TLP222G,TLP222G-2
东芝光电耦合器
光电继电器
TLP222G , TLP222G - 2
无绳电话
PBX
调制解调器
东芝TLP222G系列由砷化镓红外
发光二极管的光耦合到光的MOSFET在一个DIP封装。
该TLP222G系列是一个双向开关,它可以取代
机械继电器在许多应用中。
TLP222G : 4-pin的DIP ( DIP4 ) ,1通道型( 1型-A )
TLP222G - 2 : 8引脚DIP ( DIP8 ) , 2通道型( 2型-A )
峰值断态电压: 350 V(分钟)
触发LED电流:3 MA(最大值)
通态电流:120 MA(最大)
导通状态电阻: 35
(最大值,叔< 1秒)
导通状态电阻: 50
(最大连续)
隔离电压: 2500 Vrms的(分钟)
BSI认可: BS EN60065 :2002 ,证书no.8773
BS EN60950-1 :2002 ,证书no.8774
单位:mm
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
11-5B2
引脚配置
( TOP VIEW )
TLP222G
1
4
1
TLP222G-2
8
重量:0.42克(典型值)
2
2
3
3
1 :阳极
2 :阴极
3 :排水
4 :漏
7
6
4
5
1, 3
2, 4
5
6
7
8
:阳极
:阴极
:漏D1
:漏D2
:排水D3
:排水D4
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
11-10C4
重量0.54克(典型值)
1
2007-10-01
TLP222G,TLP222G-2
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
正向电流
正向电流降额(大
& GT ;
25°C)
=
LED
最大正向电流
(100
μs
脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
TLP222G
导通状态
当前
一个通道
手术
TLP222G - 2双通道
操作
(注1 )
TLP222G
导通状态
一个通道
当前
手术
降额
TLP222G - 2双通道
(大
& GT ;
25°C)
=
操作
(注1 )
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC, 1分钟, R.H。
& LT ;
60%)
=
ΔI
ON
/°C
1.2
毫安/°C的
I
ON
120
mA
符号
I
F
ΔI
F
/°C
I
FP
V
R
T
j
V
关闭
等级
50
0.5
1
5
125
350
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
探测器
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
(注2 )
BV
S
125
55
到125
40
85
260
2500
°C
°C
°C
°C
VRMS
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :双通道同时工作。
注2 :设备认为是一个双端器件:LED侧引脚短接在一起,和检测器侧引脚短接
在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
DD
I
F
I
ON
T
OPR
民
5
20
典型值。
7.5
最大
280
25
100
65
单位
V
mA
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
正向电压
LED
反向电流
电容
探测器
FF-态电流
电容
符号
V
F
I
R
C
T
I
关闭
C
关闭
测试条件
I
F
=
10毫安
V
R
=
5 V
V
=
0, f
=
1兆赫
V
关闭
=
350 V
V
=
0, f
=
1兆赫
民
1.0
典型值。
1.15
30
30
最大
1.3
10
1
单位
V
μA
pF
μA
pF
2
2007-10-01