TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
≤
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
≥
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
―
15
―
-25
典型值。
―
20
―
―
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
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东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
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办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
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峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
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引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
≤
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
≥
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
―
15
―
-25
典型值。
―
20
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―
马克斯。
120
25
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85
单位
VAC
mA
A
°C
2
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东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
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办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
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峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
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东芝
重量: 0.44克
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最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
≤
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
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DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
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SOL
(注1 )
BV
S
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-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
≥
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
―
15
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-25
典型值。
―
20
―
―
马克斯。
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单位
VAC
mA
A
°C
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东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
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办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
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峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
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以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
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引脚配置
( TOP VIEW )
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6
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最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
≤
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
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/ °C
I
TP
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英镑
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OPR
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SOL
(注1 )
BV
S
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-0.7
1
5
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400
100
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-40~100
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毫安/°C的
A
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°C
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毫安/°C的
A
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RMS
通态电流降额(大
≥
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
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结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
―
15
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典型值。
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马克斯。
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85
单位
VAC
mA
A
°C
2
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东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
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办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
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峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
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最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
≤
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
≥
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
―
15
―
-25
典型值。
―
20
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马克斯。
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85
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