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日前,Vishay
TLHW5100
威世半导体
白光LED采用5mm (T 1
3
/
4
) Waterclear套餐
描述
高强度典型的色坐标LED
x = 0.33 ,y = 0.33 (典型色温5500 K) 。
此LED发射的白色光具有高显色性
索引。
发光光谱被调谐为理想的白色,与 -
出的是蓝色的阴影或"cold"的印象。该
包是一个标准的T 1
3
/
4
.
内部反射器被装满的TAG的化合物
荧光体和弹性树脂。
因此,该芯片是更好的保护,防止temper-
ATURE循环压力。
磷光体转换的蓝色发射
的InGaN芯片部分为黄色,这与混合的
其余的蓝色产生白色。
19223
e2
Pb
无铅
应用
指示器和背光
室内和室外的消息板
替代白炽灯
标志灯
特点
高效的InGaN技术
色度坐标,根据分类
每包装单位CIE1931
典型的色度坐标x = 0.33 ; Y = 0.33
典型色温5500
ESD等级1
可视角度小,亮度高
芯片嵌入弹性树脂,提高了鲁棒
内斯对温度循环应力
无铅器件
零件表
部分
TLHW5100
颜色,发光强度
白色的,我
V
> MCD 320
半强度角( ±φ )
技术
对SiC的InGaN / TAG
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHW5100
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
56 °C
t
p
10
s
T
AMB
56 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
价值
5
30
0.1
126
100
- 40至+ 100
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
文档编号83148
修订版1.5 , 8月31日 - 04
www.vishay.com
1
TLHW5100
威世半导体
参数
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5s
测试条件
符号
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
- 40至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHW5100
参数
发光强度
1)
色度坐标X ACC 。
到1931年CIE
色度坐标y ACC 。
到1931年CIE
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
1)
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
I
V
x
y
V
F
V
R
TC
VF
TC
IV
320
典型值。
1000
0.33
0.33
±9
3.5
最大
单位
MCD
4.2
V
V
毫伏/ K
%/K
5
-4
- 0.5
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
色度坐标分类
3
4
5
0.280
0.305
0.330
X
最大
0.325
0.350
0.375
0.210
0.260
0.310
Y
最大
0.340
0.390
0.440
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
140
P
V
- 功耗(MW )
I
F
- 正向电流(mA )
35
30
25
20
15
10
5
0
16290
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
0
20
40
60
80
100
16289
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度的AlInGaP
www.vishay.com
2
文档编号83148
修订版1.5 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
TLHW5100
威世半导体
10
I
VREL
- 相对发光强度
I
VREL
- 相对发光强度
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
1
16194
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
16197
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图3.相对发光强度与正向电流
图6.相对。发光强度与环境温度
100
的F - 色度坐标偏移( X,Y)
0.345
0.340
0.335
0.330
Y
0.325
0.320
0.315
X
I
F
- 正向电流(mA
)
10
1
2.0
16195
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
F
- 正向电压( V)
16198
0
10
20
30
40
50
60
I
F
- 正向电流(mA )
图4.正向电流与正向电压
图7.色度坐标偏移与正向电流
100
I
V REL
- 相对发光强度
3.95
3.90
I
F
- 正向电压( V)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
3.85
3.80
3.75
3.70
3.65
3.60
3.55
3.50
3.45
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
16196
λ
- 波长(nm )
16199
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图5.相对强度与波长
图8.正向电压与环境温度
文档编号83148
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3
TLHW5100
威世半导体
S
REL
- 相对灵敏度
日前,Vishay
10°
20°
30°
Colorgroups坐标
0.50
0.45
D65
0.40
b
0.35
a
0.30
0.25
0.20
0.20
16284
e
c
d
5
f
A
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
.
.
3
4
a=
b=
c=
d=
e=
f=
20000K
10000K
7000K
6000K
5000K
4000K
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
Colorgroups坐标
94 8351
图9.相对辐射灵敏度与角位移
图10.坐标Colorgroups的
包装尺寸(mm)
9612121
www.vishay.com
4
文档编号83148
修订版1.5 , 8月31日 - 04
日前,Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
TLHW5100
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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TLHW5100
威世半导体
白光LED采用5mm (T 1
3
/
4
) Waterclear套餐
描述
高强度典型的色坐标LED
x = 0.33 ,y = 0.33 (典型色温5500 K) 。
此LED发射的白色光具有高显色性
索引。
发光光谱被调谐为理想的白色,与 -
出的是蓝色的阴影或"cold"的印象。该
包是一个标准的T 1
3
/
4
.
内部反射器被装满的TAG的化合物
荧光体和弹性树脂。
因此,该芯片是更好的保护,防止temper-
ATURE循环压力。
磷光体转换的蓝色发射
的InGaN芯片部分为黄色,这与混合的
其余的蓝色产生白色。
19223
e2
Pb
无铅
应用
指示器和背光
室内和室外的消息板
替代白炽灯
标志灯
特点
高效的InGaN技术
色度坐标,根据分类
每包装单位CIE1931
典型的色度坐标x = 0.33 ; Y = 0.33
典型色温5500
ESD等级1
可视角度小,亮度高
芯片嵌入弹性树脂,提高了鲁棒
内斯对温度循环应力
无铅器件
零件表
部分
TLHW5100
颜色,发光强度
白色的,我
V
> MCD 320
半强度角( ±φ )
技术
对SiC的InGaN / TAG
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHW5100
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
56 °C
t
p
10
s
T
AMB
56 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
价值
5
30
0.1
126
100
- 40至+ 100
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
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www.vishay.com
1
TLHW5100
威世半导体
参数
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
5s
测试条件
符号
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
- 40至+ 100
260
350
日前,Vishay
单位
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
TLHW5100
参数
发光强度
1)
色度坐标X ACC 。
到1931年CIE
色度坐标y ACC 。
到1931年CIE
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
1)
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
I
V
x
y
V
F
V
R
TC
VF
TC
IV
320
典型值。
1000
0.33
0.33
±9
3.5
最大
单位
MCD
4.2
V
V
毫伏/ K
%/K
5
-4
- 0.5
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
0.5
色度坐标分类
3
4
5
0.280
0.305
0.330
X
最大
0.325
0.350
0.375
0.210
0.260
0.310
Y
最大
0.340
0.390
0.440
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
140
P
V
- 功耗(MW )
I
F
- 正向电流(mA )
35
30
25
20
15
10
5
0
16290
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
0
20
40
60
80
100
16289
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图1.功耗与环境温度
图2.正向电流与环境温度的AlInGaP
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日前,Vishay
TLHW5100
威世半导体
10
I
VREL
- 相对发光强度
I
VREL
- 相对发光强度
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
1
16194
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
16197
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图3.相对发光强度与正向电流
图6.相对。发光强度与环境温度
100
的F - 色度坐标偏移( X,Y)
0.345
0.340
0.335
0.330
Y
0.325
0.320
0.315
X
I
F
- 正向电流(mA
)
10
1
2.0
16195
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
F
- 正向电压( V)
16198
0
10
20
30
40
50
60
I
F
- 正向电流(mA )
图4.正向电流与正向电压
图7.色度坐标偏移与正向电流
100
I
V REL
- 相对发光强度
3.95
3.90
I
F
- 正向电压( V)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
3.85
3.80
3.75
3.70
3.65
3.60
3.55
3.50
3.45
0 10 20
30 40 50 60 70 80 90 100
16196
λ
- 波长(nm )
16199
T
AMB
- 环境温度(
°
C )
图5.相对强度与波长
图8.正向电压与环境温度
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S
REL
- 相对灵敏度
日前,Vishay
10°
20°
30°
Colorgroups坐标
0.50
0.45
D65
0.40
b
0.35
a
0.30
0.25
0.20
0.20
16284
e
c
d
5
f
A
1.0
0.9
0.8
0.7
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
.
.
3
4
a=
b=
c=
d=
e=
f=
20000K
10000K
7000K
6000K
5000K
4000K
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
Colorgroups坐标
94 8351
图9.相对辐射灵敏度与角位移
图10.坐标Colorgroups的
包装尺寸(mm)
9612121
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
TLHW5100
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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