添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第607页 > TLP665G
TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
15
-25
典型值。
20
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
TLP665G
电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
峰值通态电压
探测器
保持电流
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的(C )
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120V , TA = 85°C
V
in
= 30V
RMS
, I
T
= 15毫安
(注2 )
(注2 )
测试条件
分钟。
1.0
200
典型值。
1.15
30
10
1.7
0.6
500
0.2
马克斯。
1.3
10
100
3.0
单位
V
A
pF
nA
V
mA
V / μs的
V / μs的
耦合电气特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
电容(输入输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
C
S
R
S
V
T
= 3V
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V , R.H.≤ 60 %
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
测试条件
分钟。
1×10
12
5000
典型值。
5
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
pF
V
RMS
V
dc
(注2 )
dv / dt的测试电路
R
in
V
in
1
2
3
4
6
R
L
2k
dv / dt的(C )
dv / dt的
5V
,
V
CC
0V
V
CC
120
3
2002-09-25
TLP665G
I
F
- TA
100
200
I
T( RMS )
- TA
80
160
容许正向电流
IF (MA )
60
R.m.s舞台上的电流
IT ( RMS ) (MA )
100
120
40
80
20
40
0
20
0
20
40
60
80
120
0
20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta( A)
环境温度Ta (C )
I
FP
– D
R
3000
脉冲宽度
100s
TA = 25°C
100
50
30
TA = 25°C
I
F
– V
F
允许脉冲转发
电流I
FP
(MA )
500
300
(MA )
10
1000
正向电流I
F
10
3
2
1
5
3
1
0.5
0.3
100
50
30
10
3
3
10
3
10
3
10
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
占空比比D
R
正向电压
V
F
(V)
V
F
/
= TA
– I
F
3.2
1000
500
I
FP
– V
FP
正向电压温度
系数
V
F /
= TA
(毫伏/ ° C)
(MA )
I
FP
脉冲正向电流
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
300
100
50
30
10
5
3
脉冲witdh
10s
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
1
0.6
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电压V
FP
(V)
4
2002-09-25
TLP665G
归一化我
FT
- TA
3
2
VT = 3V
3
2
归一化我
H
- TA
触发LED电流IFT (毫安)
(任意单位)
1.2
1
维持电流IH (毫安)
(任意单位)
20
0
20
40
60
80
100
1.2
1
0.5
0.5
0.3
0.3
0.1
40
0.1
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
DRM
- TA
10
3
归V
DRM
- TA
1.4
VDRM
VDRM =额定
峰值断态电流IDRM
(任意单位)
1.2
10
2
断态输出端子电压
(任意单位)
20
40
60
80
100
1.0
0.8
10
1
0.6
0.4
10
0
0.2
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
F
/ I
FT
– P
w
10
标准化的LED电流IF / IFT
5
3
2
1.6
1.2
1
10
30
50
100
300
500
1000
LED电流脉冲宽P
w
(s)
5
2002-09-25
TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
15
-25
典型值。
20
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
TLP665G
电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
峰值通态电压
探测器
保持电流
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的(C )
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120V , TA = 85°C
V
in
= 30V
RMS
, I
T
= 15毫安
(注2 )
(注2 )
测试条件
分钟。
1.0
200
典型值。
1.15
30
10
1.7
0.6
500
0.2
马克斯。
1.3
10
100
3.0
单位
V
A
pF
nA
V
mA
V / μs的
V / μs的
耦合电气特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
电容(输入输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
C
S
R
S
V
T
= 3V
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V , R.H.≤ 60 %
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
测试条件
分钟。
1×10
12
5000
典型值。
5
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
pF
V
RMS
V
dc
(注2 )
dv / dt的测试电路
R
in
V
in
1
2
3
4
6
R
L
2k
dv / dt的(C )
dv / dt的
5V
,
V
CC
0V
V
CC
120
3
2002-09-25
TLP665G
I
F
- TA
100
200
I
T( RMS )
- TA
80
160
容许正向电流
IF (MA )
60
R.m.s舞台上的电流
IT ( RMS ) (MA )
100
120
40
80
20
40
0
20
0
20
40
60
80
120
0
20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta( A)
环境温度Ta (C )
I
FP
– D
R
3000
脉冲宽度
100s
TA = 25°C
100
50
30
TA = 25°C
I
F
– V
F
允许脉冲转发
电流I
FP
(MA )
500
300
(MA )
10
1000
正向电流I
F
10
3
2
1
5
3
1
0.5
0.3
100
50
30
10
3
3
10
3
10
3
10
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
占空比比D
R
正向电压
V
F
(V)
V
F
/
= TA
– I
F
3.2
1000
500
I
FP
– V
FP
正向电压温度
系数
V
F /
= TA
(毫伏/ ° C)
(MA )
I
FP
脉冲正向电流
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
300
100
50
30
10
5
3
脉冲witdh
10s
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
1
0.6
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电压V
FP
(V)
4
2002-09-25
TLP665G
归一化我
FT
- TA
3
2
VT = 3V
3
2
归一化我
H
- TA
触发LED电流IFT (毫安)
(任意单位)
1.2
1
维持电流IH (毫安)
(任意单位)
20
0
20
40
60
80
100
1.2
1
0.5
0.5
0.3
0.3
0.1
40
0.1
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
DRM
- TA
10
3
归V
DRM
- TA
1.4
VDRM
VDRM =额定
峰值断态电流IDRM
(任意单位)
1.2
10
2
断态输出端子电压
(任意单位)
20
40
60
80
100
1.0
0.8
10
1
0.6
0.4
10
0
0.2
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
F
/ I
FT
– P
w
10
标准化的LED电流IF / IFT
5
3
2
1.6
1.2
1
10
30
50
100
300
500
1000
LED电流脉冲宽P
w
(s)
5
2002-09-25
TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
15
-25
典型值。
20
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
TLP665G
电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
峰值通态电压
探测器
保持电流
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的(C )
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120V , TA = 85°C
V
in
= 30V
RMS
, I
T
= 15毫安
(注2 )
(注2 )
测试条件
分钟。
1.0
200
典型值。
1.15
30
10
1.7
0.6
500
0.2
马克斯。
1.3
10
100
3.0
单位
V
A
pF
nA
V
mA
V / μs的
V / μs的
耦合电气特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
电容(输入输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
C
S
R
S
V
T
= 3V
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V , R.H.≤ 60 %
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
测试条件
分钟。
1×10
12
5000
典型值。
5
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
pF
V
RMS
V
dc
(注2 )
dv / dt的测试电路
R
in
V
in
1
2
3
4
6
R
L
2k
dv / dt的(C )
dv / dt的
5V
,
V
CC
0V
V
CC
120
3
2002-09-25
TLP665G
I
F
- TA
100
200
I
T( RMS )
- TA
80
160
容许正向电流
IF (MA )
60
R.m.s舞台上的电流
IT ( RMS ) (MA )
100
120
40
80
20
40
0
20
0
20
40
60
80
120
0
20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta( A)
环境温度Ta (C )
I
FP
– D
R
3000
脉冲宽度
100s
TA = 25°C
100
50
30
TA = 25°C
I
F
– V
F
允许脉冲转发
电流I
FP
(MA )
500
300
(MA )
10
1000
正向电流I
F
10
3
2
1
5
3
1
0.5
0.3
100
50
30
10
3
3
10
3
10
3
10
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
占空比比D
R
正向电压
V
F
(V)
V
F
/
= TA
– I
F
3.2
1000
500
I
FP
– V
FP
正向电压温度
系数
V
F /
= TA
(毫伏/ ° C)
(MA )
I
FP
脉冲正向电流
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
300
100
50
30
10
5
3
脉冲witdh
10s
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
1
0.6
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电压V
FP
(V)
4
2002-09-25
TLP665G
归一化我
FT
- TA
3
2
VT = 3V
3
2
归一化我
H
- TA
触发LED电流IFT (毫安)
(任意单位)
1.2
1
维持电流IH (毫安)
(任意单位)
20
0
20
40
60
80
100
1.2
1
0.5
0.5
0.3
0.3
0.1
40
0.1
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
DRM
- TA
10
3
归V
DRM
- TA
1.4
VDRM
VDRM =额定
峰值断态电流IDRM
(任意单位)
1.2
10
2
断态输出端子电压
(任意单位)
20
40
60
80
100
1.0
0.8
10
1
0.6
0.4
10
0
0.2
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
F
/ I
FT
– P
w
10
标准化的LED电流IF / IFT
5
3
2
1.6
1.2
1
10
30
50
100
300
500
1000
LED电流脉冲宽P
w
(s)
5
2002-09-25
TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
15
-25
典型值。
20
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
TLP665G
电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
峰值通态电压
探测器
保持电流
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的(C )
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120V , TA = 85°C
V
in
= 30V
RMS
, I
T
= 15毫安
(注2 )
(注2 )
测试条件
分钟。
1.0
200
典型值。
1.15
30
10
1.7
0.6
500
0.2
马克斯。
1.3
10
100
3.0
单位
V
A
pF
nA
V
mA
V / μs的
V / μs的
耦合电气特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
电容(输入输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
C
S
R
S
V
T
= 3V
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V , R.H.≤ 60 %
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
测试条件
分钟。
1×10
12
5000
典型值。
5
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
pF
V
RMS
V
dc
(注2 )
dv / dt的测试电路
R
in
V
in
1
2
3
4
6
R
L
2k
dv / dt的(C )
dv / dt的
5V
,
V
CC
0V
V
CC
120
3
2002-09-25
TLP665G
I
F
- TA
100
200
I
T( RMS )
- TA
80
160
容许正向电流
IF (MA )
60
R.m.s舞台上的电流
IT ( RMS ) (MA )
100
120
40
80
20
40
0
20
0
20
40
60
80
120
0
20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta( A)
环境温度Ta (C )
I
FP
– D
R
3000
脉冲宽度
100s
TA = 25°C
100
50
30
TA = 25°C
I
F
– V
F
允许脉冲转发
电流I
FP
(MA )
500
300
(MA )
10
1000
正向电流I
F
10
3
2
1
5
3
1
0.5
0.3
100
50
30
10
3
3
10
3
10
3
10
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
占空比比D
R
正向电压
V
F
(V)
V
F
/
= TA
– I
F
3.2
1000
500
I
FP
– V
FP
正向电压温度
系数
V
F /
= TA
(毫伏/ ° C)
(MA )
I
FP
脉冲正向电流
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
300
100
50
30
10
5
3
脉冲witdh
10s
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
1
0.6
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电压V
FP
(V)
4
2002-09-25
TLP665G
归一化我
FT
- TA
3
2
VT = 3V
3
2
归一化我
H
- TA
触发LED电流IFT (毫安)
(任意单位)
1.2
1
维持电流IH (毫安)
(任意单位)
20
0
20
40
60
80
100
1.2
1
0.5
0.5
0.3
0.3
0.1
40
0.1
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
DRM
- TA
10
3
归V
DRM
- TA
1.4
VDRM
VDRM =额定
峰值断态电流IDRM
(任意单位)
1.2
10
2
断态输出端子电压
(任意单位)
20
40
60
80
100
1.0
0.8
10
1
0.6
0.4
10
0
0.2
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
F
/ I
FT
– P
w
10
标准化的LED电流IF / IFT
5
3
2
1.6
1.2
1
10
30
50
100
300
500
1000
LED电流脉冲宽P
w
(s)
5
2002-09-25
TLP665G
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电可控硅
TLP665G
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP665G包括一个光三端双向可控硅光学耦合到的
砷化镓红外的6引脚塑料DIP发光二极管。
·
·
·
·
·
·
峰值断态电压: 400V (分钟)
触发LED电流: 10mA(最)
通态电流:100mA (最大)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
隔离电压: 5000V
RMS
(分)
选项( D4 )型
VDE认证: DIN VDE0884 / 08.87 ,
证书编号。 68383
最大工作绝缘电压: 630V
PK
最高允许过电压: 6000V
PK
(注)当需要VDE0884认证的型号,请
指定“选项(D4) ”
结构参数
7.62毫米间距
标准型
爬电距离
净空
绝缘
厚度
7.0毫米(分钟)
7.0毫米(分钟)
0.5毫米(分钟)
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :北卡罗来纳州
4 : 1号航站楼
6 : 2号航站楼
4
2
以毫米单位
东芝
重量: 0.44克
119A2
·
引脚配置
( TOP VIEW )
1
6
1
2002-09-25
TLP665G
最大额定值
( TA = 25°C )
正向电流
正向电流降额(大
53°C)
最大正向电流
( 100 μs的脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
开启状态RMS电流
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
LED
I
F
I
F
/ °C
I
FP
V
R
T
j
V
DRM
I
T( RMS )
I
T
/ °C
I
TP
I
TSM
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注1 )
BV
S
50
-0.7
1
5
125
400
100
50
-1.1
2
1.2
115
-55~125
-40~100
260
5000
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
A
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
通态电流降额(大
25°C)
峰值通态电流
( 100μs的脉冲, 120pps )
非重复性峰值浪涌电流
(P
W
= 10ms时, DC = 10% )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H.≤ 60%)
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1,2和3短接在一起,销4和6短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
I
TP
T
OPR
分钟。
15
-25
典型值。
20
马克斯。
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
2
2002-09-25
TLP665G
电气特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
峰值通态电压
探测器
保持电流
的临界上升率
断态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的(C )
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 , F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120V , TA = 85°C
V
in
= 30V
RMS
, I
T
= 15毫安
(注2 )
(注2 )
测试条件
分钟。
1.0
200
典型值。
1.15
30
10
1.7
0.6
500
0.2
马克斯。
1.3
10
100
3.0
单位
V
A
pF
nA
V
mA
V / μs的
V / μs的
耦合电气特性
( TA = 25°C )
特征
触发LED电流
电容(输入输出)
绝缘电阻
符号
I
FT
C
S
R
S
V
T
= 3V
V
S
= 0中,f = 1MHz的
V
S
= 500V , R.H.≤ 60 %
交流电,1分钟后
隔离电压
BV
S
AC, 1秒,在油
直流,1分钟,在油
测试条件
分钟。
1×10
12
5000
典型值。
5
0.8
10
14
10000
10000
马克斯。
10
单位
mA
pF
V
RMS
V
dc
(注2 )
dv / dt的测试电路
R
in
V
in
1
2
3
4
6
R
L
2k
dv / dt的(C )
dv / dt的
5V
,
V
CC
0V
V
CC
120
3
2002-09-25
TLP665G
I
F
- TA
100
200
I
T( RMS )
- TA
80
160
容许正向电流
IF (MA )
60
R.m.s舞台上的电流
IT ( RMS ) (MA )
100
120
40
80
20
40
0
20
0
20
40
60
80
120
0
20
0
20
40
60
80
100
120
环境温度Ta( A)
环境温度Ta (C )
I
FP
– D
R
3000
脉冲宽度
100s
TA = 25°C
100
50
30
TA = 25°C
I
F
– V
F
允许脉冲转发
电流I
FP
(MA )
500
300
(MA )
10
1000
正向电流I
F
10
3
2
1
5
3
1
0.5
0.3
100
50
30
10
3
3
10
3
10
3
10
0.1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
占空比比D
R
正向电压
V
F
(V)
V
F
/
= TA
– I
F
3.2
1000
500
I
FP
– V
FP
正向电压温度
系数
V
F /
= TA
(毫伏/ ° C)
(MA )
I
FP
脉冲正向电流
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.1
300
100
50
30
10
5
3
脉冲witdh
10s
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0.3 0.5
1
3
5
10
30
50
1
0.6
正向电流
I
F
(MA )
脉冲正向电压V
FP
(V)
4
2002-09-25
TLP665G
归一化我
FT
- TA
3
2
VT = 3V
3
2
归一化我
H
- TA
触发LED电流IFT (毫安)
(任意单位)
1.2
1
维持电流IH (毫安)
(任意单位)
20
0
20
40
60
80
100
1.2
1
0.5
0.5
0.3
0.3
0.1
40
0.1
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
DRM
- TA
10
3
归V
DRM
- TA
1.4
VDRM
VDRM =额定
峰值断态电流IDRM
(任意单位)
1.2
10
2
断态输出端子电压
(任意单位)
20
40
60
80
100
1.0
0.8
10
1
0.6
0.4
10
0
0.2
40
20
0
20
40
60
80
100
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )
归一化我
F
/ I
FT
– P
w
10
标准化的LED电流IF / IFT
5
3
2
1.6
1.2
1
10
30
50
100
300
500
1000
LED电流脉冲宽P
w
(s)
5
2002-09-25
查看更多TLP665GPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TLP665G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TLP665G
TOSHIBA/东芝
21+
9800
DIP5
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1554146599 复制

电话:0510-87070646
联系人:许先生
地址:宜兴环保科技园岳阳苑大厦502-602室(开13%增票)
TLP665G
东芝
24+
45000
【原装】
★★★㊣ 一级代理 原装现货★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TLP665G
TOSHIBA
24+
18530
DIP5
全新原装现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1758033668 复制 点击这里给我发消息 QQ:957150379 复制 点击这里给我发消息 QQ:1729079884 复制

电话:0755-28227524/89202071/82704952/13430681361
联系人:陈先生/李小姐/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商!
地址:深圳市福田区华强北新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北振兴路华匀大厦1栋315室 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
TLP665G
TOSHIBA
2346+
72397
DIPSOP
假一罚百!公司原装现货 绝无虚假 特价热卖!真实库存!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TLP665G
TOSHIBA/东芝
2406+
106
SOP
十年芯路!坚持原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1871955283 复制 点击这里给我发消息 QQ:2942939487 复制

电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
TLP665G
TOS
21+
5200
DIP-5
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004330546 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
TLP665G
TOSHIBA
20+
13500
DIPSOP
原装现货专业光耦
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2360675383 复制 点击这里给我发消息 QQ:1551106297 复制

电话:0755-83679110 0755-23125986
联系人:朱生/李小姐
地址:█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20(门市:新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】
TLP665G
TOSHIBA【原装正品】
NEW
11324
DIP5
█◆★【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TLP665G
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
SOP
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TLP665G
TOSHIBA/东芝
24+
8640
DIP-5
全新原装现货,原厂代理。
查询更多TLP665G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!