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TLN238(F)
东芝红外线LED
GaAAs红外发射器
TLN238(F)
铅(Pb ) - 免费
空间光发送
光电开关
打印机,传真机
家居电器
单位:mm
高辐射强度: 70毫瓦/ SR (典型值) ,在我
F
= 50毫安
半角值:
θ1/2
= ± 18 ° (典型值)。
高速数据传输的目的
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
正向电流
脉冲正向电流
功耗
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度( 5秒) , (注2 )
符号
I
F
I
FP
P
D
V
R
T
OPR
T
英镑
T
SOL
等级
100
1000
(注1 )
200
4
25~85
30~100
260
单位
mA
mA
mW
V
°C
°C
°C
*包括树脂模制部
( ) :参考值
东芝
4-3EA1
重量:0.23克(典型值)。
引脚连接
1
2
1.阳极
2.阴极
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :F
=
100 kHz时,值班
=
1%
注2 :焊接必须从封装体的底部进行2mm左右。
1
2007-10-01
TLN238(F)
光学和电学特性
(大
=
25°C)
特征
正向电压
反向电流
辐射强度
截止频率
峰值发射波长
半值角
符号
V
F
I
R
I
E
f
c
λ
P
θ
测试条件
I
F
=
百毫安
V
R
=
4 V
I
F
=
50毫安
I
F
=
50毫安
+
5毫安
P-P
I
F
=
50毫安
I
F
=
50毫安
(注3)
40
典型值。
1.6
70
15
870
±18
最大
2.0
60
单位
V
μA
毫瓦/ SR
兆赫
nm
°
1
2
注3 :这是频率调制时的光功率3分贝为1 MHz的降低。
操作注意事项
焊接必须在止动件下进行。
当形成所述引线,弯曲各引线为至少5毫米的封装体。焊接必须执行
引线已经形成之后。
随时间变化的辐射强度减小由于电流流过的红外LED 。当设计电路,
考虑到辐射强度随时间的变化。
2
2007-10-01
TLN238(F)
I
F
- TA
120
100
75°C
100
I
F
– V
F
(典型值)。
I
F
(MA )
(MA )
25°C
10
85°C
0°C
Ta
=
25°C
容许正向电流
80
60
正向电流I
F
1
50°C
40
0.1
20
0
0
20
40
60
80
100
0.01
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
环境温度Ta (C )
正向电压V
F
(V)
V
F
- TA
1.8
1.7
(典型值)。
1000
I
FP
– V
FP
(典型值)。
脉冲正向电流I
FP
(MA )
(V)
百毫安
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
50
IF
=
10毫安
70毫安
50毫安
30毫安
300
正向电压V
F
100
30
10
脉冲宽度
& LT ;
100
μs
=
重复频率
=
100赫兹
Ta
=
25°C
3
25
0
25
50
75
100
1
0
1
2
3
4
5
环境温度Ta (C )
脉冲正向电压
V
FP
(V)
I
FP
– P
w
10000
1.2
Ta
=
25°C
3000
f
=
100赫兹
200赫兹
300
500赫兹
1千赫
2千赫
100
5千赫
10千赫
30
1.0
相对我
E
– I
FP
脉冲宽度
=
1毫秒
=
10%
Ta
=
25°C
允许脉冲正向电流I
FP
(MA )
1000
相对辐射强度
10000
0.8
0.6
0.4
0.2
10
1
10
100
1000
0
0
200
400
600
800
1000
1200
脉冲宽度
P
w
(μs)
脉冲正向电流I
FP
(MA )
3
2007-10-01
TLN238(F)
波长特性
1
IF
=
50毫安
0.8
10
IF
=
50毫安
相对我
E
- TA
(典型值)。
0.6
相对辐射强度
相对功率密度
3
1
0.4
0.2
0.3
0
700
740
780
820
860
900
940
980
0.1
50
25
0
25
50
75
100
波长
λ
(纳米)
环境温度Ta (C )
辐射方向图
(典型值)。
Ta
=
25°C
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
相对辐射功率
4
2007-10-01
TLN238(F)
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
的GaAs (砷化镓)的使用该产品。灰尘或蒸气是有害于人体。不要打破,
切割,粉碎或溶解化学。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-10-01
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