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TLMB/G/O/P/S/Y2100
威世半导体
标准Mini SMD LED
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
与自动贴装
e3
设备
EIA和ICE标准封装
IR回流焊
可在8毫米磁带
薄型封装
非扩散镜头:优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
2.0 ,可选
1.6
铅(Pb ) - 免费的设备
19226
描述
新MiniLED系列已被设计为在
小白SMT封装。该装置的特征是
非常小的封装2.3毫米×1.3毫米× 1.4毫米。
该MiniLED是小规模的明显的解决方案,
按照预期可靠地工作的高功率产品
在艰苦的环境中。这是经常的情况下
汽车和工业应用的课程。
产品组和包数据
产品组: LED
封装: SMD MiniLED
产品系列:标准
半强度角: ± 60 °
零件表
部分
TLMS2100-GS08
TLMO2100-GS08
TLMY2100-GS08
TLMG2100-GS08
TLMP2100-GS08
TLMB2100-GS08
应用
汽车:背光仪表板和
开关
电信:指示器和背光
电话及传真
指示灯和背光源的音频和视频
设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD,开关和符号
一般使用
颜色,发光强度
红色,我
V
= 7.5 MCD (典型值)。
软橙,我
V
= 7.5 MCD (典型值)。
黄色,我
V
= 7.5 MCD (典型值)。
绿色的,我
V
= 10 MCD (典型值)。
纯绿,我
V
= 2.2 MCD (典型值)。
蓝,我
V
= 7 MCD (典型值)。
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
文档编号83199
修订版1.7 , 24月, 07
www.vishay.com
1
TLMB/G/O/P/S/Y2100
威世半导体
绝对最大额定值
1)
TLMS2100 , TLMO2100 , TLMY2100 , TLMG2100 , TLMP2100
参数
反向电压
2)
测试条件
T
AMB
60 °C
t
p
10 s
T
AMB
60 °C
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
6
30
0.5
95
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
245
480
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
根据IPC 9501
安装在PC板
(焊盘尺寸> 5毫米
2
)
T
sd
R
thJA
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
行驶在相反方向的LED适合于短期应用
绝对最大额定值
1)
TLMB2100
参数
反向电压
2)
测试条件
T
AMB
60 °C
t
p
10 s
T
AMB
60 °C
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
5
20
0.1
90
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
245
480
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
根据IPC 9501
安装在PC板
(焊盘尺寸> 5毫米
2
)
T
sd
R
thJA
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
行驶在相反方向的LED适合于短期应用
光学和电学特性
1)
TLMS2100 ,红
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
2.5
624
典型值。
7.5
628
640
± 60
2.1
最大
636
单位
MCD
nm
nm
主波长
3.0
V
V
pF
6
15
15
www.vishay.com
2
文档编号83199
修订版1.7 , 24月, 07
TLMB/G/O/P/S/Y2100
威世半导体
光学和电学特性
1)
TLMO2100 , SOFT ORANGE
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
3.2
598
典型值。
7.5
605
605
± 60
2.1
最大
611
单位
MCD
nm
nm
主波长
3
V
V
pF
6
15
15
光学和电学特性
1)
TLMY2100 ,黄色
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意:
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
3.2
581
典型值。
7.5
588
585
± 60
2.2
最大
594
单位
MCD
nm
nm
3
V
V
pF
6
15
15
光学和电学特性
1)
TLMG2100 ,绿色
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意:
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
6.3
562
典型值。
10
568
565
± 60
2.2
最大
575
单位
MCD
nm
nm
3.0
V
V
pF
6
15
15
文档编号83199
修订版1.7 , 24月, 07
www.vishay.com
3
TLMB/G/O/P/S/Y2100
威世半导体
光学和电学特性
1)
TLMP2100 ,纯绿色
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
1.0
555
典型值。
2.2
560
555
± 60
2.4
最大
565
单位
MCD
nm
nm
主波长
3
V
V
pF
6
15
15
光学和电学特性
1)
TLMB2100 , BLUE
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
注意:
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
2.0
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
4.0
典型值。
7.0
465
428
± 60
3.9
最大
单位
MCD
nm
nm
4.5
V
V
5.0
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
120
P
V
- 功耗(MW )
I
F
- 正向电流(mA )
100
80
60
40
20
0
0
红色,橘黄色柔软,
黄色,绿色,纯绿色
40
35
30
25
20
15
10
5
0
红色,橘黄色柔软,
黄色,绿色,纯绿色
18023
20
40
60
80
T
AMB
- 环境温度( ° C)
100
18024
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度
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4
文档编号83199
修订版1.7 , 24月, 07
TLMB/G/O/P/S/Y2100
威世半导体
10°
20°
30°
I
V
REL
- 相对发光强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
95 10319
图3.相对。发光强度与角位移
包装尺寸
以毫米为单位
16892
文档编号83199
修订版1.7 , 24月, 07
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