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TLN201(F)
东芝红外线LED
GaAAs红外发射器
TLN201(F)
铅(Pb ) - 免费
光电开关
磁带和读卡器
设备采用红外传输
TO-18金属封装。
高辐射功率:P
o
= 5毫瓦(典型值)
高辐射强度:I
E
= 35MW / SR (典型值)。
优异的辐射强度线性度。调制脉冲操作
和高频率是可能的。
由于密封可靠性高
相同的外形TPS708 ( F)的光电二极管
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
正向电流降额
(钽> 25 ° C)
脉冲正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
(注1 )
符号
I
F
ΔI
F
/ °C
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
等级
100
1
1
5
40~125
55~150
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
°C
东芝
45Q2
重量0.33克(典型值)。
引脚连接
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
1
2
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
1.阴极
工作温度/电流/电压等)内的
2.阳极(情况)
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告,
估计的故障率,等)。
注1 :脉冲宽度
为100μs ,重复频率为100Hz =
标志
产品编号( TL略)
每月批号
N201
制造个月
(一月到十二月分别记为字母A至L)
制造年份
(制造年份的最后一位数字)
字母颜色:红色
1
2007-10-01
TLN201(F)
光学和电学特性
( TA = 25°C )
特征
正向电压
脉冲正向电压
反向电流
辐射强度
辐射功率
电容
峰值发射波长
光谱线半宽
半值角
符号
V
F
V
FP
I
R
I
E
P
O
C
T
λ
P
Δλ
θ
1
2
测试条件
I
F
= 50毫安
I
FP
= 1A
V
R
= 5V
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中,f = 1MHz的
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
20
典型值。
1.5
5.0
35
5
17
880
80
±7
最大
1.9
10
单位
V
V
μA
毫瓦/锶
mW
pF
nm
nm
°
注意事项
请注意以下事项的。
1.焊接温度: 260 ℃以下
焊接时间: 5S最大
(焊接必须从封装的底面进行1.5米)。
2.当在形成引线,弯曲从该装置的主体2毫米下每根引线。
引线已形成焊接后必须进行的。
3.辐射强度随时间下降,由于在红外LED中流动的电流。
当设计一个电路,考虑到这种变化的辐射功率随时间。
波动的辐射强度在光输出的波动的比率为1: 1 。
I
E
(T ) P
O
(t)
=
I
E
(0) P
O
(0)
2
2007-10-01
TLN201(F)
I
F
- TA
120
1000
I
FP
– V
FP
(典型值)。
I
F
(MA )
100
500
300
容许正向电流
80
60
脉冲正向电流I
FP
(MA )
100
40
50
30
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
10
环境温度Ta (C )
5
3
脉冲宽度
100μs
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
1
2
3
4
5
6
7
I
F
– V
F
100
(典型值)。
1
0
50
脉冲正向电压V
FP
(V)
TA = 100℃
75
50
25 0
(MA )
正向电流I
F
30
10
-25
5
3
1
1.1
I
E
– I
F
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
3000
(典型值)。
正向电压V
F
(V)
1000
500
脉冲宽度
≦100μs
重复
频率= 100Hz的
TA = 25°C
(毫瓦/ SR )
300
脉冲
波长特性
1.0
IF = 50毫安
TA = 25°C
0.8
(典型值)。
辐射强度I
E
100
50
30
相对强度
0.6
10
0.4
5
0.2
3
DC
0
760
800
840
880
920
960
1000
1
1
3
10
30
100
300
1000
波长
λ
(纳米)
正向电流I
F
(MA )
3
2007-10-01
TLN201(F)
辐射方向图
(典型值)。
10
相对我
E
- TA
(典型值)。
( TA = 25°C )
相对辐射强度
10°
10°
5
3
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
1.0
1
0.5
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
相对强度
环境温度Ta (C )
耦合特性有了
TPS601(F)
100
TA = 25°C
50
30
IE = 25.5MW / SR
3000
TA = 25°C
I
FP
– P
W
(MA )
允许脉冲正向电流
I
FP
(MA )
10
5
TPS601A ( F)采用样本
IL = 226μA
在VCE = 3V
1
E = 0.1MW /厘米
2
0.5
0.3
d
0.1
1
3
5
10
30 50
100
300 500 1000
3
1000
500
300
F = 100Hz的
集电极电流I
C
100
50
30
10kHz
5kHz
2kHz
1kHz
500Hz
200Hz
10
10μ
30μ
100μ
300μ
1m
3m
10m
间距d(毫米)
脉冲宽度
PW (S )
4
2007-10-01
TLN201(F)
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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切割,粉碎或溶解化学。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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5
2007-10-01
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