日前，Vishay
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
高效率LED
3毫米有色散射封装
描述
该TLH.44 ..系列是针对标准制定
应用，如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在3毫米有色扩散塑料封装。
这些器件的宽视角提供了一个
高开关对比。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19220
e3
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
标准T -1包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
广视角
发光强度分类
黄，绿三色分类
无铅器件
零件表
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
TLHO4400
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
颜色，发光强度
红色，我
V
> 1.6 MCD
红色，我
V
> 2.5 MCD
红色，我
V
> 6.3 MCD
软橙，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 2.5 MCD
黄色，我
V
> 6.3 MCD
绿色的，我
V
> 2.5 MCD
绿色的，我
V
> 4 MCD
绿色的，我
V
> 6.3 MCD
纯绿，我
V
> 0.63 MCD
纯绿，我
V
> 1 MCD
纯绿，我
V
> 1.6 MCD
半强度角（ ±φ ）
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
文档编号83006
修订版1.4 ， 8月31日 - 04
www.vishay.com
1
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLHR44 ..， TLHO44 ..， TLHY44 ..， TLHG44 ..， TLHP44 ..，
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒， 2毫米从主体
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
日前，Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
红
TLHR44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
612
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
625
635
± 30
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
软橙
TLHO44..
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLHO4400
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
598
典型值。
4
最大
611
单位
MCD
nm
nm
度
主波长
605
± 30
2.4
6
15
15
3
V
V
pF
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
www.vishay.com
2
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日前，Vishay
黄
TLHY44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
部分
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
581
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
594
585
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
绿色
TLHG44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
6.3
562
典型值。
4
6
12
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
575
565
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
纯绿
TLHP44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
0.63
1
1.6
555
典型值。
2
3
3.5
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
565
555
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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3
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
0
°
I
VREL
- 相对发光强度
日前，Vishay
10
°
20
°
125
P - 功耗（MW ）
V
30°
100
75
50
25
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0
20
40
60
80
100
95 10042
95 10904
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
60
I
F
- 正向电流（mA ）
红
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0
95 10026
2
4
6
8
10
95 10905
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图5.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10000
T
AMB
≤
65
°
C
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
红
1000
t
p
/T= 0.01
0.02
0.05
1.2
100
1
10
0.5 0.2
0.1
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
0.01
95 10047
0
0.1
1
10
100
95 10027
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.正向电流与脉冲宽度
图6.相对。发光强度与环境温度
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4
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TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
100
I
F
- 正向电流（mA ）
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
软橙
10
1
0.1
0
10
95 10321
0
1
2
3
4
5
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 9990
V
F
- 正向电压（ V）
1
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
红
软橙
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
95 9994
1
0.1
0.01
95 10029
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图8.相对发光强度与正向电流
图11.相对。发光强度与环境温度
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
软橙
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
95 10259
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 10040
λ
- 波长（nm ）
图9.相对强度与波长
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
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日前，Vishay
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
高效率LED
3毫米有色散射封装
描述
该TLH.44 ..系列是针对标准制定
应用，如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在3毫米有色扩散塑料封装。
这些器件的宽视角提供了一个
高开关对比。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19220
e3
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
标准T -1包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
广视角
发光强度分类
黄，绿三色分类
无铅器件
零件表
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
TLHO4400
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
颜色，发光强度
红色，我
V
> 1.6 MCD
红色，我
V
> 2.5 MCD
红色，我
V
> 6.3 MCD
软橙，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 2.5 MCD
黄色，我
V
> 6.3 MCD
绿色的，我
V
> 2.5 MCD
绿色的，我
V
> 4 MCD
绿色的，我
V
> 6.3 MCD
纯绿，我
V
> 0.63 MCD
纯绿，我
V
> 1 MCD
纯绿，我
V
> 1.6 MCD
半强度角（ ±φ ）
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
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修订版1.4 ， 8月31日 - 04
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1
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLHR44 ..， TLHO44 ..， TLHY44 ..， TLHG44 ..， TLHP44 ..，
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒， 2毫米从主体
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
日前，Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
红
TLHR44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
612
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
625
635
± 30
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
软橙
TLHO44..
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLHO4400
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
598
典型值。
4
最大
611
单位
MCD
nm
nm
度
主波长
605
± 30
2.4
6
15
15
3
V
V
pF
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
www.vishay.com
2
文档编号83006
修订版1.4 ， 8月31日 - 04
日前，Vishay
黄
TLHY44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
部分
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
581
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
594
585
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
绿色
TLHG44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
6.3
562
典型值。
4
6
12
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
575
565
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
纯绿
TLHP44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
0.63
1
1.6
555
典型值。
2
3
3.5
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
565
555
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
文档编号83006
修订版1.4 ， 8月31日 - 04
www.vishay.com
3
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
0
°
I
VREL
- 相对发光强度
日前，Vishay
10
°
20
°
125
P - 功耗（MW ）
V
30°
100
75
50
25
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0
20
40
60
80
100
95 10042
95 10904
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
60
I
F
- 正向电流（mA ）
红
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0
95 10026
2
4
6
8
10
95 10905
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图5.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10000
T
AMB
≤
65
°
C
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
红
1000
t
p
/T= 0.01
0.02
0.05
1.2
100
1
10
0.5 0.2
0.1
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
0.01
95 10047
0
0.1
1
10
100
95 10027
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.正向电流与脉冲宽度
图6.相对。发光强度与环境温度
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日前，Vishay
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
100
I
F
- 正向电流（mA ）
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
软橙
10
1
0.1
0
10
95 10321
0
1
2
3
4
5
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 9990
V
F
- 正向电压（ V）
1
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
红
软橙
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
95 9994
1
0.1
0.01
95 10029
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图8.相对发光强度与正向电流
图11.相对。发光强度与环境温度
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
软橙
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
95 10259
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 10040
λ
- 波长（nm ）
图9.相对强度与波长
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
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日前，Vishay
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
高效率LED
3毫米有色散射封装
描述
该TLH.44 ..系列是针对标准制定
应用，如一般的显示和照明陈建
构成。
它坐落在3毫米有色扩散塑料封装。
这些器件的宽视角提供了一个
高开关对比。
用不同的发光意向几种类型的选择
sities提供。所有LED都归类在lumi-
理性强度组。绿色和黄色LED
在波长组另外分类。
这可以让用户组装的LED均匀
外观。
19220
e3
Pb
无铅
应用
状态指示灯
OFF / ON指示灯
背景照明
读出灯
检修灯
传说中的光
特点
标准T -1包
小型机械公差
适用于DC和高峰值电流
广视角
发光强度分类
黄，绿三色分类
无铅器件
零件表
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
TLHO4400
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
颜色，发光强度
红色，我
V
> 1.6 MCD
红色，我
V
> 2.5 MCD
红色，我
V
> 6.3 MCD
软橙，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 1.6 MCD
黄色，我
V
> 2.5 MCD
黄色，我
V
> 6.3 MCD
绿色的，我
V
> 2.5 MCD
绿色的，我
V
> 4 MCD
绿色的，我
V
> 6.3 MCD
纯绿，我
V
> 0.63 MCD
纯绿，我
V
> 1 MCD
纯绿，我
V
> 1.6 MCD
半强度角（ ±φ ）
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
30 °
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
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TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
TLHR44 ..， TLHO44 ..， TLHY44 ..， TLHG44 ..， TLHP44 ..，
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5秒， 2毫米从主体
t
p
≤
10
s
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
30
1
100
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
400
日前，Vishay
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
红
TLHR44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHR4400
TLHR4401
TLHR4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
612
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
625
635
± 30
2
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
软橙
TLHO44..
参数
发光强度
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
TLHO4400
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
598
典型值。
4
最大
611
单位
MCD
nm
nm
度
主波长
605
± 30
2.4
6
15
15
3
V
V
pF
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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2
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日前，Vishay
黄
TLHY44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
部分
TLHY4400
TLHY4401
TLHY4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1.6
2.5
6.3
581
典型值。
3
5
10
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
594
585
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
绿色
TLHG44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHG4400
TLHG4401
TLHG4405
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
2.5
4
6.3
562
典型值。
4
6
12
最大
单位
MCD
MCD
MCD
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
575
565
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
纯绿
TLHP44..
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLHP4400
TLHP4401
TLHP4405
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
0.63
1
1.6
555
典型值。
2
3
3.5
最大
单位
MCD
MCD
MCD
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
565
555
± 30
2.4
3
nm
nm
度
V
V
pF
6
15
50
在一个包装单位I
VMIN
/I
VMAX
≤
0.5
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3
TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
0
°
I
VREL
- 相对发光强度
日前，Vishay
10
°
20
°
125
P - 功耗（MW ）
V
30°
100
75
50
25
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0
20
40
60
80
100
95 10042
95 10904
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
60
I
F
- 正向电流（mA ）
红
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0
95 10026
2
4
6
8
10
95 10905
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图5.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10000
T
AMB
≤
65
°
C
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
红
1000
t
p
/T= 0.01
0.02
0.05
1.2
100
1
10
0.5 0.2
0.1
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
0.01
95 10047
0
0.1
1
10
100
95 10027
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.正向电流与脉冲宽度
图6.相对。发光强度与环境温度
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TLHG / O / P / R / Y440 。
威世半导体
100
I
F
- 正向电流（mA ）
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
软橙
10
1
0.1
0
10
95 10321
0
1
2
3
4
5
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 9990
V
F
- 正向电压（ V）
1
图7.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
图10.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
红
软橙
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
95 9994
1
0.1
0.01
95 10029
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图8.相对发光强度与正向电流
图11.相对。发光强度与环境温度
1.2
I
V再度升
- 相对发光强度
2.4
I
V再度升
- 相对发光强度
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
软橙
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
95 10259
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 10040
λ
- 波长（nm ）
图9.相对强度与波长
图12.相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
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