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TLN108(F)
东芝红外线LED
砷化镓红外发射器
TLN108(F)
铅（Pb ） - 免费
光电开关
磁带和读卡器
设备采用红外传输
TO- 18金属封装
高辐射强度：I
E
= 20毫瓦/ SR （典型值）。
优异的辐射强度线性度。调制脉冲操作
和高频率是可能的。
由于密封可靠性高
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
正向电流降额
（钽> 25 ° C）
脉冲正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
（注1 ）
符号
I
F
ΔI
F
/ °C
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
等级
100
1
1
5
40~125
55~150
单位
mA
毫安/°C的
A
V
°C
°C
东芝
45Q2
重量0.33克（典型值）。
引脚连接
1
1.
2.
2
阳极
阴极（下）
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件（即工作
温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
注1 ：脉冲宽度
≦100μs,
重复频率为100赫兹
标志
产品编号（ TL略）
每月批号
N108
½
制造个月
（一月到十二月分别记为字母A至L）
制造年份
（制造年份的最后一位数字）
字母颜色：红色
1
2007-10-01
TLN108(F)
光学和电学特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电压
脉冲正向电压
反向电流
辐射强度
辐射功率
电容
峰值发射波长
光谱线半宽
半值角
符号
V
F
V
FP
I
R
I
E
P
O
C
T
λ
P
Δλ
θ
1
2
测试条件
I
F
= 50毫安
I
FP
= 1 A
V
R
= 5 V
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
民
―
―
―
10
―
―
―
―
―
典型值。
1.3
2.4
―
20
3
30
940
50
±8
最大
1.4
―
10
―
―
―
―
―
―
单位
V
V
μA
毫瓦/锶
mW
pF
nm
nm
°
注意事项
请注意以下事项的。
1.焊接温度： 260 ℃以下
焊接时间： 5S最大
（焊接必须从封装的底面进行1.5米）。
2.当在形成引线，弯曲从该装置的主体2毫米下每根引线。
引线已形成焊接后必须进行的。
3.辐射强度随时间下降，由于在红外LED中流动的电流。
当设计一个电路，考虑到这种变化的辐射功率随时间。
波动的辐射强度在光输出的波动的比率为1： 1 。
I
E
（T ） P
O
(t)
=
I
E
(0) P
O
(0)
2
2007-10-01
TLN108(F)
I
F
- TA
120
1000
I
FP
– V
FP
（典型值）。
I
F
（MA ）
100
500
300
容许正向电流
80
脉冲正向电流I
FP
（MA ）
60
100
40
50
30
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度Ta （C ）
10
I
F
– V
F
100
（典型值）。
5
3
脉冲宽度
≦
100μs
重复频率
= 100Hz的
TA = 25°C
50
1
1.0
30
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
（MA ）
TA = 100℃
75
50
25
10
0
-30
脉冲正向电压
V
FP
(V)
正向电流I
F
5
3
I
E
– I
F
300
脉冲宽度
≦
100μs
重复频率
= 100Hz的
TA = 25°C
（典型值）。
脉冲
100
1
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
50
正向电压V
F
(V)
（毫瓦/ SR ）
辐射强度I
E
30
波长特性
1.0
IF = 50毫安
TA = 25°C
0.8
（典型值）。
10
5
3
相对强度
0.6
DC
1
0.4
0.5
0.2
0.3
0
900
920
940
960
980
1000
1020
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
波长
λ
（纳米）
正向电流I
F
（MA ）
3
2007-10-01
TLN108(F)
辐射方向图
（典型值）。
10
相对我
E
- TA
（典型值）。
（ TA = 25°C ）
5
相对辐射强度
3
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
1.0
1
0.5
0.3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
相对强度
环境温度Ta （C ）
I
FP
– P
W
3000
TA = 25°C
100
耦合特性有了
TPS601A(F)
TA = 25°C
允许脉冲正向电流
1000
500
50
30
F = 100Hz的
11.7
IE = 42MW / SR
23
10
（MA ）
I
FP
300
100
50
30
10kHz
5kHz
2kHz
1kHz
500Hz
200Hz
集电极电流I
C
（MA ）
5
3
10
3μ
10μ
30μ
100μ
300μ
1m
3m
10m
脉冲宽度
P
W
(s)
1
0.5
0.3
TPS601A(F)½½½IL = 226μA
在VCE = 3V
E = 0.1MW /厘米
2
d
0.1
1
3
5
10
30
50
100
距离
d (½½)
4
2007-10-01
TLN108(F)
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
的GaAs （砷化镓）的使用该产品。灰尘或蒸气是有害于人体。不要打破，
切割，粉碎或溶解化学。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-10-01
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