TLP115
东芝光电耦合器
GaAAs IRED &光电IC
TLP115
高速，长距离隔离线接收器
微处理器系统接口
数字隔离A / D ，D / A转换
电脑外设接口
消除接地环路
东芝迷你平板耦合器TLP115是小外形耦合器，适合
表面贴装装配。
TLP115由一个GaAAs发光二极管的光耦合到一个
集成高增益，高速屏蔽光电检测器的输出是
一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。
盾，分路电容耦合的共模噪声接地，
提供1000V的保证瞬态抗扰度/
μs.
输入电流门限：我
F
= 10mA（最）
切换速度： 10MBd （典型值）
共模瞬变抗扰度： ± 1000V /
μs
（分）
保证性能超过温度： 0 70°C
隔离电压： 2500Vrms的（分钟）
UL认证： UL1577 ，文件号E67349
东芝
重量： 0.09克
114C2
以毫米单位
概要
I
F
1
I
O
V
F
5
V
O
I
CC
V
CC
6
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
V
CC
6
5
3
GND
4
GND
3
盾
4
注。一个0.1μF的旁路电容必须连接
管脚4和6之间。
1 ：阳极
3 ：阴极
4 ： GND
5 : V
O
（输出）
6 : V
CC
真值表
（正逻辑）
输入
H
L
产量
L
H
1
2007-10-01
TLP115
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
脉冲正向电流
LED
符号
I
F
（注1 ）
（注2 ）
I
FP
I
FPT
V
R
I
O
V
O
V
CC
Po
T
OPR
T
英镑
T
SOL
注4 ）
BV
S
等级
20
40
1
5
25
7
7
40
40~85
55~125
单位
mA
mA
A
V
mA
V
V
mW
°C
°C
°C
VRMS
峰值瞬态正向电流
反向电压
输出电流
探测器
输出电压
电源电压
（ 1分最高）
输出功率耗散
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度（ 10秒）
隔离电压
（ AC ， 1分， RH
≤
60%,
260
2500
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
（注1 ）
（注2 ）
占空比为50％ ， 1毫秒的脉冲宽度。
脉冲宽度
≤
为1μs ， 300pps 。
推荐工作条件
特征
输入电压，低级别
输入电流，高级别
电源电压
扇出
（ TTL电负载，每个通道）
工作温度
符号
V
FL
I
FH
V
CC
N
T
OPR
分钟。
3
典型值。
0
16
5
―
―
马克斯。
1.0
20
5.5
8
70
单位
V
mA
V
―
°C
13
4.5
―
0
注：推荐工作条件给出的设计方针，以获得预期的性能
装置。此外，每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时，请确认本文档中指定的特性。
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TLP115
电气特性
特征
正向电压
正向电压
温度COEF网络cient
反向电流
之间的电容
码头
高电平输出电流
低电平输出电压
“高电平输出→ L电平
output"输入电流
高水平的电源电流
低电平电源电流
输入
产量
绝缘泄漏电流
绝缘电阻
杂散电容
输入到输出之间
（除非另外指明，钽= 0
~
70℃ ，V
CC
= 4.5
~
5.5V, V
FL
≤
1.0V)
符号
V
F
V
F
/ TA
I
R
C
T
I
OH
V
OL
I
FH
I
CCH
I
CCL
I
S
R
S
C
S
测试条件
I
F
=
10毫安， TA = 25℃
I
F
=
10mA
V
R
= 5V ， TA = 25℃
V
F
= 0 ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃，
V
F
=1.0, V
O
=5.5V
V
F
=1.0, V
O
= 5.5V ， TA = 25℃
I
F
=10mA
I
OL
=13mA(sinking)
I
OL
=13mA(sinking)
V
OL
=0.6V
V
CC
= 5.5V ，我
F
=0
V
CC
= 5.5V ，我
F
=16mA
V
S
= 3540V ， T = 5秒
Ta=25°C
（注4 ）
分钟。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
5×10
―
10
TYP 。 *
1.65
2
马克斯。
1.80
―
10
―
250
10
0.6
10
15
18
100
―
―
单位
V
毫伏/°C的
μA
pF
μA
V
mA
mA
mA
μA
pF
―
45
―
0.5
0.4
―
7
12
―
10
14
R.H.≤ 60 ％以下，V
S
= 500V DC
Ta=25°C
（注4 ）
V
S
= 0中，f = 1MHz的
Ta=25°C
（注4 ）
0.8
*
所有典型值是V
CC
= 5V ， TA = 25℃
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TLP115
开关特性
(V
CC
= 5V ， TA = 25 ° C）
特征
传播延迟时间
（H → L）
传播延迟时间
（ L→H ）
输出上升下降时间
(10
90%)
共模瞬变
免疫力高输出
水平
共模瞬变
免疫力低输出
水平
符号
t
PHL
t
PLH
t
r
, t
f
CM
H
TEST
CIR
CUIT
1
1
2
测试条件
I
F
= 0 → 16毫安
C
L
= 15pF的，R
L
=350
I
F
= 16 → 0毫安
C
L
= 15pF的，R
L
=350
R
L
=350, C
L
=15pF
I
F
= 0 16毫安
I
F
= 0毫安，V
CM
=400V
pp
V
O（分钟）
= 2V ，R
L
=350
I
F
= 16毫安，V
CM
=400V
pp
CM
L
2
V
O（最大值）
=0.8V,
R
L
=350
1000
分钟。
―
―
―
典型值。
60
60
30
马克斯。
120
120
―
单位
ns
ns
ns
2
1000
―
―
V /
μs
―
―
V /
μs
（注4 ）设备认为是一个双端器件：引脚1和3短接在一起，并且引脚4，5和6短
在一起。
（注5） V
CC
电源电压为每个TLP115隔离器必须由0.1μF的旁路电容。这可以是一
陶瓷或固体钽电容器具有良好的高频characterstic ，应接成
尽可能接近套餐五
CC
以及GND的每个设备的。
（注6 ）最大的静电放电电压的任何引脚： 180V （ C = 200pF的， R = 0 ）
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2007-10-01
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