TLP3540
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&照片-MOS FET
TLP3540
内存测试仪
逻辑IC测试仪
数据记录设备
测量设备
TLP3540是一个光电继电器，由在一个GaAs红外发光二极管的
光耦合到光电MOSFET采用8引脚DIP封装（ DIP8 ） 。
该光电继电器具有特色的低导通电阻，当它打开。
它适用于通/断开关48伏电源线。
·
·
·
·
·
·
1formA
峰值断态电压： 60V （分钟）
触发LED电流： 5毫安（最大）
通态电流： 2A （最大）
导通电阻：
120m(max.)
隔离电压：
1500V
RMS
（分）
以毫米单位
JEDEC
―
―
引脚配置（顶视图）
8
7
6
5
EIAJ
东芝
重量： 0.54克
1
2
3
4
1 ： NC
2 ：阳极
3 ：阴极
4 ： NC
5 ：排水
6 ：源（缩短引脚）
7 ：源（缩短引脚）
8 ：排水
1
2002-09-25
TLP3540
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
LED
反向电压
结温
OFF态输出电压
探测器
通态电流
结温
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（ 10秒）
隔离电压（AC ，1分钟， R.H.≤ 60％）
（注1 ）
符号
I
F
V
R
T
j
V
关闭
I
ON
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
50
6
125
60
2
125
-55~125
-20~85
260
1500
单位
mA
V
°C
V
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
（注1） ：设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并
引脚5和引脚8短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
关闭
I
F
I
ON
T
OPR
分钟。
―
10
―
25
典型值。
―
―
―
―
马克斯。
48
30
2
50
单位
V
mA
A
°C
个人电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
LED
反向电压
电容
探测器
FF-态电流
电容
符号
V
F
I
R
C
T
I
关闭
C
关闭
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 6 V
V = 0中，f = 1 MHz的
V
关闭
= 20V ， TA = 50℃
V = 0 ， F = 1MHz的
分钟。
1.0
―
―
―
―
典型值。
1.2
―
15
1.0
600
马克斯。
1.4
10
―
4.0
1400
单位
V
A
pF
nA
pF
耦合电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
触发LED电流
导通状态电阻
符号
I
FT
R
ON
I
ON
= 1 A
I
ON
= 1 A，I
F
= 10毫安
测试条件
分钟。
―
―
典型值。
―
―
马克斯。
5
0.12
单位
mA
2
2002-09-25
TLP3540
限制产品使用
000707EBC
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
砷化镓（GaAs ）是在本文档中所描述的产品中所使用的物质。砷化镓灰尘和烟雾
是有毒的。不要打破，切断或粉碎的产品，或者使用化学物质溶解它们。处理的时候
产品，按照相应的规定。不要与其它工业废弃物或废弃产品
生活垃圾。
·
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2002-09-25
TLP3540
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&照片-MOS FET
TLP3540
内存测试仪
逻辑IC测试仪
数据记录设备
测量设备
TLP3540是一个光电继电器，由在一个GaAs红外发光二极管的
光耦合到光电MOSFET采用8引脚DIP封装（ DIP8 ） 。
该光电继电器具有特色的低导通电阻，当它打开。
它适用于通/断开关48伏电源线。
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1formA
峰值断态电压： 60V （分钟）
触发LED电流： 5毫安（最大）
通态电流： 2A （最大）
导通电阻：
120m(max.)
隔离电压：
1500V
RMS
（分）
以毫米单位
JEDEC
―
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引脚配置（顶视图）
8
7
6
5
EIAJ
东芝
重量： 0.54克
1
2
3
4
1 ： NC
2 ：阳极
3 ：阴极
4 ： NC
5 ：排水
6 ：源（缩短引脚）
7 ：源（缩短引脚）
8 ：排水
1
2002-09-25
TLP3540
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
LED
反向电压
结温
OFF态输出电压
探测器
通态电流
结温
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（ 10秒）
隔离电压（AC ，1分钟， R.H.≤ 60％）
（注1 ）
符号
I
F
V
R
T
j
V
关闭
I
ON
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
50
6
125
60
2
125
-55~125
-20~85
260
1500
单位
mA
V
°C
V
A
°C
°C
°C
°C
V
RMS
（注1） ：设备认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4短接在一起，并
引脚5和引脚8短接在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
关闭
I
F
I
ON
T
OPR
分钟。
―
10
―
25
典型值。
―
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马克斯。
48
30
2
50
单位
V
mA
A
°C
个人电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
LED
反向电压
电容
探测器
FF-态电流
电容
符号
V
F
I
R
C
T
I
关闭
C
关闭
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 6 V
V = 0中，f = 1 MHz的
V
关闭
= 20V ， TA = 50℃
V = 0 ， F = 1MHz的
分钟。
1.0
―
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―
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典型值。
1.2
―
15
1.0
600
马克斯。
1.4
10
―
4.0
1400
单位
V
A
pF
nA
pF
耦合电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
触发LED电流
导通状态电阻
符号
I
FT
R
ON
I
ON
= 1 A
I
ON
= 1 A，I
F
= 10毫安
测试条件
分钟。
―
―
典型值。
―
―
马克斯。
5
0.12
单位
mA
2
2002-09-25
TLP3540
限制产品使用
000707EBC
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
砷化镓（GaAs ）是在本文档中所描述的产品中所使用的物质。砷化镓灰尘和烟雾
是有毒的。不要打破，切断或粉碎的产品，或者使用化学物质溶解它们。处理的时候
产品，按照相应的规定。不要与其它工业废弃物或废弃产品
生活垃圾。
·
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2002-09-25
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