TLP759(IGM)
暂定
东芝光电GaAAs IRED +图片IC
TLP759(IGM)
晶体管倒相器
变频空调器
线路接收器
IPM INTERFACES
东芝TLP759 （ IGM ）由一个GaAAs高
输出光
发光二极管和一个芯片照片diode-一个高速检测器
晶体管。
这个单位是8
引脚DIP 。
TLP759 （IGM ）不具有内部基极连接，一个法拉第屏蔽
集成的光电检测器芯片提供了有效的共同
模噪声瞬态抑制能力。
TLP759 （ IGM ）保证最小的传播和最高
延迟时间，切换时间的分散性，以及高共模
瞬态抑制能力。为此TLP759 （IGM ）是适用于隔离
IPM （智能功率模块）和控制IC之间的接口
电路中的电机控制应用。
以毫米单位
东芝
重量： 0.54克
1110C4
·
·
隔离电压： 5000V
RMS
（分）
共模瞬态抗扰度
： ± 10kV的/微秒（分钟）
@V
CM
=
1500
V
开关时间
: t
PHL ，
t
PLH
=为0.1μs （分钟）
= 0.8μs （最大）
@I
F
=
10mA,V
CC
=
15V,R
L
= 20kΩ时， TA = 25℃
开关时间分散： 0.7μS （最大）
(|t
PLH
-t
PHL
|)
TTL兼容
UL认证： UL1577 ，文件No.E67349
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
盾
8
7
6
5
1 ：北卡罗来纳州
2 ：阳极
3 ：阴极
4 ：北卡罗来纳州
5 ：发射器
6 ：收藏家
7 ：北卡罗来纳州
8 : V
CC
·
·
·
·
概要
I
CC
I
F
V
F
2
3
6
盾
5
I
O
V
O
GND
8
V
CC
1
2003-02-19
TLP759(IGM)
·
选项（ D4 ）型
VDE认证： DIN VDE0884 / 06.92 ，
最大工作绝缘电压： 890V
PK
最高允许过电压： 6000V
PK
（注1 ）当需要VDE0884批准的型式，
请指定“选项（ D4 ） ”
·
结构参数
7.62毫米PICH TLP759 （ IGM ）
爬电距离： 7.0毫米（分钟）
间隙： 7.0毫米（分钟）
保温层厚度： 0.4毫米（分钟）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
脉冲正向电流
LED
峰值瞬态正向电流
反向电压
二极管功耗
输出电流
探测器
峰值输出电流
输出电压
电源电压
输出功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度（ 10秒）
绝缘电压（ AC ， 1分， R.H.≤60 ％ ，TA = 25 ° C）
（注7 ）
（注8）
（注6 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
符号
I
F
I
FP
I
FPT
V
R
P
D
I
O
I
OP
V
O
V
CC
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
等级
25
50
1
5
45
8
16
-0.5~20
-0.5~30
100
-55~100
-55~125
260
5000
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
V
RMS
（注2 ） ：减免0.8毫安70°C以上。
（注3）： 50％的占空比， 1ms的脉冲宽度。
减额1.6毫安/°C， 70°C以上。
（注4 ） ：脉冲宽度PW
≤
1s,300pps.
（注5 ） ：减免0.9mW /°C， 70°C以上。
（注6 ） ：减免为2mW /°C， 70°C以上。
（注7 ） ：铅焊接部分：为从器件的身体2毫米。
（注8） ：设备考虑有一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并
销5 ，6，7和8短接在一起。
2
2003-02-19
TLP759(IGM)
开关特性
（ TA = 25 ° C，V
CC
= 15V)
特征
传播延迟时间
（H → L）
传播延迟时间
（ L→H ）
符号
t
PHL
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA = 0 85°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA =
-25~100°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA = 0 85°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA =
-25~100°C
CM
H
（注9 ）
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低输出
（注9 ）
CM
L
2
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1500V
p-p
R
L
= 20k
I
F
=10mA
V
CM
= 1500V
p-p
R
L
= 20k
分钟。
0.1
0.1
0.1
―
―
―
典型值。
0.45
0.45
0.45
0.15
0.25
0.25
马克斯。
0.8
0.9
1.0
0.7
0.8
0.9
s
s
单位
t
PLH
1
开关时间
论分散
和关闭
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高电平输出。
|t
PLH
-t
PHL
|
10000
15000
―
V / μs的
-10000 -15000
―
V / μs的
（注9 ） ： CM
L
是落入共模电压的，可以是最大速率
持续与所述输出电压中的逻辑低状态（Ⅴ
O
< 1V ） 。
CM
H
是上升的共模电压的，可以是最大速率
持续与所述输出电压中的逻辑高状态（Ⅴ
O
< 4V ） 。
（注10 ） ：最大静电放电电压为任何引脚： 100V （C = 200pF的，R = 0）。
测试电路1 ：开关时间测试电路
脉冲输入
PW = 100μs的
占空比= 1月10日
I
F
MONITOR
51
I
F
1
2
3
4
8
7
0.1F
6
5
R
L
V
O
产量
MONITOR
V
CC
= 15 V
I
F
0
V
O
1.5V
15V
1.5V
V
OL
t
PLH
t
p
HL
4
2003-02-19
TLP759(IGM)
暂定
东芝光电GaAAs IRED +图片IC
TLP759(IGM)
晶体管倒相器
变频空调器
线路接收器
IPM INTERFACES
东芝TLP759 （ IGM ）由一个GaAAs高
输出光
发光二极管和一个芯片照片diode-一个高速检测器
晶体管。
这个单位是8
引脚DIP 。
TLP759 （IGM ）不具有内部基极连接，一个法拉第屏蔽
集成的光电检测器芯片提供了有效的共同
模噪声瞬态抑制能力。
TLP759 （ IGM ）保证最小的传播和最高
延迟时间，切换时间的分散性，以及高共模
瞬态抑制能力。为此TLP759 （IGM ）是适用于隔离
IPM （智能功率模块）和控制IC之间的接口
电路中的电机控制应用。
以毫米单位
东芝
重量： 0.54克
1110C4
·
·
隔离电压： 5000V
RMS
（分）
共模瞬态抗扰度
： ± 10kV的/微秒（分钟）
@V
CM
=
1500
V
开关时间
: t
PHL ，
t
PLH
=为0.1μs （分钟）
= 0.8μs （最大）
@I
F
=
10mA,V
CC
=
15V,R
L
= 20kΩ时， TA = 25℃
开关时间分散： 0.7μS （最大）
(|t
PLH
-t
PHL
|)
TTL兼容
UL认证： UL1577 ，文件No.E67349
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
盾
8
7
6
5
1 ：北卡罗来纳州
2 ：阳极
3 ：阴极
4 ：北卡罗来纳州
5 ：发射器
6 ：收藏家
7 ：北卡罗来纳州
8 : V
CC
·
·
·
·
概要
I
CC
I
F
V
F
2
3
6
盾
5
I
O
V
O
GND
8
V
CC
1
2003-02-19
TLP759(IGM)
·
选项（ D4 ）型
VDE认证： DIN VDE0884 / 06.92 ，
最大工作绝缘电压： 890V
PK
最高允许过电压： 6000V
PK
（注1 ）当需要VDE0884批准的型式，
请指定“选项（ D4 ） ”
·
结构参数
7.62毫米PICH TLP759 （ IGM ）
爬电距离： 7.0毫米（分钟）
间隙： 7.0毫米（分钟）
保温层厚度： 0.4毫米（分钟）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
脉冲正向电流
LED
峰值瞬态正向电流
反向电压
二极管功耗
输出电流
探测器
峰值输出电流
输出电压
电源电压
输出功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度（ 10秒）
绝缘电压（ AC ， 1分， R.H.≤60 ％ ，TA = 25 ° C）
（注7 ）
（注8）
（注6 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
符号
I
F
I
FP
I
FPT
V
R
P
D
I
O
I
OP
V
O
V
CC
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
等级
25
50
1
5
45
8
16
-0.5~20
-0.5~30
100
-55~100
-55~125
260
5000
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
V
RMS
（注2 ） ：减免0.8毫安70°C以上。
（注3）： 50％的占空比， 1ms的脉冲宽度。
减额1.6毫安/°C， 70°C以上。
（注4 ） ：脉冲宽度PW
≤
1s,300pps.
（注5 ） ：减免0.9mW /°C， 70°C以上。
（注6 ） ：减免为2mW /°C， 70°C以上。
（注7 ） ：铅焊接部分：为从器件的身体2毫米。
（注8） ：设备考虑有一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并
销5 ，6，7和8短接在一起。
2
2003-02-19
TLP759(IGM)
开关特性
（ TA = 25 ° C，V
CC
= 15V)
特征
传播延迟时间
（H → L）
传播延迟时间
（ L→H ）
符号
t
PHL
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA = 0 85°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA =
-25~100°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA = 0 85°C
I
F
= 10毫安，R
L
= 20k
TA =
-25~100°C
CM
H
（注9 ）
共模
瞬态抗扰度在
逻辑低输出
（注9 ）
CM
L
2
I
F
= 0毫安
V
CM
= 1500V
p-p
R
L
= 20k
I
F
=10mA
V
CM
= 1500V
p-p
R
L
= 20k
分钟。
0.1
0.1
0.1
―
―
―
典型值。
0.45
0.45
0.45
0.15
0.25
0.25
马克斯。
0.8
0.9
1.0
0.7
0.8
0.9
s
s
单位
t
PLH
1
开关时间
论分散
和关闭
共模
瞬态抗扰度在
逻辑高电平输出。
|t
PLH
-t
PHL
|
10000
15000
―
V / μs的
-10000 -15000
―
V / μs的
（注9 ） ： CM
L
是落入共模电压的，可以是最大速率
持续与所述输出电压中的逻辑低状态（Ⅴ
O
< 1V ） 。
CM
H
是上升的共模电压的，可以是最大速率
持续与所述输出电压中的逻辑高状态（Ⅴ
O
< 4V ） 。
（注10 ） ：最大静电放电电压为任何引脚： 100V （C = 200pF的，R = 0）。
测试电路1 ：开关时间测试电路
脉冲输入
PW = 100μs的
占空比= 1月10日
I
F
MONITOR
51
I
F
1
2
3
4
8
7
0.1F
6
5
R
L
V
O
产量
MONITOR
V
CC
= 15 V
I
F
0
V
O
1.5V
15V
1.5V
V
OL
t
PLH
t
p
HL
4
2003-02-19
QQ：2880707522 复制
