TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)27C(F)
.
东芝InGaAP LED
TLRE27C(F),TLRME27C(F),TLSE27C(F),
TLOE27C(F),TLYE27C(F),TLGE27C(F)
面板指示灯电路
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
椭圆形的镜头：有色透明镜片
InGaAP技术
所有塑料模具类型
高强度光发射
出色的低光电流输出
应用范围：户外招牌消息，全彩面板，背光源
以毫米单位
阵容
产品
名字
TLRE27C(F)
TLRME27C(F)
TLSE27C(F)
TLOE27C(F)
TLYE27C(F)
TLGE27C(F)
颜色
红
红
红
橙
黄
绿色
InGaAP
材料
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.3克（典型值）
―
―
4-5AP1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
产品
名字
TLRE27C(F)
TLRME27C(F)
TLSE27C(F)
TLOE27C(F)
TLYE27C(F)
TLGE27C(F)
前锋
当前
I
F
（MA ）
50
50
50
50
50
50
反向
电压
V
R
(V)
4
4
4
4
4
4
动力
耗散
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
120
120
操作
温度
T
OPR
(°C)
40~100
40~100
40~100
40~100
40~100
40~100
存储
温度
T
英镑
(°C)
40~120
40~120
40~120
40~120
40~120
40~120
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)27C(F)
电气和光学特性
（ TA = 25°C ）
产品
名字
λ
d
TLRE27C(F)
TLRME27C(F)
TLSE27C(F)
TLOE27C(F)
TLYE27C(F)
TLGE27C(F)
单位
630
626
613
605
587
571
典型值。发射
波长
λ
p
(644)
(636)
(623)
(612)
(590)
(574)
nm
Δλ
20
23
20
20
17
17
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
民
85
153
272
272
272
85
MCD
发光的
强度
I
V
典型值。
300
400
750
800
650
250
前锋
电压
V
F
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
V
反向
当前
I
R
最大
V
R
50
50
50
50
50
50
μA
4
4
4
4
4
4
V
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
典型值。
1.9
1.9
1.9
2.0
2.0
2.0
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
注意事项
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：低于器件的引线塞子）
如果铅形成，所述引线应形成到下面的器件的引线塞子不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)27C(F)
TLRE27C(F)
I
F
– V
F
100
50
TA = 25℃
3000
TA = 25℃
I
V
– I
F
发光强度IV（ MCD ）
（MA ）
1000
30
正向电流IF
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压VF
(V)
正向电流IF
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 -
波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
相对发光强度IV
5
3
相对发光强度
0.8
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
580
600
620
640
660
680
700
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
TA = 25
°C
I
F
- TA
容许正向电流
IF （MA ）
60
V
H
30°
40°
50°
20°
10°
0° 10°
20°
30°
H
40°
V
50°
60°
70°
80°
40
60°
70°
80°
90°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20
90°
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
3
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)27C(F)
TLRME27C(F)
I
F
– V
F
100
50
TA = 25℃
10000
TA = 25℃
I
V
– I
F
30
发光强度IV（ MCD ）
（MA ）
正向电流IF
1000
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压VF
(V)
正向电流IF
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 -
波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
相对发光强度IV
5
3
相对发光强度
0.8
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
580
600
620
640
660
680
700
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
TA = 25
°C
I
F
- TA
容许正向电流
IF （MA ）
60
V
H
30°
40°
50°
20°
10°
0° 10°
20°
30°
H
40°
V
50°
60°
70°
80°
40
60°
70°
80°
90°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20
90°
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
4
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TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)27C(F)
TLSE27C(F)
I
F
– V
F
100
50
TA = 25℃
10000
TA = 25℃
I
V
– I
F
30
发光强度IV（ MCD ）
（MA ）
正向电流IF
1000
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压VF
(V)
正向电流IF
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 -
波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
相对发光强度IV
1
相对发光强度
0.8
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
560
580
600
620
640
660
680
壳温度（ ° C）
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
80
TA = 25
°C
I
F
- TA
容许正向电流
IF （MA ）
60
V
H
30°
40°
50°
20°
10°
0° 10°
20°
30°
H
40°
V
50°
60°
70°
80°
40
60°
70°
80°
90°
0
0.2
0.4
0.6
0.8
20
90°
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta （C ）
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2007-10-01
QQ：2881677436 复制
