TLMO / S / Y2000
威世半导体
低电流MiniLED
描述
新的低电流MiniLED系列已
设计在一个小的白色SMT封装。该功能
该装置是非常小的封装2.3毫米×1.3
毫米×1.4毫米，低正向电流。凡是用于
LED是小规模的明显的解决方案，高
按照预期工作可靠性的电源产品
艰苦的环境。这是经常的情况下
汽车和工业应用。
19226
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
兼容与自动贴装设备
IR再溢流焊接
可在8毫米磁带
低廓包
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
2.0 ，可选
≤
1.6
无铅器件
e3
Pb
无铅
应用
汽车：背光仪表板及开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示器和背光源的音频和视频设备
指示器和背光源办公设备
平板背光LCD，开关和符号
零件表
部分
TLMS2000
TLMO2000
TLMY2000
颜色，发光强度
红色，我
V
= 4.5 MCD （典型值）。
橙，我
V
= 9.0 MCD （典型值）。
黄色，我
V
= 7.1 MCD （典型值）。
半强度角（ ±φ ）
60 °
60 °
60 °
技术
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLMS200 。 ， TLMO200 。 ， TLMY200 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
≤
100 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
100 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
价值
5
15
0.1
40
125
- 40至+ 100
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
文档编号83185
修订版1.3 21 -JAN- 05
www.vishay.com
1
TLMO / S / Y2000
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
100
P
V
- 功耗（MW ）
100
红
I
F
- 正向电流（mA ）
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
10
1
1.0
17509
1.5
2.0
2.5
3.0
18556
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 前V oltage （ V）
图1.功耗与环境温度
图4.正向电流与正向电压
40
35
I
F
- 正向电流（mA ）
I
VREL
–
相对发光强度
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
1.2
1.1
橙
1.0
黄
红
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
540 560 580 600 620 640 660 680 700
–
波长（nm ）
18557
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
18266
图2.正向电流与环境温度
图5.相对强度与波长
0°
10°
20°
30°
1000
I
F
–
正向电流（ A）
I
V再度升
- 相对发光强度
t
p
/T=
0.01
0.02
0.05
100
0.1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.2
0.5
10
0.01
1
0.10
1.00
10.00
100.00
95 10319
17557
t
p
–
脉冲持续时间（毫秒）
图3.相对。发光强度与角位移
图6.正向电流与脉冲宽度
文档编号83185
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3
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威世半导体
低电流MiniLED
描述
新的低电流MiniLED系列已
设计在一个小的白色SMT封装。该功能
该装置是非常小的封装2.3毫米×1.3
毫米×1.4毫米，低正向电流。凡是用于
LED是小规模的明显的解决方案，高
按照预期工作可靠性的电源产品
艰苦的环境。这是经常的情况下
汽车和工业应用。
19226
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
兼容与自动贴装设备
IR再溢流焊接
可在8毫米磁带
低廓包
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
2.0 ，可选
≤
1.6
无铅器件
e3
Pb
无铅
应用
汽车：背光仪表板及开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示器和背光源的音频和视频设备
指示器和背光源办公设备
平板背光LCD，开关和符号
零件表
部分
TLMS2000
TLMO2000
TLMY2000
颜色，发光强度
红色，我
V
= 4.5 MCD （典型值）。
橙，我
V
= 9.0 MCD （典型值）。
黄色，我
V
= 7.1 MCD （典型值）。
半强度角（ ±φ ）
60 °
60 °
60 °
技术
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLMS200 。 ， TLMO200 。 ， TLMY200 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
≤
100 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
100 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
价值
5
15
0.1
40
125
- 40至+ 100
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
文档编号83185
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1
TLMO / S / Y2000
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
100
P
V
- 功耗（MW ）
100
红
I
F
- 正向电流（mA ）
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
10
1
1.0
17509
1.5
2.0
2.5
3.0
18556
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 前V oltage （ V）
图1.功耗与环境温度
图4.正向电流与正向电压
40
35
I
F
- 正向电流（mA ）
I
VREL
–
相对发光强度
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
1.2
1.1
橙
1.0
黄
红
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
540 560 580 600 620 640 660 680 700
–
波长（nm ）
18557
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
18266
图2.正向电流与环境温度
图5.相对强度与波长
0°
10°
20°
30°
1000
I
F
–
正向电流（ A）
I
V再度升
- 相对发光强度
t
p
/T=
0.01
0.02
0.05
100
0.1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.2
0.5
10
0.01
1
0.10
1.00
10.00
100.00
95 10319
17557
t
p
–
脉冲持续时间（毫秒）
图3.相对。发光强度与角位移
图6.正向电流与脉冲宽度
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TLMO / S / Y2000
威世半导体
低电流MiniLED
描述
新的低电流MiniLED系列已
设计在一个小的白色SMT封装。该功能
该装置是非常小的封装2.3毫米×1.3
毫米×1.4毫米，低正向电流。凡是用于
LED是小规模的明显的解决方案，高
按照预期工作可靠性的电源产品
艰苦的环境。这是经常的情况下
汽车和工业应用。
19226
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
兼容与自动贴装设备
IR再溢流焊接
可在8毫米磁带
低廓包
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
2.0 ，可选
≤
1.6
无铅器件
e3
Pb
无铅
应用
汽车：背光仪表板及开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示器和背光源的音频和视频设备
指示器和背光源办公设备
平板背光LCD，开关和符号
零件表
部分
TLMS2000
TLMO2000
TLMY2000
颜色，发光强度
红色，我
V
= 4.5 MCD （典型值）。
橙，我
V
= 9.0 MCD （典型值）。
黄色，我
V
= 7.1 MCD （典型值）。
半强度角（ ±φ ）
60 °
60 °
60 °
技术
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLMS200 。 ， TLMO200 。 ， TLMY200 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
≤
100 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
100 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
价值
5
15
0.1
40
125
- 40至+ 100
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
文档编号83185
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1
TLMO / S / Y2000
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
100
P
V
- 功耗（MW ）
100
红
I
F
- 正向电流（mA ）
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
10
1
1.0
17509
1.5
2.0
2.5
3.0
18556
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 前V oltage （ V）
图1.功耗与环境温度
图4.正向电流与正向电压
40
35
I
F
- 正向电流（mA ）
I
VREL
–
相对发光强度
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
1.2
1.1
橙
1.0
黄
红
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
540 560 580 600 620 640 660 680 700
–
波长（nm ）
18557
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
18266
图2.正向电流与环境温度
图5.相对强度与波长
0°
10°
20°
30°
1000
I
F
–
正向电流（ A）
I
V再度升
- 相对发光强度
t
p
/T=
0.01
0.02
0.05
100
0.1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.2
0.5
10
0.01
1
0.10
1.00
10.00
100.00
95 10319
17557
t
p
–
脉冲持续时间（毫秒）
图3.相对。发光强度与角位移
图6.正向电流与脉冲宽度
文档编号83185
修订版1.3 21 -JAN- 05
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