TLP200D
东芝光电耦合器
砷化镓红外发光二极管&照片-MOS FET
TLP200D
PBX
调制解调器传真卡
测量仪
东芝TLP200D由砷化镓红外发光
二极管的光耦合到光MOS场效应管在8引脚的SOP 。
该TLP200D是适用于更换的2型-A开关
机械继电器在许多应用中需要的空间节省。
SOP 8针( 2.54SOP8 ) : 2 - A型
峰值断态电压: 200 V(分钟)
触发LED电流:3 MA(最大值)
通态电流:200mA (最大值)
导通状态电阻: 8
Ω
(最大)
隔离电压: 1500 Vrms的(分钟)
UL认证: UL1577 ,文件号E67349
单位:mm
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
JEDEC
JEITA
1
8
东芝
重量:0.2克(典型值)。
2
7
1, 3:
2, 4:
5:
6:
7:
8:
阳极
阴极
漏D1
排水D2
排水D3
排水D4
3
6
4
5
概要
2-form-A
1, 3
6, 8
8
7
6
5
2, 4
5, 7
1
2
3
4
1
2007-10-01
TLP200D
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
正向电流
正向电流降额
(大
≥
25°C)
LED
脉冲正向电流
(100
μs
脉冲, 100 ,PPS)
反向电压
结温
断态输出端子电压
通态电流
探测器
开启状态RMS电流降额
(大
≥
25°C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
隔离电压(AC ,1分钟, R.H。
≤
60%)
(注1 )
符号
I
F
ΔI
F
/°C
I
FP
V
R
T
j
V
关闭
I
ON
ΔI
ON
/°C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
BV
S
等级
50
0.5
1
5
125
200
200
2.0
125
55
到125
40
85
260
1500
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
V
mA
毫安/°C的
°C
°C
°C
°C
VRMS
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1:设备认为是一个双端器件:引脚1 ,2,3和4短接在一起,并且销5 ,6,7和8短接
在一起。
注2 :两个通道同时工作。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
通态电流
工作温度
符号
V
DD
I
F
I
ON
T
OPR
民
5
20
典型值。
150
7.5
最大
200
25
130
65
单位
V
mA
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
2
2007-10-01