TLP4202G
东芝光耦合器光电继电器
TLP4202G
电信
测量设备
安全设备
FA
东芝TLP4202G包含砷化铝镓的
红外发光二极管的光耦合到光的MOSFET在一个SOP
封装。这2型-B ( NC)光电继电器有耐压
350 V.
·
·
·
·
·
·
·
8引脚SOP ( 2.54SOP8 ) :身高= 2.1毫米,间距= 2.54毫米
常闭型( 2型-B )设备
峰值断态电压: 350 V(分钟)
触发LED电流:3 MA(最大值)
通态电流: 90毫安(最大值)
导通状态电阻: 50
(最大)
隔离电压: 1500 Vrms的(分钟)
单位:mm
引脚配置
( TOP VIEW )
1,3 :阳极
1
8
2,4 :阴极
5
6
7
2
7
8
:漏D1
:漏D2
:排水D3
:排水D4
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
11-10H1
重量:0.2克(典型值)。
3
6
4
5
1
2002-12-26
TLP4202G
最大额定值
(大
=
25°C)
特征
正向电流
正向电流降额(大
& GT ;
25°C)
=
LED
峰值正向电流( 100
ms
脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
探测器
通态电流
通态电流降额(大
& GT ;
25°C)
=
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC, 1分钟, R.H。
& LT ;
60%)
=
(注1 )
符号
I
F
DI
F
/°C
I
FP
V
R
T
j
V
关闭
I
ON
DI
ON
/°C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
50
-0.5
1
5
125
350
90
-0.9
125
-55
到125
-40
85
260
1500
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
°C
°C
°C
°C
VRMS
注1:引脚1 ,2,3和4中被短接在一起,并且销5 ,图6,图7和8被短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
DD
I
F
I
ON
T
OPR
民
5
-20
典型值。
最大
280
25
90
65
单位
V
mA
mA
°C
电气特性
(大
=
25°C)
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
探测器
FF-态电流
电容
符号
V
F
I
R
C
T
I
关闭
C
关闭
I
F
=
10毫安
V
R
=
5 V
V
=
0, f
=
1兆赫
V
关闭
=
350 V,I
F
=
5毫安
V
=
0, f
=
1 MHz时,我
F
=
5毫安
测试条件
民
1.0
典型值。
1.15
30
30
最大
1.3
10
1
单位
V
mA
pF
mA
pF
耦合电气特性
(大
=
25°C)
特征
触发LED电流
返回LED电流
导通状态电阻
符号
I
FC
I
FT
R
ON
测试条件
I
关闭
=
10
mA
I
ON
=
90毫安
I
ON
=
90毫安
民
0.1
典型值。
1
30
最大
3
50
单位
mA
mA
W
2
2002-12-26
TLP4202G
东芝光电耦合器
光电继电器
TLP4202G
电信
测量设备
安全设备
FA
东芝TLP4202G包含砷化铝镓的
红外发光二极管的光耦合到光的MOSFET在一个SOP
封装。这2型-B ( NC)光电继电器有耐压
350 V.
8引脚SOP ( 2.54SOP8 ) :身高= 2.1毫米,间距= 2.54毫米
常闭型( 2型-B )设备
峰值断态电压: 350 V(分钟)
触发LED电流:3 MA(最大值)
通态电流: 90毫安(最大值)
导通状态电阻: 50
(最大)
隔离电压: 1500 Vrms的(分钟)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
JEDEC
JEITA
1,3 :阳极
1
8
2,4 :阴极
5
6
7
2
7
8
:漏D1
:漏D2
:排水D3
:排水D4
单位:mm
引脚配置
( TOP VIEW )
―
―
11-10H1
东芝
重量:0.2克(典型值)。
3
6
4
5
1
2007-10-01
TLP4202G
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
正向电流
正向电流降额(大
& GT ;
25°C)
=
LED
峰值正向电流( 100
μs
脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
探测器
通态电流
通态电流降额(大
& GT ;
25°C)
=
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC, 1分钟, R.H。
& LT ;
60%)
=
(注1 )
符号
I
F
ΔI
F
/°C
I
FP
V
R
T
j
V
关闭
I
ON
ΔI
ON
/°C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
50
0.5
1
5
125
350
90
0.9
125
55
到125
40
85
260
1500
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
°C
°C
°C
°C
VRMS
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1:引脚1 ,2,3和4中被短接在一起,并且销5 ,图6,图7和8被短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
DD
I
F
I
ON
T
OPR
民
5
20
典型值。
最大
280
25
90
65
单位
V
mA
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
探测器
FF-态电流
电容
符号
V
F
I
R
C
T
I
关闭
C
关闭
I
F
=
10毫安
V
R
=
5 V
V
=
0, f
=
1兆赫
V
关闭
=
350 V,I
F
=
5毫安
V
=
0, f
=
1 MHz时,我
F
=
5毫安
测试条件
民
1.0
典型值。
1.15
30
30
最大
1.3
10
1
单位
V
μA
pF
μA
pF
2
2007-10-01