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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第532页 > TLP2531
TLP2530,TLP2531
东芝光电耦合器
GaAAs IRED &图片IC
TLP2530 , TLP2531
数字逻辑隔离
线路接收器
电源控制
开关电源
晶体管逆变器
东芝TLP2530和TLP2531双光耦合器由一个
对GaAAs的发光二极管和集成的光电检测器。
这个单位是8引脚DIP封装。
对于光电二极管偏压和输出晶体管单独的连接
收藏家提高速度可达一百倍的
常规光电晶体管耦合器通过减小基极 - 集电极
电容。
TTL兼容
切换速度:吨
PHL
= 0.3μs ,T
PLH
=0.3μs(typ.)
(@R
L
=1.9k)
保证性能超过温度: 0 70°C
隔离电压: 2500 Vrms的(分钟)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
东芝
重量: 0.54克
1110C4
以毫米单位
引脚配置
( TOP VIEW )
1
2
3
4
1 : Anode.1
2 : Cathode.1
3 : Cathode.2
4 : Anode.2
5 : GND
6. : V
O2
(输出2 )
7. : V
O1
(输出1 )
8. : V
CC
8
7
6
5
概要
I
CC
I
F1
+
V
F1
1
2
I
F2
+
V
F2
4
3
I
O1
8
V
CC
V
7
O1
I
O2
6
5
V
O2
GND
1
2007-10-01
TLP2530,TLP2531
绝对最大额定值
特征
正向电流(每通道)
脉冲正向电流
(每个通道)
LED
总脉冲正向电流
(每个通道)
反向电压(每个通道)
二极管功耗
(每个通道)
输出电流(每通道)
峰值输出电流
(每个通道)
电源电压
输出电压(每个通道)
输出功率耗散
(每个通道)
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度( 10秒) **
隔离电压
(AC, 1分,相对湿度= 60%)
(注7 )
(注5 )
(注4 )
符号
I
F
I
FP
I
FPT
V
R
P
D
I
O
I
OP
V
CC
V
O
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
等级
25
50
1
5
45
8
16
0.5~15
0.5~15
35
55~100
55~125
260
2500
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
VRMS
(注1 )
(注2 )
(注3)
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
(注1 )减免0.8毫安70°C以上。
(注2) 50%的占空比, 1ms的脉冲宽度。减额1.6毫安/°C, 70°C以上。
(注3 )脉冲宽度为1μs , 300pps 。
(注4 )除鼠0.9mW /°C, 70°C以上。
(注5 )减免为1mW /°C, 70°C以上。
**低于飞机座位2毫米。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向工作电流,每个通道
工作温度
符号
V
CC
I
F
T
OPR
分钟。
0
25
典型值。
16
马克斯。
12
25
85
单位
V
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
探测器
2
2007-10-01
TLP2530,TLP2531
电气特性
在推荐的温度
(大= 0 ℃,
~
70 ° C,除非另有说明)
特征
TLP2530
电流传输
(每个通道)
CTR
TLP2531
TLP2530
TLP2531
逻辑低输出
电压
(每个通道)
TLP2530
V
OL
TLP2531
I
F
= 16毫安,我
O
= 2.4毫安
V
CC
= 4.5V
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 5.5V
TA = 25°
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 16毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 0毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F
= 16毫安, TA = 25℃
I
F
= 16毫安
IR = 10μA , TA = 25℃
F = 1MHz时, V
F
= 0
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
我-O
= 3000V
dc
TA = 25°C
V
I
O
= 500V
dc
F = 1MHz的
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
II =
500V
(注8)
电阻(输入输入)
电容(输入iutput )
R
II
C
II
V
I
I
= 500V
dc
F = 1MHz的
(注8)
(注8)
10
11
符号
测试条件
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.4V
V
CC
= 4.5V , TA = 25℃
分钟。
7
(注6 )
19
5
(注
6)
15
典型值。 **
30
30
0.1
马克斯。
单位
%
0.4
%
CTR
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.5V
V
CC
= 4.5V
I
F
= 16毫安,我
O
= 1.1毫安
V
CC
= 4.5V
V
0.1
3
0.4
500
50
V
nA
μA
逻辑高电平输出电流
(每个通道)
I
OH
逻辑低电源电流
I
CCL
160
μA
逻辑高电平电源电流
输入正向电压
(每个通道)
温度COEF网络分
正向电压(每个通道)
输入反向击穿
电压(每个通道)
输入电容
(每个通道)
输入 - 输出绝缘
漏电流
电阻(输入输出)
电容(输入输出)
I
CCH
0.05
4
μA
V
F
ΔV
F
/
= TA
BV
R
C
IN
5
1.65
2
60
1.7
V
毫伏/°C的
V
pF
I
我-O
(注7 )
(注
7)
(注
7)
12
1.0
μA
R
我-O
C
我-O
10
Ω
pF
0.6
输入输入漏电流
I
II
0.005
μA
Ω
pF
0.25
**所有标准结构在TA = 25 ℃。
3
2007-10-01
TLP2530,TLP2531
开关特性
(除非另有说明, TA = 25 ° C,V
CC
= 5V ,我
F
= 16毫安)
特征
符号
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
传播延迟
时间逻辑低
在输出
(每个通道)
传播延迟
时间逻辑
在高输出
(每个通道)
共模
短暂
免疫力的逻辑
高电平输出
(每个信道
注9 )
共模
短暂
免疫力的逻辑
低电平输出
(每个信道
注9 )
带宽
TLP2530
t
PHL
TLP2531
TLP2530
t
PLH
TLP2531
TLP2530
CM
H
TLP2531
TLP2530
CM
L
TLP2531
BW
3
2
2
1
1
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
pp
R
L
= 4.1k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
pp
R
L
= 1.9k
V
CM
= 400V
pp
R
L
= 4.1kΩ ,我
F
= 16毫安
V
CM
= 400
pp
R
L
= 1.9kΩ ,我
F
= 16毫安
R
L
= 100
0.3
0.2
0.5
0.3
1500
1.5
μs
0.8
1.5
μs
0.8
V /
μs
1500
1500
1500
2
V /
μs
MH
Z
(每个通道,注10 )
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O,
向前进的LED
输入电流
,
I
F,
乘以100 %。
(注7)的设备认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4短接在一起,并且销5 ,6,7 ,和
8短接在一起。
(注8 )测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
(注9)普通模式在逻辑瞬态免疫高电平是最大容许(正) dVcm / dt的
上的共模脉冲, Vcm的领先EGDE ,以保证该输出将保持在一个
逻辑高电平状态(即, V
O
> 2.0V ) 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的(负面) dVcm / DT
在公用模式的脉冲信号, Vcm的后缘,以保证该输出将保持在
逻辑低状态(即,V
O
> 0.8V ) 。
(注10 )的频率在其交流输出电压为3dB以下的低频渐近线。
(注6 )
4
2007-10-01
TLP2530,TLP2531
测试电路1 :开关时间,t
p
HL ,T
p
LH
脉冲
发电机
PW=100μs
占空比= 1/10
I
F
MONITOR
100
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
t
PHL
t
PLH
V
CC
=5V
R
L
V
O
产量
MONITOR
I
F
0
V
O
1.5V
5V
1.5V
V
OL
测试电路2 :瞬态抗扰度和典型波形
V
CC
=5V
I
F
1
2
A
B
V
FF
+
V
CM
V
O
(I
F
=16mA)
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
产量
MONITOR
V
O
(I
F
=0mA)
t
r
V
CM
90%
10%
t
f
5V
2V
0.8V
V
OL
400V
0V
脉冲发生器
Z
O
=50
厘米水柱
=
320(V)
320(V)
, CM L
=
吨R(
μ
s)
吨F(
μ
s)
测试电路3 :频率响应
5V
我集
F
AC
输入
560
100
0.1μF
1
2
3
4
1.6Vdc
0.25V
P-P
ac
8
7
6
5
R
L
V
O
15V
20k
5
2007-10-01
TLP2530,TLP2531
东芝光电GaAAs IRED &图片IC
TLP2530 , TLP2531
DEGITAL逻辑隔离
线路接收器
电源控制
开关电源
晶体管逆变器
东芝TLP2530和TLP2531双光耦合器由一个
对GaAAs的发光二极管和集成的光电检测器。
这个单位是8引脚DIP封装。
对于光电二极管偏压和输出晶体管单独的连接
收藏家提高速度可达一百倍的
常规光电晶体管耦合器通过减小基极 - 集电极
电容。
l
TTL compatibel
l
切换速度:吨
PHL
= 0.3μs ,T
PLH
=0.3s(typ.)
(@R
L
=1.9k)
l
保证性能超过温度: 0 70°C
l
隔离电压: 2500 Vrms的(分钟)
l
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
东芝
重量: 0.54克
1110C4
以毫米单位
引脚配置
( TOP VIEW )
1
2
3
4
1 : Anode.1
2 : Cathode.1
3 : Cathode.2
4 : Anode.2
5 : GND
6. : V
O2
(输出2 )
7. : V
O1
(输出1 )
8. : V
CC
8
7
6
5
概要
I
CC
I
F1
+
V
F1
1
2
I
F2
+
V
F2
4
3
I
O1
8
V
CC
V
7
O1
I
O2
6
5
V
O2
GND
1
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
最大额定值
特征
正向电流(每通道)
脉冲正向电流
(每个通道)
LED
总脉冲正向电流
(每个通道)
反向电压(每个通道)
二极管功耗
(每个通道)
输出电流(每通道)
峰值输出电流
(每个通道)
电源电压
输出电压(每个通道)
输出功率耗散
(每个通道)
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度( 10秒) **
隔离电压
(AC, 1分,相对湿度= 60%)
(注7 )
(注5 )
(注4 )
(注1 )
(注2 )
(注3)
符号
I
F
I
FP
I
FPT
V
R
P
D
I
O
I
OP
V
CC
V
O
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
等级
25
50
1
5
45
8
16
-0.5~15
-0.5~15
35
-55~100
-55~125
260
2500
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
VRMS
探测器
(注1 )减免0.8毫安70°C以上。
(注2) 50%的占空比, 1ms的脉冲宽度。减额1.6毫安/°C, 70°C以上。
(注3 )脉冲宽度为1μs , 300pps 。
(注4 )除鼠0.9mW /°C, 70°C以上。
(注5 )减免为1mW /°C, 70°C以上。
**低于飞机座位2毫米。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向工作电流,每个通道
工作温度
符号
V
CC
I
F
T
OPR
分钟。
0
-25
典型值。
16
马克斯。
12
25
85
单位
V
mA
°C
2
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
电气特性
在推荐的温度
(大= 0 ℃,
~
70 ° C,除非另有说明)
特征
TLP2530
CTR
电流传输
(每个通道)
TLP2531
TLP2530
TLP2531
逻辑低输出
电压
(每个通道)
TLP2530
V
OL
TLP2531
I
F
= 16毫安,我
O
= 2.4毫安
V
CC
= 4.5V
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 5.5V
TA = 25°
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 16毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 0毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F
= 16毫安, TA = 25℃
I
F
= 16毫安
IR = 10μA , TA = 25℃
F = 1MHz时, V
F
= 0
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
我-O
= 3000V
dc
TA = 25°C
V
I
-
O
= 500V
dc
F = 1MHz的
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
I-I =
500V
(注8)
电阻(输入输入)
电容(输入iutput )
R
I-I
C
I-I
V
I
-
I
= 500V
dc
F = 1MHz的
(注8)
(注8)
10
11
符号
测试条件
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.4V
V
CC
= 4.5V , TA = 25℃
分钟。
7
(注6 )
19
5
(注
6)
15
典型值。 **
30
30
0.1
马克斯。
0.4
单位
%
CTR
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.5V
V
CC
= 4.5V
I
F
= 16毫安,我
O
= 1.1毫安
V
CC
= 4.5V
%
V
0.1
3
0.4
500
50
V
nA
A
逻辑高电平输出电流
(每个通道)
I
OH
逻辑低电源电流
I
CCL
160
A
逻辑高电平电源电流
输入正向电压
(每个通道)
温度COEF网络分
正向电压(每个通道)
输入反向击穿
电压(每个通道)
输入电容
(每个通道)
输入 - 输出绝缘
漏电流
电阻(输入输出)
电容(输入输出)
I
CCH
0.05
4
A
V
F
V
F
/
= TA
BV
R
C
IN
5
1.65
-2
60
1.7
V
毫伏/°C的
V
pF
I
我-O
R
我-O
C
我-O
(注7 )
(注
7)
(注
7)
12
1.0
A
10
W
pF
0.6
输入输入漏电流
I
I-I
0.005
A
W
pF
0.25
**所有标准结构在TA = 25 ℃。
3
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
开关特性
(除非另有说明, TA = 25 ° C,V
CC
= 5V ,我
F
= 16毫安)
特征
符号
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
传播延迟
时间逻辑低
在输出
(每个通道)
传播延迟
时间逻辑
在高输出
(每个通道)
共模
短暂
免疫力的逻辑
高电平输出
(每个信道
注9 )
共模
短暂
免疫力的逻辑
低电平输出
(每个信道
注9 )
带宽
TLP2530
t
PHL
TLP2531
TLP2530
t
PLH
TLP2531
TLP2530
CM
H
TLP2531
TLP2530
CM
L
TLP2531
BW
3
2
2
1
1
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 4.1k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 1.9k
V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 4.1kΩ ,我
F
= 16毫安
V
CM
= 400
p-p
R
L
= 1.9kΩ ,我
F
= 16毫安
R
L
= 100
0.3
0.2
0.5
0.3
1500
1.5
s
0.8
1.5
s
0.8
V / μs的
1500
-1500
-1500
2
V / μs的
MH
Z
(每个通道,注10 )
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O,
向前进的LED
输入电流
,
I
F,
乘以100 %。
(注7)的设备认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4短接在一起,并且销5 ,6,7 ,和
8短接在一起。
(注8 )测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
(注9)普通模式在逻辑瞬态免疫高电平是最大容许(正) dVcm / dt的
上的共模脉冲, Vcm的领先EGDE ,以保证该输出将保持在一个
逻辑高电平状态(即, V
O
> 2.0V ) 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的(负面) dVcm / DT
在公用模式的脉冲信号, Vcm的后缘,以保证该输出将保持在
逻辑低状态(即,V
O
> 0.8V ) 。
(注10 )的频率在其交流输出电压为3dB以下的低频渐近线。
(注6 )
4
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
测试电路1 :开关时间,t
p
HL ,T
p
LH
脉冲
发电机
PW=100s
占空比= 1/10
I
F
MONITOR
100
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
t
PHL
t
PLH
V
CC
=5V
R
L
V
O
产量
MONITOR
I
F
0
V
O
1.5V
5V
1.5V
V
OL
测试电路2 :瞬态抗扰度和典型波形
V
CC
=5V
I
F
1
2
A
B
V
FF
+
V
CM
V
O
(I
F
=16mA)
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
产量
MONITOR
V
O
(I
F
=0mA)
t
r
V
CM
90%
10%
t
f
5V
2V
0.8V
V
OL
400V
0V
脉冲发生器
Z
O
=50
厘米水柱
=
320(V)
320(V)
, CM L
=
吨R(
m
s)
吨F(
m
s)
测试电路3 :频率性反应
5V
我集
F
AC
输入
560
100
0.1F
1
2
3
4
1.6Vdc
0.25V
P-P
ac
8
7
6
5
R
L
V
O
15V
20k
5
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
东芝光电GaAAs IRED &图片IC
TLP2530 , TLP2531
DEGITAL逻辑隔离
线路接收器
电源控制
开关电源
晶体管逆变器
东芝TLP2530和TLP2531双光耦合器由一个
对GaAAs的发光二极管和集成的光电检测器。
这个单位是8引脚DIP封装。
对于光电二极管偏压和输出晶体管单独的连接
收藏家提高速度可达一百倍的
常规光电晶体管耦合器通过减小基极 - 集电极
电容。
l
TTL compatibel
l
切换速度:吨
PHL
= 0.3μs ,T
PLH
=0.3s(typ.)
(@R
L
=1.9k)
l
保证性能超过温度: 0 70°C
l
隔离电压: 2500 Vrms的(分钟)
l
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
东芝
重量: 0.54克
1110C4
以毫米单位
引脚配置
( TOP VIEW )
1
2
3
4
1 : Anode.1
2 : Cathode.1
3 : Cathode.2
4 : Anode.2
5 : GND
6. : V
O2
(输出2 )
7. : V
O1
(输出1 )
8. : V
CC
8
7
6
5
概要
I
CC
I
F1
+
V
F1
1
2
I
F2
+
V
F2
4
3
I
O1
8
V
CC
V
7
O1
I
O2
6
5
V
O2
GND
1
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
最大额定值
特征
正向电流(每通道)
脉冲正向电流
(每个通道)
LED
总脉冲正向电流
(每个通道)
反向电压(每个通道)
二极管功耗
(每个通道)
输出电流(每通道)
峰值输出电流
(每个通道)
电源电压
输出电压(每个通道)
输出功率耗散
(每个通道)
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度( 10秒) **
隔离电压
(AC, 1分,相对湿度= 60%)
(注7 )
(注5 )
(注4 )
(注1 )
(注2 )
(注3)
符号
I
F
I
FP
I
FPT
V
R
P
D
I
O
I
OP
V
CC
V
O
P
O
T
OPR
T
英镑
T
SOL
BV
S
等级
25
50
1
5
45
8
16
-0.5~15
-0.5~15
35
-55~100
-55~125
260
2500
单位
mA
mA
A
V
mW
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
VRMS
探测器
(注1 )减免0.8毫安70°C以上。
(注2) 50%的占空比, 1ms的脉冲宽度。减额1.6毫安/°C, 70°C以上。
(注3 )脉冲宽度为1μs , 300pps 。
(注4 )除鼠0.9mW /°C, 70°C以上。
(注5 )减免为1mW /°C, 70°C以上。
**低于飞机座位2毫米。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向工作电流,每个通道
工作温度
符号
V
CC
I
F
T
OPR
分钟。
0
-25
典型值。
16
马克斯。
12
25
85
单位
V
mA
°C
2
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
电气特性
在推荐的温度
(大= 0 ℃,
~
70 ° C,除非另有说明)
特征
TLP2530
CTR
电流传输
(每个通道)
TLP2531
TLP2530
TLP2531
逻辑低输出
电压
(每个通道)
TLP2530
V
OL
TLP2531
I
F
= 16毫安,我
O
= 2.4毫安
V
CC
= 4.5V
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 5.5V
TA = 25°
I
F
= 0毫安,V
O
= V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 16毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F1
= I
F2
= 0毫安
V
O1
= V
O2
=打开
V
CC
= 15V
I
F
= 16毫安, TA = 25℃
I
F
= 16毫安
IR = 10μA , TA = 25℃
F = 1MHz时, V
F
= 0
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
我-O
= 3000V
dc
TA = 25°C
V
I
-
O
= 500V
dc
F = 1MHz的
相对湿度= 45%
T = 5秒,V
I-I =
500V
(注8)
电阻(输入输入)
电容(输入iutput )
R
I-I
C
I-I
V
I
-
I
= 500V
dc
F = 1MHz的
(注8)
(注8)
10
11
符号
测试条件
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.4V
V
CC
= 4.5V , TA = 25℃
分钟。
7
(注6 )
19
5
(注
6)
15
典型值。 **
30
30
0.1
马克斯。
0.4
单位
%
CTR
I
F
= 16毫安,V
O
= 0.5V
V
CC
= 4.5V
I
F
= 16毫安,我
O
= 1.1毫安
V
CC
= 4.5V
%
V
0.1
3
0.4
500
50
V
nA
A
逻辑高电平输出电流
(每个通道)
I
OH
逻辑低电源电流
I
CCL
160
A
逻辑高电平电源电流
输入正向电压
(每个通道)
温度COEF网络分
正向电压(每个通道)
输入反向击穿
电压(每个通道)
输入电容
(每个通道)
输入 - 输出绝缘
漏电流
电阻(输入输出)
电容(输入输出)
I
CCH
0.05
4
A
V
F
V
F
/
= TA
BV
R
C
IN
5
1.65
-2
60
1.7
V
毫伏/°C的
V
pF
I
我-O
R
我-O
C
我-O
(注7 )
(注
7)
(注
7)
12
1.0
A
10
W
pF
0.6
输入输入漏电流
I
I-I
0.005
A
W
pF
0.25
**所有标准结构在TA = 25 ℃。
3
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
开关特性
(除非另有说明, TA = 25 ° C,V
CC
= 5V ,我
F
= 16毫安)
特征
符号
TEST
税务局局长
CUIT
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
传播延迟
时间逻辑低
在输出
(每个通道)
传播延迟
时间逻辑
在高输出
(每个通道)
共模
短暂
免疫力的逻辑
高电平输出
(每个信道
注9 )
共模
短暂
免疫力的逻辑
低电平输出
(每个信道
注9 )
带宽
TLP2530
t
PHL
TLP2531
TLP2530
t
PLH
TLP2531
TLP2530
CM
H
TLP2531
TLP2530
CM
L
TLP2531
BW
3
2
2
1
1
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
R
L
= 4.1k
R
L
= 1.9k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 4.1k
I
F
= 0毫安,V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 1.9k
V
CM
= 400V
p-p
R
L
= 4.1kΩ ,我
F
= 16毫安
V
CM
= 400
p-p
R
L
= 1.9kΩ ,我
F
= 16毫安
R
L
= 100
0.3
0.2
0.5
0.3
1500
1.5
s
0.8
1.5
s
0.8
V / μs的
1500
-1500
-1500
2
V / μs的
MH
Z
(每个通道,注10 )
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率,我
O,
向前进的LED
输入电流
,
I
F,
乘以100 %。
(注7)的设备认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4短接在一起,并且销5 ,6,7 ,和
8短接在一起。
(注8 )测量引脚1和2短接在一起,针3和4短接在一起的。
(注9)普通模式在逻辑瞬态免疫高电平是最大容许(正) dVcm / dt的
上的共模脉冲, Vcm的领先EGDE ,以保证该输出将保持在一个
逻辑高电平状态(即, V
O
> 2.0V ) 。
在逻辑低电平共模瞬变抗扰度是最大容忍的(负面) dVcm / DT
在公用模式的脉冲信号, Vcm的后缘,以保证该输出将保持在
逻辑低状态(即,V
O
> 0.8V ) 。
(注10 )的频率在其交流输出电压为3dB以下的低频渐近线。
(注6 )
4
2002-09-25
TLP2530,TLP2531
测试电路1 :开关时间,t
p
HL ,T
p
LH
脉冲
发电机
PW=100s
占空比= 1/10
I
F
MONITOR
100
I
F
1
2
3
4
8
7
6
5
t
PHL
t
PLH
V
CC
=5V
R
L
V
O
产量
MONITOR
I
F
0
V
O
1.5V
5V
1.5V
V
OL
测试电路2 :瞬态抗扰度和典型波形
V
CC
=5V
I
F
1
2
A
B
V
FF
+
V
CM
V
O
(I
F
=16mA)
3
4
8
7
6
5
R
L
V
O
产量
MONITOR
V
O
(I
F
=0mA)
t
r
V
CM
90%
10%
t
f
5V
2V
0.8V
V
OL
400V
0V
脉冲发生器
Z
O
=50
厘米水柱
=
320(V)
320(V)
, CM L
=
吨R(
m
s)
吨F(
m
s)
测试电路3 :频率性反应
5V
我集
F
AC
输入
560
100
0.1F
1
2
3
4
1.6Vdc
0.25V
P-P
ac
8
7
6
5
R
L
V
O
15V
20k
5
2002-09-25
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