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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第323页 > TLMH3100-GS08
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
标准的SMD LED PLCC- 2
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
与自动贴装
e3
设备
EIA和ICE标准封装
与红外线，气相及波
根据CECC焊接工艺
可在8毫米磁带
薄型封装
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
铅（Pb ） - 免费的设备
应用
汽车：背光仪表板和
开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示灯和背光源的音频和视频
设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD，开关和符号
一般使用
94
8553
描述
这些装置已经被设计，以满足
增加了对表面安装技术的需求。
该TLM.310的包。是的PLCC- 2
（相当于一个容量B的钽电容） 。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
产品组和包数据
产品组： LED
封装： SMD PLCC - 2
产品系列：标准
半强度角： ± 60 °
零件表
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
TLMO3100
TLMO3101
TLMY3100
TLMY3102
TLMG3100
TLMG3102
TLMG3105
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3107
TLMP3102
文档编号83032
修订版1.8 12 09月07
颜色，发光强度
红色，我
V
> 2.5 MCD
红色，我
V
= （ 4 12.5 ） MCD
红色，我
V
= （ 6.3 20 ） MCD
软橙，我
V
> 2.5 MCD
软橙，我
V
= （ 4 12.5 ） MCD
黄色，我
V
> 2.5 MCD
黄色，我
V
= （ 6.3 20 ） MCD
绿色的，我
V
> 4 MCD
绿色的，我
V
= （10 20 ） mcd的
绿色的，我
V
= （ 6.3 20 ） MCD
纯绿，我
V
> 1 MCD
纯绿，我
V
= （1.6 5） mcd的
纯绿，我
V
= （2.5 5） mcd的
纯绿，我
V
= （2.5 8） mcd的
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
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1
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
绝对最大额定值
1)
TLMG310 。 ， TLMH310 。 TLMO310 。 ， TLMP310 。 ， TLMY310
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
安装在PC板
（焊盘尺寸> 16毫米
2
)
T
AMB
≤
60 °C
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
0.5
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
光学和电学特性
1)
TLMH310 。红
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLMH3100
TLMH3101
TLMH3102
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
6
民
2.5
4
6.3
612
635
± 60
2
15
15
2.8
典型值。
6
12.5
20
625
最大
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
pF
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
光学和电学特性
1)
TLM0310 。 ， SOFT ORANGE
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLMO3100
TLMO3101
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
598
典型值。
8
最大
12.5
611
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
605
± 60
2
6
15
15
2.8
V
V
pF
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
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2
文档编号83032
修订版1.8 12 09月07
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
光学和电学特性
1)
TLMY310 。 ，黄
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLMY3100
TLMY3102
符号
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
6
民
2.5
6.3
581
585
± 60
2.1
15
15
2.8
典型值。
6
20
594
最大
单位
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
pF
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
光学和电学特性
1)
TLMG310 。 ，绿
参数
发光强度
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLMG3100
TLMG3102
TLMG3105
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
4
10
6.3
562
典型值。
9
最大
20
20
575
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
565
± 60
2.2
6
15
15
2.8
V
V
pF
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
光学和电学特性
1)
TLMP310 。 ，纯绿
参数
测试条件
部分
TLMP3100
发光强度
2)
I
F
= 10毫安
TLMP3101
TLMP3102
TLMP3107
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1
1.6
2.5
2.5
555
典型值。
4
最大
5
8
5
565
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
555
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
文档编号83032
修订版1.8 12 09月07
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3
TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
0°
10°
20°
30°
100
I
V
REL
- 相对发光强度
125
P - 功率耗散（ mW）的
V
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
75
50
25
0
0
95 10904
20
40
60
80
100
95 10319
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
60
100
I
F
- 正向电流（mA ）
50
红
I
F
- 正向电流（mA ）
0
20
40
60
80
100
40
30
20
10
0
10
1
0.1
0
95 9989
1
95 10905
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
2
3
4
V
F
- 前进
电压
(V)
5
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图5.正向电流与正向电压
10000
t
p
/T = 0.005
2.0
I
v
REL
- 相对发光强度
T
AMB
< 60℃
0.01
0.02
0.05
红
1.6
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
1.2
100
0.2
0.5
DC
0.8
0.4
0
0
10
0.1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
95 9993
20
40
60
80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
图6.相对。发光强度与环境温度
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4
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TLMG/H/O/P/Y310.
威世半导体
2.4
I
V
REL
- 相对发光强度
红
I
F
- 正向电流（mA ）
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
95 10321
100
软橙
10
1
0.1
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02 t
P
/T
0
95 9990
1
2
3
4
5
V
F
- 前进
电压
(V)
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
I
v
REL
- 相对发光强度
10
I
V
REL
- 相对发光强度
2.0
红
软橙
1.6
1
1.2
0.8
0.4
0
0.1
0.01
1
95 9995
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
95 9994
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图8.相对发光强度与正向电流
图11.相对。发光强度与环境温度
1.2
I
V
RE L
- 相对发光强度
I
V
RE L
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
95 10040
2.4
软橙
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
95 10259
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
λ
-
波长
（纳米）
图9.相对强度与波长
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
文档编号83032
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