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TLM.32.
威世半导体
功率SMD LED PLCC- 4
特点
可在8毫米磁带
发光强度和颜色分类
每包装单位
e3
每封装单位光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
1.6
根据截至2千伏: ESD耐压值
JESD22-A114-B
适用于根据所有的焊接方法
CECC 00802及J- STD- 020C
预处理: ACC 。为JEDEC等级2A
铅(Pb ) - 免费的设备
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
应用
内部和外部照明
指示灯和背光用途的音频,
视频, LCD,开关,符号,照明
广告等等。
照明的目的,替代白炽灯
一般使用
19210
描述
该TLM.32 。在方面的先进的开发
散热。
这PLCC - 4表面贴装封装的引线框轮廓
优化,以减小热阻。
这允许更高的驱动电流和双打的光
输出相比, Vishay的高强度SMD LED
在PLCC -2封装。
产品组和包数据
产品组: LED
封装: SMD PLCC - 4
产品系列:电力
半强度角: ± 60 °
零件表
部分
TLMK32T2V1-GS18
TLMK32U2AA-GS18
TLMK32T2AA-GS18
TLMS32S2U1-GS18
TLMS32T1U2-GS18
TLMS32S2V1-GS18
TLMO32U2AA-GS18
TLMO32T2V1-GS18
TLMO32U1AA-GS18
TLMY32T2V1-GS18
TLMY32U2AA-GS18
TLMY32T2AA-GS18
颜色,发光强度
红色,我
V
= ( 355 900 ) MCD
红色,我
V
= ( 560 1400 ) MCD
红色,我
V
= ( 355 1400 ) MCD
超红,我
V
= ( 224 560 ) MCD
超红,我
V
= ( 280 710 ) MCD
超红,我
V
= ( 224 900 ) MCD
软橙,我
V
= ( 560 1400 ) MCD
软橙,我
V
= ( 355 900 ) MCD
软橙,我
V
= ( 450 1400 ) MCD
黄色,我
V
= ( 355 900 ) MCD
黄色,我
V
= ( 560 1400 ) MCD
黄色,我
V
= ( 355 1400 ) MCD
技术
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
文档编号81284
1.0版, 22 -FEB -08
www.vishay.com
1
TLM.32.
威世半导体
绝对最大额定值
1)
TLMK32 。 , TLMS32 。 , TLMO32 。 , TLMY32 。
参数
反向电压
正向电流
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在PC板FR4
可选paddesign
安装在PC板FR4
推荐paddesign
2)
测试条件
符号
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
R
thJA
价值
5
70
180
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
290
270
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
K / W
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
行驶在相反的方向上的发光二极管,适用于短期应用
光学和电学特性
1)
TLMK32 。红
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
TLMK32..
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMK32T2V1
TLMK32U2AA
TLMK32T2AA
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
612
分钟。
355
560
355
3
617
624
18
± 60
2.1
0.01
2.55
10
624
典型值。
马克斯。
900
1400
1400
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压时,在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
光学和电学特性
1)
TLMS32 。 ,超红
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMS32S2U1
TLMS32T1U2
TLMS32S2V1
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
626
分钟。
224
280
224
3
630
641
17
± 60
2.1
0.01
2.55
10
638
典型值。
马克斯。
560
710
900
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压时,在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
www.vishay.com
2
文档编号81284
1.0版, 22 -FEB -08
TLM.32.
威世半导体
光学和电学特性
1)
TLMO32 。 , SOFT ORANGE
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMO32T2V1
TLMO32U2AA
TLMO32U1AA
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
600
分钟。
355
560
450
3
605
611
17
± 60
2.1
0.01
2.55
10
609
典型值。
马克斯。
900
1400
1400
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压时,在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
光学和电学特性
1)
TLMY3214 ,黄色
参数
发光强度
2)
光通量
主波长
峰值波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 50毫安
部分
TLMY32T2V1
TLMY32U2AA
TLMY32T2AA
符号
I
V
I
V
I
V
φ
V
/I
V
λ
d
λ
p
Δλ
V
F
I
R
1.85
580
分钟。
355
560
355
3
588
590
18
± 60
2.1
0.01
2.55
10
595
典型值。
马克斯。
900
1400
1400
单位
MCD
MCD
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压时,在1毫秒的电流脉冲的持续时间和在± 0.05伏的耐受性测试
发光强度分类
标准
S
T
U
V
A
1
2
1
2
1
2
1
2
A
光强度( MCD )
可选
分钟。
180
224
280
355
450
560
710
900
1120
马克斯。
224
280
355
450
560
710
900
1120
1400
注意:
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间进行测试和
的± 11 %的精度。
上述类型的数字表示的顺序组,包括
只有少数亮度组。只有一组将被运上
每个卷轴(会有两个组在每个卷轴无搅拌) 。在
以确保拥有,单颗亮度集团将不
订购。
以类似的方式对颜色,其中波长团是
测量并分级,单波长组将被运上
任何一个趔趄。
为了保证可用性,单波长组将不
订购。
文档编号81284
1.0版, 22 -FEB -08
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3
TLM.32.
威世半导体
颜色分类
分钟。
1
2
3
4
5
6
581
583
585
587
589
591
马克斯。
584
586
588
590
592
594
600
602
604
606
608
603
605
607
609
611
软橙
分钟。
马克斯。
大教堂。波长(nm )
CROSSING表
日前,Vishay
TLMK32T2V1
TLMK32U2AA
TLMK32T2AA
TLMS32S2U1
TLMS32T1U2
TLMS32S2V1
TLMO32U2AA
TLMY32T2V1
TLMY32U2AA
TLMY32T2AA
欧司朗
LAE67BT2V1
LAE67BU2AA
LAE67BT2AA
LSE67AS2U1
LSE67AT1U2
LSE67AS2V1
LOE67BU2AA
LYE67BT2V1
LYE67BU2AA
LYE67BT2AA
注意:
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
100
90
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
17046
I
F
- 正向电流(mA )
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
125
270 K / W
R
thJA
= 290 K / W
I
F
- 正向电流(mA )
80
软橙
超红
18568
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电流与环境温度
图3.正向电流与正向电压
10°
20°
30°
1.2
I
V
REL
- 相对发光强度
I
V
REL
- 相对发光强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
95 10319
570
16007
590
610
630
650
670
λ
-
波长
(纳米)
图2.相对。发光强度与角位移
图4.相对强度与波长
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4
文档编号81284
1.0版, 22 -FEB -08
TLM.32.
威世半导体
V
F
- 改变前进的
电压
(毫伏)
250
I
V
REL
- 相对发光强度
10
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 50
- 25
0
25
50
75
100
10毫安
30毫安
50毫安
1
0.1
0.01
1
17037
17034
T
AMB
- 环境温度( ° C)
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
图5.更改正向电压与环境温度
图8.相对发光强度与正向电流
2.5
I
V
REL
- 相对发光强度
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 50
17035
- 改变的DOM 。
波长
(纳米)
1.5
1.0
0.5
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 25
0
25
50
75
100
17038
d
T
AMB
- 环境温度( ° C)
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
I
F
- 正向电流(mA )
图6.相对发光强度与环境温度
图9.更改主波长与正向电流
- 改变的DOM 。
波长
(纳米)
6
4
2
0
-2
-4
-6
- 50
I
V
REL
- 相对发光强度
- 25
0
25
50
75
100
1.2
1.1
超红
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
600
620
d
640
660
680
700
17036
T
AMB
- 环境温度( ° C)
17045
λ
-
波长
(纳米)
图7.更改的主波长与
环境温度
图10.相对强度与波长
文档编号81284
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TLMO32T2V1-GS18
VISHAY/威世
2443+
23000
SMD
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3329849729 复制

电话:17302677633
联系人:林先生
地址:深圳市福田区都会大厦B座24K
TLMO32T2V1-GS18
VISHAY/威世
20+
13450
LED
全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势,支持实单
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VISHAY/威世
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