日前,Vishay
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
在PLCC - 2封装的SMD LED
描述
这些装置已经被设计,以满足
增加了对表面安装技术的需求。
该TLM.310的包。是的PLCC - 2 (等价
借给大小B钽电容) 。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
19225
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
兼容红外线,气相及波
根据CECC焊接工艺
可在8毫米磁带
低廓包
非扩散镜头:优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元的发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
无铅器件
e3
Pb
无铅
应用
汽车:背光仪表板及开关
电信:指示器和背光
电话及传真
指示器和背光源的音频和视频设备
指示器和背光源办公设备
平板背光LCD,开关和符号
一般使用
零件表
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
TLMO3100
TLMO3101
TLMY3100
TLMY3102
TLMG3100
TLMG3102
颜色,发光强度
红色,我
V
> 2.5 MCD
红色,我
V
= ( 4 12.5 ) MCD
红色,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
软橙,我
V
> 2.5 MCD
半强度角( ±φ )
60 °
60 °
60 °
60 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
软橙,我
V
= (4 12.5 ) mcd的60°
黄色,我
V
> 2.5 MCD
黄色,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
绿色的,我
V
> 4 MCD
绿色的,我
V
= (10 20 ) mcd的
60 °
60 °
60 °
60 °
文档编号83032
修订版1.7 , 8月31日 - 04
www.vishay.com
1
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
部分
TLMG3105
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3107
TLMP3102
颜色,发光强度
绿色的,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
纯绿,我
V
> 1 MCD
纯绿,我
V
= (1.6 5) mcd的
纯绿,我
V
= (2.5 5) mcd的
纯绿,我
V
= (2.5 8) mcd的
半强度角( ±φ )
60 °
60 °
60 °
60 °
60 °
日前,Vishay
技术
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLMG310 。 , TLMH310 。 TLMO310 。 , TLMP310 。 , TLMY310 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
安装在PC板
(焊盘尺寸> 16毫米)
2
测试条件
T
AMB
≤
60 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
60 °C
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
0.5
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
红
TLMH310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
6.3
612
典型值。
6
最大
12.5
20
625
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
635
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
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2
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日前,Vishay
软橙
TLMO310.
参数
发光强度
1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMO3100
TLMO3101
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
598
典型值。
8
最大
12.5
611
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
605
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
黄
TLMY310.
参数
发光强度
1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMY3100
TLMY3102
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
6.3
581
典型值。
6
最大
20
594
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
585
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
绿色
TLMG310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMG3100
TLMG3102
TLMG3105
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
4
10
6.3
562
典型值。
9
最大
20
20
575
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
565
± 60
2.2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
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3
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
纯绿
TLMP310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3102
TLMP3107
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
日前,Vishay
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1
1.6
2.5
2.5
555
典型值。
4
最大
5
8
5
565
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
555
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
10000
125
I
F
- 正向电流(mA )
P - 功耗(MW )
V
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
75
50
25
0
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
0
20
40
60
80
100
95 9985
1
0.01
0.1
1
10
100
95 10904
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
0°
I
V再度升
- 相对发光强度
10°
20°
60
I
F
- 正向电流(mA )
30°
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
95 10905
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
95 10319
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图4.相对。发光强度与角位移
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4
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TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
10
红
I
F
- 正向电流(mA )
红
10
I
V REL
- 相对发光强度
100
1
1
0.1
0.1
0
95 9989
0.01
1
2
3
4
5
95 9995
1
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
V
F
- 正向电压( V)
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
2.0
I
V REL
- 相对发光强度
1.2
红
I
V再度升
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
100
610
630
650
670
690
95 9993
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10040
λ
- 波长(nm )
图6.相对。发光强度与环境温度
图9.相对强度与波长
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
100
I
F
- 正向电流(mA )
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
软橙
10
1
0.1
0
10
95 10321
0
1
2
3
4
5
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
95 9990
V
F
- 正向电压( V)
1
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
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TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
在PLCC - 2封装的SMD LED
描述
这些装置已经被设计,以满足
增加了对表面安装技术的需求。
该TLM.310的包。是的PLCC - 2 (等价
借给大小B钽电容) 。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
19225
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
兼容与自动贴装设备
EIA和ICE标准封装
兼容红外线,气相及波
根据CECC焊接工艺
可在8毫米磁带
低廓包
非扩散镜头:优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元的发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
无铅器件
e3
Pb
无铅
应用
汽车:背光仪表板及开关
电信:指示器和背光
电话及传真
指示器和背光源的音频和视频设备
指示器和背光源办公设备
平板背光LCD,开关和符号
一般使用
零件表
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
TLMO3100
TLMO3101
TLMY3100
TLMY3102
TLMG3100
TLMG3102
颜色,发光强度
红色,我
V
> 2.5 MCD
红色,我
V
= ( 4 12.5 ) MCD
红色,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
软橙,我
V
> 2.5 MCD
半强度角( ±φ )
60 °
60 °
60 °
60 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
软橙,我
V
= (4 12.5 ) mcd的60°
黄色,我
V
> 2.5 MCD
黄色,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
绿色的,我
V
> 4 MCD
绿色的,我
V
= (10 20 ) mcd的
60 °
60 °
60 °
60 °
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TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
部分
TLMG3105
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3107
TLMP3102
颜色,发光强度
绿色的,我
V
= ( 6.3 20 ) MCD
纯绿,我
V
> 1 MCD
纯绿,我
V
= (1.6 5) mcd的
纯绿,我
V
= (2.5 5) mcd的
纯绿,我
V
= (2.5 8) mcd的
半强度角( ±φ )
60 °
60 °
60 °
60 °
60 °
日前,Vishay
技术
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLMG310 。 , TLMH310 。 TLMO310 。 , TLMP310 。 , TLMY310 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
安装在PC板
(焊盘尺寸> 16毫米)
2
测试条件
T
AMB
≤
60 °C
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
60 °C
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
0.5
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
红
TLMH310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
6.3
612
典型值。
6
最大
12.5
20
625
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
635
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
www.vishay.com
2
文档编号83032
修订版1.7 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
软橙
TLMO310.
参数
发光强度
1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMO3100
TLMO3101
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
598
典型值。
8
最大
12.5
611
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
605
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
黄
TLMY310.
参数
发光强度
1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMY3100
TLMY3102
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
6.3
581
典型值。
6
最大
20
594
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
585
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
绿色
TLMG310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMG3100
TLMG3102
TLMG3105
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
4
10
6.3
562
典型值。
9
最大
20
20
575
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
565
± 60
2.2
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
文档编号83032
修订版1.7 , 8月31日 - 04
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3
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
纯绿
TLMP310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3102
TLMP3107
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
日前,Vishay
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1
1.6
2.5
2.5
555
典型值。
4
最大
5
8
5
565
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
555
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
10000
125
I
F
- 正向电流(mA )
P - 功耗(MW )
V
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
75
50
25
0
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
0
20
40
60
80
100
95 9985
1
0.01
0.1
1
10
100
95 10904
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
0°
I
V再度升
- 相对发光强度
10°
20°
60
I
F
- 正向电流(mA )
30°
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
95 10905
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
95 10319
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图4.相对。发光强度与角位移
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4
文档编号83032
修订版1.7 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
10
红
I
F
- 正向电流(mA )
红
10
I
V REL
- 相对发光强度
100
1
1
0.1
0.1
0
95 9989
0.01
1
2
3
4
5
95 9995
1
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
V
F
- 正向电压( V)
图5.正向电流与正向电压
图8.相对发光强度与正向电流
2.0
I
V REL
- 相对发光强度
1.2
红
I
V再度升
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
100
610
630
650
670
690
95 9993
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10040
λ
- 波长(nm )
图6.相对。发光强度与环境温度
图9.相对强度与波长
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
100
I
F
- 正向电流(mA )
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
软橙
10
1
0.1
0
10
95 10321
0
1
2
3
4
5
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
95 9990
V
F
- 正向电压( V)
1
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
文档编号83032
修订版1.7 , 8月31日 - 04
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5
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
绝对最大额定值
1)
TLMG310 。 , TLMH310 。 TLMO310 。 , TLMP310 。 , TLMY310
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
安装在PC板
(焊盘尺寸> 16毫米
2
)
T
AMB
≤
60 °C
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
0.5
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
光学和电学特性
1)
TLMH310 。红
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
6
民
2.5
4
6.3
612
635
± 60
2
15
15
2.8
典型值。
6
12.5
20
625
最大
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
pF
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
光学和电学特性
1)
TLM0310 。 , SOFT ORANGE
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中,f = 1 MHz的
部分
TLMO3100
TLMO3101
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
598
典型值。
8
最大
12.5
611
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
605
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
注意:
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
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文档编号83032
修订版1.8 12 09月07
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
2.4
I
V
REL
- 相对发光强度
红
I
F
- 正向电流(mA )
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
95 10321
100
软橙
10
1
0.1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02 t
P
/T
0
95 9990
1
2
3
4
5
V
F
- 前进
电压
(V)
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
I
v
REL
- 相对发光强度
10
I
V
REL
- 相对发光强度
2.0
红
软橙
1.6
1
1.2
0.8
0.4
0
0.1
0.01
1
95 9995
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
95 9994
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图8.相对发光强度与正向电流
图11.相对。发光强度与环境温度
1.2
I
V
RE L
- 相对发光强度
I
V
RE L
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
95 10040
2.4
软橙
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
95 10259
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
λ
-
波长
(纳米)
图9.相对强度与波长
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
文档编号83032
修订版1.8 12 09月07
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