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TLP747G

东芝光电耦合器

砷化镓红外发光二极管&光电晶闸管

TLP747G

办公设备

家用设备

固态继电器

开关电源

东芝TLP747G由一个光电可控硅光耦合的

到砷化镓红外在6引脚塑料DIP发光二极管。

峰值断态电压： 400 V （分钟）

触发LED电流：15 MA（最大）

通态电流（最大值） 150毫安

UL认证： UL1577 ，文件号E67349

BSI认可： BS EN60065 ：2002

证书编号。 7364

BS EN60950-1 ：2002

证书编号。 7365

SEMCO批准： EN60065 ， EN60950-1 ， EN60335-1

证书no.302586

隔离电压： 4000 Vrms的（分钟）

选项（ D4 ）型

VDE认证： DIN EN 60747-5-2 ，

证书编号。 40009373

最大工作绝缘电压： 630 ， 890 V

最高允许过电压： 6000 ， 8000 V

（注）

当需要EN 60747-5-2型式认可，

请指定“选项（ D4 ） ”

东芝

重量： 0.42克

117A8

以毫米单位

引脚配置

（ TOP VIEW ）

爬电距离

净空

7.62毫米PICH

标准型

： 7.0毫米（分钟）

10.16毫米PICH

TLP ××× F型

8.0毫米（分钟）

0.5毫米（分钟）

保温层厚度标准：0.5mm （分钟）

1 ：阳极

2 ：阴极

3 ： NC

4 ：阴极

5 ：阳极

6 ： GATE

2007-10-01

TLP747G

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

正向电流降额（大

≥

39°C)

LED

峰值正向电流（ 100μs的脉冲， 100pps ）

反向电压

结温

峰值正向电压（R

= 27k)

峰值反向电压（R

= 27k)

通态电流

通态电流降额（大

≥

25°C)

探测器

峰值通态电流（ 100

μs

脉冲， 120pps ）

峰值一个周期浪涌电流

峰值反向栅极电压

功耗

功耗降额（大

≥

25°C)

结温

存储温度范围

工作温度范围

引线焊接温度（ 10秒）

总计封装功耗

总包功耗降额（大

≥

25°C)

隔离电压（ AC， 1分，相对湿度

≤

60%)

（注）

符号

ΔI

/ °C

DRM

RRM

T（ RMS ）

ΔI

/ °C

TSM

ΔP

/ °C

英镑

OPR

SOL

ΔP

/ °C

等级

0.7

125

400

150

2.0

150

2.0

100

55~125

40~100

260

250

3.3

4000

单位

毫安/°C的

°C

毫安/°C的

毫瓦/°C的

°C

毫瓦/°C的

VRMS

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

（注）

设备认为是一个双端器件：引脚1,2和3短接在一起，并且引脚4，5和6短

在一起。

推荐工作条件

特征

电源电压

正向电流

工作温度

门阴极电阻

门到阴极的能力

符号

OPR

分钟。

―

典型值。

―

0.01

马克斯。

120

0.1

单位

VAC

°C

μF

注：推荐工作条件给出的设计方针，以获得预期的性能

装置。此外，每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计

产品时，请确认本文档中指定的特性。

2007-10-01

TLP747G

个人电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

正向电压

LED

反向电流

电容

断态电流

符号

DRM

= 10毫安

= 5V

V = 0 ， F = 1MHz的

= 400V

= 27k

= 400V

= 27k

= 100毫安

= 27k

= 280V ，R

= 27k

V = 0,

F = 1MHz的

阳极门

门到阴极

TA = 25°C

TA = 100℃

TA = 25°C

TA = 100℃

测试条件

分钟。

1.0

―

典型值。

1.15

―

0.9

0.2

350

马克斯。

1.3

―

5000

100

5000

100

1.3

―

单位

μA

V /

μs

反向电流

探测器

导通电压

保持电流

关断状态的dv / dt

电容

RRM

dv / dt的

耦合特性

（ TA = 25°C ）

特征

触发LED电流

开启时间

再加上的dv / dt

电容（输入输出）

绝缘电阻

符号

dv / dt的

测试条件

= 6V ，R

= 27k

= 30mA时V

= 50V

= 27k

= 500V ，R

= 27k

= 0中，f = 1MHz的

= 500V ，相对湿度

≤

60%

交流电，1分钟后

隔离电压

AC， 1秒，在油

直流，1分钟，在油

分钟。

―

500

―

1×10

典型值。

―

0.8

马克斯。

―

单位

μs

V /

μs

VRMS

VDC

4000

―

10000

2007-10-01

TLP747G

- TA

100

250

T（ RMS ）

- TA

容许正向电流

IF （MA ）

200

均方根通态电流

IT （ RMS ）（MA ）

100

120

150

100

120

环境温度Ta （C ）

– D

允许脉冲正向电流IFP （毫安）

3000

脉冲宽度

≦

100μs

TA = 25°C

100

TA = 25°C

– V

500

300

（MA ）

正向电流IF

1000

100

0.5

0.3

0.1

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

占空比

正向电压VF

(V)

= TA

- I

3.2

1000

500

300

– V

正向电压温度

系数

F /

= TA

（毫伏/ ° C）

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.1

脉冲正向电流IFP （毫安）

2.8

100

脉冲宽度

≦

10μs

重复

频率= 100Hz的

TA = 25°C

0.3 0.5

30 50

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

2.6

正向电流IF

（MA ）

脉冲正向电压

VFP （ V）

2007-10-01

TLP747G

– I

TA = 25°C

200

dv / dt的 - R的

TA = 25°C

RL = 100Ω

VAA = 50V

导通时间ton （微秒）

的临界上升率

断态电压的dv / dt （V /

μs)

100

VAK = 200V

400V

RGK = 10kΩ的

27k

正向电流IF

（MA ）

100

- TA

触发LED电流IFT （毫安）

VAK = 6V

RL = 100Ω

RGK = 10kΩ的

门极 - 阴极电阻RGK （千欧）

27k

- R

100

TA = 25°C

VAK = 6V

RL = 100Ω

触发LED电流IFT （毫安）

100

环境温度Ta （C ）

- TA

0.7

（MA ）

0.5

保持电流IH

RGK = 10kΩ的

27k

100

200

0.3

门极 - 阴极电阻RGK （千欧）

0.1

100

环境温度Ta （C ）

- R

TA = 25°C

的临界上升率

断态电压的dv / dt （V /

μs)

保持电流IH

500

TA = 85°C

VAK = 400V

300 R

GK = 27kΩ

100

（MA ）

dv / dt的 - C

0.5

0.3

0.001

0.003

0.005

0.01

0.1

100

200

栅极 - 阴极电容

CGK （ μF ）

门极 - 阴极电阻RGK （千欧）

2007-10-01