TLP350
东芝光电耦合器
GaAAs IRED +图片IC
TLP350
工业变频器
变频空调器
IGBT /功率MOSFET栅极驱动器
IH （感应加热）
东芝TLP350由一个GaAAs发光二极管和一对
集成的光电探测器。
本机是采用8引脚DIP封装。
该TLP350适合栅极驱动IGBT或功率MOSFET。
峰值输出电流：I
O
= ± 2.5A （最大）
保证性能随温度：
40
至100℃
电源电流：我
CC
= 2 MA（最大）
电源电压： V
CC
= 15 30伏
阈值输入电流：I
FLH
= 5 MA（最大）
切换时间（T
PLH
/t
PHL
） ： 500毫微秒（最大）
共模瞬变抗扰度： 15 KV / μs的
隔离电压： 3750 Vrms的
UL认证： UL1577 ，文件No.E67349
Option(D4)
VDE认证： DIN EN 60747-5-2
最大工作绝缘电压： 890V
PK
最高允许过电压
请指定“选项（ D4 ） ”
: 6000V
PK
（注） ：当需要EN 60747-5-2型式认可，
东芝
11-10C4
单位：mm
重量0.54克（典型值）
真值表
输入
H
L
LED
ON
关闭
Tr1
ON
关闭
Tr2
关闭
ON
产量
H
L
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
1 ： NC
2 ：阳极
3 ：阴极
4 ： NC
5 ： GND
6: V
O
（输出）
7 ： NC
8: V
CC
概要
(Tr1)
I
F
2+
V
F
3
(Tr2)
I
CC
8
V
CC
I
O
6
V
O
5
GND
A 0.1
μF
旁路电容器必须连接
引脚8和5 （见注6 ）之间
1
2007-10-01
TLP350
绝对
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
正向电流
正向电流降额（大
≥
85°C)
LED
峰值瞬态正向电流
反向电压
结温
“H”峰值输出电流
探测器
“L”的峰值输出电流
电源电压
电源电压降额
结温
工作频率
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度（ 10秒）
隔离电压（ AC ，1分钟， R.H。
≤
60%)
（注4 ）
（注5 ）
（注3）
Ta
= 40
至100℃
（注2 ）
TA < 95℃
Ta
≥
95 °C
（注1 ）
符号
I
F
ΔI
F
/ ΔTA
I
FP
V
R
T
j
I
OPH
I
OPL
V
CC
ΔV
CC
/ ΔTA
T
j
f
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
20
0.54
1
5
125
2.5
2.5
35
-1.0
125
50
55
到125
40
100
260
3750
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
A
A
V
V /℃
°C
千赫
°C
°C
°C
VRMS
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：脉冲宽度P
W
≤
1
μs,
300 PPS
注2 ：指数波形的脉冲宽度P
W
≤
0.3μs ，女
≤
15kHz
注3 ：指数波形I
OPH
≥
-2.0A （ ≤ 0.3μs ） ，我
OPL
≤
2.0A （ ≤ 0.3μs ）
注4 ：在2mm以上从引根。
注5：该设备被认为是一个双端器件：引脚1 ，2，3和4中被短接在一起，因为是销5 ，6，7
8 。
注6 ：陶瓷电容器（ 0.1
μF)
应该从销8被连接到销5以稳定的高的操作
增益线性放大器。未能提供旁路，可能会损害切换属性。
电容和耦合器之间的走线总长不得超过1厘米。
推荐工作条件
特征
输入电流，ON
输入电压时，关断
电源电压
峰值输出电流
工作温度
（注7 ）
符号
I
F（上）
V
F（ OFF）
V
CC
I
OPH
/I
OPL
T
OPR
民
7.5
0
15
40
典型值。
最大
10
0.8
30
±2.0
100
单位
mA
V
V
A
°C
注：推荐工作条件给出的设计方针，以获得预期的性能
装置。此外，每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时，请确认本文档中指定的特性。
注7 ：输入信号的上升时间（下降时间）
＆ LT ;
0.5
μs.
注8：如果电源电压（VCC ），用于在检测器的上升斜率是陡峭的，稳定的内部的操作
电路不能得到保证。
一定要设置3.0V / μs或更小的VCC的上升斜率。
2
2007-10-01
TLP350
电气特性
（大
= 40
至100℃ ，除非另有规定）
特征
正向电压
向前温度COEF网络cient
电压
输入反向电流
输入电容
符号
V
F
V
F
/ ΔTA
I
R
C
T
TEST
电路
测试条件
I
F
=
10毫安，TA
=
25°C
I
F
=
10毫安
V
R
=
5 V ，TA
=
25°C
V
=
0 , f
=
1 MHz时，TA
=
25°C
V
CC
=
30 V，I
F
=
5毫安
为“H”电平
输出电流
（注9 ）
“ L”电平
I
OPL
2
I
OPH
1
V
8-6
=
-3.5 V
V
CC
=
15 V，I
F
=
5毫安
V
8-6
=
-7.0 V
V
CC
=
30 V，I
F
=
0毫安
V
6-5
=
2.5V
V
CC
=
15 V，I
F
=
0毫安
V
6-5
=
7.0V
为“H”电平
输出电压
“ L”电平
电源电流
阈值输入电流
阈值输入电压
电源电压
UVLO门限
UVLO迟滞
为“H”电平
“ L”电平
L
→
H
H
→
L
V
OL
I
CCH
I
CCL
I
FLH
V
FHL
V
CC
V
UVLO +
V
UVLO-
UVLO
HYS
4
5
6
―
V
OH
3
V
CC 1
=
+15 V
V
EE 1
=
-15 V
R
L
= 200
Ω
V
CC
=
30 V
V
O
开放
V
F
=
0.8 V
I
F
=
10毫安
I
F
=
0毫安
0.8
15
11.0
9.5
―
-14.9
1.3
1.3
1.8
12.5
11.0
1.5
-12.5
2.0
2.0
5
30
13.5
12.0
―
mA
mA
V
I
F
=
5毫安
民
TYP 。 *
1.6
2.0
45
1.6
最大
1.8
10
250
-1.0
单位
V
毫伏/°C的
μA
pF
1.0
1.6
-2.0
A
2.0
11
13.7
V
V
CC
= 15V , V
O
> 1V ，木卫一= 0毫安
V
CC
= 15V , V
O
< 1V ，木卫一= 0毫安
V
O
> 2.5 V，I
F
= 5毫安
―
V
V
V
V
*:
所有典型值是在TA
=
25°C
注9 ：我时间
O
:
≤
50
μs(1PULSE)
注10 ：本产品对静电（ ESD）比，因为传统产品更为敏感的
最低功耗的设计。
一般静电的预防措施是必要的处理组件。
隔离特性
（ TA = 25°C ）
特征
电容输入到输出
绝缘电阻
符号
C
S
R
S
测试条件
V = 0 ， F = 1MHz的
V
S
=
500 V ，TA
=
25°C,
相对湿度
≤
60%
交流电，1分钟后
隔离电压
BV
S
AC， 1秒，在油
直流，1分钟，在油
(Note5)
(Note5)
分钟。
1×10
12
典型值。
1.0
10
14
马克斯。
―
―
―
―
单位
pF
3750
―
―
―
10000
10000
V
RMS
VDC
3
2007-10-01
QQ：2880707522 复制
