TLP627,TLP627-2,TLP627-4
东芝光电耦合器
砷化镓红外发光二极管&光电晶体管
TLP627,TLP627-2,TLP627-4
以毫米单位
可编程控制器
直流输出模块
电信
东芝TLP627 , -2和-4由砷化镓红外
发光二极管的光耦合到一个达林顿连接的晶体管
其中有一个整体的基极 - 发射极电阻器,以优化开关速度和
升高的温度特性。
该TLP627-2提供了两个独立的通道, 8引脚塑料DIP ,
而TLP627-4提供每包四个隔离通道。
集电极 - 发射极电压
电流传输比
隔离电压
UL认可
: 300V (最小值)
: 1000% (最小值)
: 5000Vrms (最小值)
: UL1577 ,文件No.E67349
MADE IN JAPAN
UL认可
BSI批准
E67349
7426, 7427
*1
*2
泰国制造
E152349
7426, 7427
*1
*2
东芝
重量: 0.26克
115B2
*1
UL1577
* 2 BS EN60065 :2002 , BS EN60950-1 :2002
东芝
1110C4
引脚配置(顶视图)
TLP627
TLP627-2
TLP627-4
重量: 0.54克
1
2
1 :阳极
2 :阴极
3 :发射器
4 :收藏家
4
3
1
2
3
4
1,3:阳极
2,4 :阴极
5,7 :发射器
6,8 :收藏家
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
东芝
重量: 1.1克
1120A3
1,3,5,7
:阳极
2,4,6,8
:阴极
9,11,13,15 :辐射源
10,12,14,16 :收藏家
1
2007-10-01
TLP627,TLP627-2,TLP627-4
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
等级
特征
符号
TLP627
正向电流
正向电流降额
脉冲正向电流
LED
功耗
功耗降额( Ta≥25 ° C, 1电路)
反向电压
结温
集电极 - 发射极电压
探测器
发射极电压-collector
集电极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率降额
结温
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总计封装功耗降额
隔离电压
( AC , 1分, R.H.≤60 % )
( Ta≥25 ° C, 1电路)
(Note1)
( 1电路)
( Ta≥25 ° C, 1电路)
( 1电路)
I
F
I
F
/°C
I
FP
P
D
P
D
/°C
V
R
Tj
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
P
c
/°C
T
j
T
OPR
T
英镑
T
出售
P
T
P
T
/°C
BV
S
150(*300)
-1.5(*-3.5)
125
55~100
55~125
260(10sec)
250(*320)
-2.5(*-3.2)
5000
150
-1.5
60
0.7(Ta≥39°C)
TLP627-2
TLP627-4
50
0.5(Ta≥25°C)
单位
mA
毫安/°C的
A
mW
毫瓦/°C的
V
°C
V
V
mA
1 ( 100μs的脉冲, 100pps )
100
-1.0
5
125
300
0.3
150
100
-1.0
70
-0.7
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
VRMS
* IF = 20mA的最大
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
(注1 )设备视为两个终端设备:LED侧引脚短接在一起,并
探测器侧引脚短接
在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
集电极电流
工作温度
符号
V
CC
I
F
I
C
T
OPR
分钟。
—
—
—
25
典型值。
—
16
—
—
马克斯。
200
25
120
85
单位
V
mA
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
2
2007-10-01
TLP627X
TLP627
高压达林顿
输出光耦合
隔离器
认证
UL认证,文件号E91231
“X” SPECIFICATIONAPPROVALS
VDE 0884 3可铅形式: -
- STD
-
摹形
-
SMD批准CECC 00802
描述
该TLP627是光学耦合型隔离器
由红外线发光二极管和一对
高电压NPN硅光电达林顿哪些
有一个整体的基极 - 发射极电阻器,以优化
开关速度和升高的温度下
特性在标准的4针双列直插式
塑料封装。
特点
选项: -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
高隔离电压( 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
高电流传输比( 1000 %以上)
高BV
首席执行官
( 300V分钟)
低输入电流1mA我
F
应用
调制解调器
复印机,传真机
数控机床
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
表面贴装
2.54
7.0
6.0
1.2
5.08
4.08
3.0
0.5
4.0
3.0
0.5
3.35
1
2
尺寸(mm)
4
3
7.62
13°
最大
0.26
绝对最大额定值
( 25°C除非另有说明)
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
工作温度
-30 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
( 1/16英寸( 1.6毫米)从案例10秒) 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
集电极电流I
C
功耗
功耗
总功耗
200mW
300V
150mA
150mW
50mA
6V
70mW
OPTION SM
选项G
7.62
10.46
9.86
0.6
0.1
1.25
0.75
0.26
10.16
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ,公园景观西路,
公园景工业村,布伦达路
哈特尔浦, TS25 1YD England电话: ( 01429 ) 863609
传真: ( 01429 ) 863581电子邮件sales@isocom.co.uk
http://www.isocom.com
26/11/09
DB92651m-AAS/A3
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
输入
正向电压(V
F
)
反向电流(I
R
)
产量
集电极 - 发射极击穿( BV
首席执行官
)
发射极 - 集电极击穿( BV
ECO
)
集电极 - 发射极暗电流(I
首席执行官
)
300
0.3
10
200
最小典型最大单位
1.0
1.15
1.3
10
V
μA
V
V
nA
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 4V
I
C
= 0.1毫安
I
E
= 0.1毫安
V
CE
= 200V
再加
电流传输比( CTR )
饱和的点击率( CTR
SAT
)
集电极 - 发射极SaturationVoltageV
CE ( SAT )
集电极 - 发射极SaturationVoltageV
CE ( SAT )
输入到输出隔离电压V
ISO
输入输出隔离阻抗R
ISO
输入输出电容
Cf
1000
500
4000
1.2
1.0
%
%
V
V
V
RMS
V
PK
Ω
pF
1毫安我
F
, 1V V
CE
10毫安我
F
, 1V V
CE
10毫安我
F
, 100毫安我
C
1毫安我
F
, 10毫安我
C
见注1
见注1
V
IO
= 500V (注1 )
V = 0 , F = 1MHz的
5300
7500
5x10
10
1
输出上升时间
输出下降时间
tr
tf
40
15
μs
μs
V
CC
= 10V ,我
C
= 10毫安,
R
L
= 100Ω
注1
注2
测量输入导线短接和输出引线短接在一起。
特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。
图1
V
CC
输入
100Ω
t
r
输入
I
C
= 10毫安
产量
产量
10%
90%
10%
90%
t
f
t
on
t
关闭
26/11/09
DB92651m-AAS/A3