至70℃ 。全系列的TLV2221I为 - 40° C至85°C 。
参考1.5 V
注4 ：典型值是基于通过500小时的工作寿命试验在TA = 150℃下观察到的所述输入偏移电压偏移推断
以使用Arrhenius方程，并假设为0.96电子伏特的激活能，TA = 25 ℃。
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5
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TLV5638
TDA7429T
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