TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管& PHOTO- TRIAC
TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
办公设备
家用设备
可控硅驱动器
固态继电器
东芝TLP3041 （S） - ， TLP3042 （S） - ， TLP3043 （S）包括一个零的
电压交叉转上光电三端双向可控硅光学耦合到镓
砷化镓红外的6引脚塑料DIP封装的发光二极管。
单位：mm
峰值断态电压
触发LED电流
： 400 V （分钟）
： 15毫安（最大值） （ TLP3041 （ S））的
10毫安（最大值） （ TLP3042 （ S））的
5毫安（最大值） （ TLP3043 （ S））的
：100 MA（最大）
： 5000 Vrms的（分钟）
： UL1577 ，文件号E67349
：SS EN60065
SS EN60950 ，文件No.9841109
： BS EN60065 ，文件No.8385
BS EN60950 ，文件No.8386
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 0.39克
―
―
11-7A9
通态电流
隔离电压
UL认可
SEMKO批准
BSI批准
选项（ D4 ）型
VDE认证： DIN EN60747-5-2
批准号40009302
最大工作绝缘电压： 890V
PK
最高允许过电压： 8000V
PK
（注） ：当需要EN60747-5-2批准的类型，
请指定"option （ D4 ） "
建筑机械评价
7.62毫米PICH
标准型
爬电距离
净空
绝缘厚度
7.0毫米（最小值）
7.0毫米（最小值）
0.5毫米（分钟）
10.16毫米PICH
TLPxxxxF类型
8.0毫米（最小值）
8.0毫米（最小值）
0.5毫米（分钟）
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
2
3
ZC
1 ：阳极
2 ：阴极
3 ：北卡罗来纳州
4 ： 1号航站楼
6 ： 2号航站楼
陈竺：零交叉电路
6
4
1
2007-10-01
TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
正向电流降额
（大
≥
53°C)
LED
最大正向电流
(100
μ
的脉搏， 100pps ）
功耗
功耗降额
（大
≥
25°C)
反向电压
结温
断态输出端子电压
舞台上的RMS
当前
探测器
TA = 25°C
TA = 70℃
符号
I
F
ΔI
F
/
°C
I
FP
P
D
ΔP
D
/
°C
V
R
T
j
V
DRM
I
T（ RMS ）
ΔI
T
/
°C
I
TP
I
TSM
P
D
ΔP
D
/
°C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
ΔP
T
/
°C
（注1 ）
BV
S
等级
50
0.7
1
100
1.0
5
125
400
100
50
1.1
2
1.2
300
4.0
115
55
150
40
100
260
330
4.4
5000
单位
mA
毫安/
°C
A
mW
毫瓦/
°C
V
°C
V
mA
毫安/
°C
A
A
mW
毫瓦/
°C
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/
°C
VRMS
通态电流降额
（大
≥
25°C)
巅峰舞台上的电流
(100
μ
的脉搏， 120pps ）
峰值不重复浪涌
CURRENT （P
W
= 10ms时， DC = 10％ ）
功耗
功耗降额
（大
≥
25°C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度（ 10秒）
总计封装功耗
总计封装功耗
降额（大
≥
25°C)
隔离电压
（AC ，1分钟， R.H。
≤
60%)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：设备认为是一个双端器件：引脚1 ， 2和3短接在一起，并且引脚4和6短
在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
巅峰舞台上的电流
工作温度
符号
V
AC
I
F
*
I
TP
T
OPR
民
15
25
典型值。
20
最大
120
25
1
85
单位
VAC
mA
A
°C
注：推荐工作条件给出的设计方针，以获得预期的性能
装置。此外，每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时，请确认本文档中指定的特性。
*:
在TLP3042的情况下
2
2007-10-01
TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
个人电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
峰值断态电流
探测器
峰值在舞台上电压
保持电流
场外的临界上升率
态电压
的临界上升率
整流电压
符号
V
F
I
R
C
T
I
DRM
V
TM
I
H
dv / dt的
dv / dt的（C ）
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V = 0 ， F = 1MHz的
V
DRM
= 400V
I
TM
= 100毫安
V
in
= 120Vrms以内， TA = 85 ℃（图1 ）
V
in
= 30VRMS ， IT = 15毫安（图1 ）
民
1.0
200
典型值。
1.15
10
10
1.7
0.6
500
0.2
最大
1.3
10
100
3.0
单位
V
μ
A
pF
nA
V
mA
V /
μ
s
V /
μ
s
耦合电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
TLP3041(S)
触发LED电流
TLP3042(S)
TLP3043(S)
禁止电压
泄漏抑制状态
电容输入到输出
绝缘电阻
V
IH
I
IH
C
S
R
S
I
F
=额定我
FT
I
F
=额定我
FT
V
T
=额定V
DRM
V
S
= 0中，f = 1MHz的
V
S
= 500V （相对湿度
≤
60%)
交流电，1分钟后
隔离电压
BV
S
交流电， 1秒（在油中）
直流，1分钟后（在油中）
I
FT
V
T
= 3V
符号
测试条件
民
5×10
10
典型值。
5
100
0.8
10
14
最大
15
10
5
40
300
单位
mA
V
μ
A
pF
Ω
VRMS
VDC
5000
10000
10000
图。 1
dv / dt的测试电路
+
V
CC
R
in
120
V
in
R
L
2k
½
dv / dt的（C ）
＋5V,V
CC
0V
dv / dt的
1
2
3
6
4
3
2007-10-01
TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
4
2007-10-01
TLP3041(S),TLP3042(S),TLP3043(S)
5
2007-10-01
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