【TLP291-4东芝光耦合器砷化镓红外发光二极管&光电晶体管TLP291-4可编程控制器电源】,IC型号TLP291-4,TLP291-4 PDF资料,TLP291-4经销商,ic,电子元器件-51电子网

TLP291-4

东芝光耦合器砷化镓红外发光二极管&光电晶体管

TLP291-4

可编程控制器

电源

单位

东芝TLP291-4由光电晶体管的光耦合到一个

砷化镓红外发光二极管。 TLP291-4被容纳在SO16

包，非常小且薄的耦合器。

由于TLP291-4 ，保证宽的工作温度（Ta = -55 110

℃），它是适合于高密度的表面安装的应用程序，如

可编程控制器和混合集成电路。

集电极 - 发射极电压

电流传输比

GB排名

隔离电压

UL认证

CUL认证

No.5A

选项（ V4 ）型

VDE认证

： EN60747-5-2

TLP291-4

（注）：当需要EN60747-5-2批准的类型，

请指定“选项（ V4 ） ”

建筑机械评价

爬电距离

净空

绝缘厚度

：5.0毫米（分钟）

：0.1毫米（分钟）

： 80 V（ MIN ）

：50％（最小）

：100％（ MIN）的

： 2500 Vrms的（分钟）

： UL1577 ，文件号E67349

： CSA元件验收服务

东芝

11-11F1

重量：0.30克（典型值）。

性能保证了-55 110℃

引脚配置

1,3,5,7

：阳极

2,4,6,8

：阴极

9,11,13,15 ：辐射源

10,12,14,16 ：收藏家

2011-09-08

TLP291-4

电流传输比

分类

(Note1)

电流传输比（％）

/ I

)

= 5毫安， V

= 5 V ， TA = 25 ℃

民

TLP291-4

空白

GB排名

100

最大

400

空白

TYPE

分类标记

注1 ：恩。 GB等级： TLP291-4 （ GB）

认证测试应用程序的类型名称，请使用标准的产品型号名称，即

4 TLP291 （ GB ， E： TLP291-4

2011-09-08

TLP291-4

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ）

特征

正向电流

正向电流降额

符号

F（ RMS ）

/°C

(Note2)

首席执行官

ECO

/°C

OPR

英镑

SOL

/°C

等级

-0.67 （ Ta≥50 ° C）

125

100

1.0

125

-55 110

-55至125

260 (10s)

170

1.7

2500

单位

毫安/°C的

°C

毫瓦/°C的

°C

毫瓦/°C的

VRMS

LED

探测器

脉冲正向电流

反向电压

结温

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

集电极电流

集电极耗散功率

（ 1电路）

集电极耗散功率

Derating(Ta≥25°C)

（ 1电路）

结温

工作温度范围

存储温度范围

引线焊接温度

总计封装功耗

（ 1电路）

总计封装功耗

降额（ Ta≥25 ° C）

（ 1电路）

隔离电压

(Note3)

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注2 ：脉冲宽度

为100μs ，频率为100Hz

注3 ：AC ，1分钟， RH≤60 ％，设备认为是一个双端器件：LED侧引脚短接在一起，并

探测器侧引脚短接在一起。

个人电气特性

（ TA = 25℃ ）

特征

正向电压

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） ECO

首席执行官

测试条件

= 10毫安

= 5 V

V = 0中，f = 1 MHz的

- 0.5毫安

- 0.1毫安

= 48 V,

= 48 V ， TA = 85°C

V = 0中，f = 1 MHz的

民

1.1

—

典型值。

1.20

—

0.01

最大

1.4

—

0.1

—

单位

μA

LED

探测器

反向电流

电容

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

集电极暗电流

(Note5)

电容

（集电极到发射极）

2011-09-08

TLP291-4

耦合电气特性

（ TA = 25℃ ）

特征

电流传输比

符号

/ I

测试条件

= 5毫安， V

= 5 V

GB排名

= 1毫安， V

= 0.4 V

GB排名

= 2.4毫安，我

= 8毫安

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

= 0.2毫安，我

= 1毫安

GB排名

关态集电极电流

C（ OFF）

= 0.7 V, V

= 48 V

民

100

—

典型值。

—

0.2

—

最大

400

—

0.4

—

0.4

μA

单位

饱和CTR

/ I

F（坐）

隔离特性

（ TA = 25℃ ）

特征

电容

（输入到输出）

绝缘电阻

符号

测试条件

= 0 V ， F = 1兆赫

= 500 V ，相对湿度≦ 60 ％

交流电，1分钟后

隔离电压

AC， 1秒，在油

直流，1分钟，在油

民

—

1×10

典型值。

0.8

最大

—

单位

VRMS

VDC

2500

—

5000

开关特性

（ TA = 25℃ ）

特征

上升时间

下降时间

开启时间

打开-O FF时间

开启时间

贮存时间

打开-O FF时间

符号

关闭

= 1.9 kΩ

= 5 V，I

= 16毫安

(Fig.1)

= 10 V，I

= 2毫安

= 100Ω

测试条件

民

—

典型值。

最大

—

Μs

单位

（图1 ） Switchin时间测试电路

2011-09-08

TLP291-4

焊接与存储

1.焊接

1.1焊接

当使用烙铁或介质红外线/热风回流，避免增加设备温度

尽可能地通过观察以下的条件。

1）使用回流焊接

·铅温度曲线的例子（铅）焊料

(°C)

240

封装表面温度

210

160

140

此配置文件是基于该设备的

最高耐热性保证

值。

将预热温度/加热

温度在最佳温度

对应于该焊膏

键入用于通过内部客户

描述配置文件。

60 120秒

小于30s

时间

(s)

·使用铅的温度分布为例（以Pb计）无铅焊接

(°C)

260

封装表面温度

230

190

180

此配置文件是基于该设备的

最高耐热性保证

值。

将预热温度/加热

温度在最佳温度

对应于该焊膏

键入用于通过内部客户

描述配置文件。

60 120秒

30到50岁

时间

(s)

回流焊接必须在一次或两次进行。

的安装应与从第一个到最后安装件是2周的时间间隔内完成。

2 ）使用焊锡流（用于铅（Pb ）焊料或无铅（Pb ）无铅焊接）

●请

预热它在150℃下60120秒之间。

完整

10秒低于260 ℃的范围内的焊接。每个引脚可最多一次可以加热。

3 ）用烙铁

10秒低于260 ℃的范围内完成钎焊，或在3秒内350℃。每个引脚可

至多一次被加热。

2011-09-08