TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)28C(F)
东芝InGaAP LED
TLRE28C(F),TLRME28C(F),TLSE28C(F),TLOE28C(F),
TLYE28C(F),TLGE28C(F)
单位：mm
○
面板指示灯电路
铅（Pb ） - 免费的产品（铅：锡银铜）
4.3x5mm
InGaAP技术
彩色透明镜片
阵容： 6种颜色（红，黄，绿）
出色的低光电流输出
高强度光发射
应用范围：留言板，仪表板显示
阵容
产品名称
TLRE28C(F)
TLRME28C(F)
TLSE28C(F)
TLOE28C(F)
TLYE28C(F)
TLGE28C(F)
颜色
红
红
红
橙
黄
绿色
材料
InGaAP
InGaAP
InGaAP
InGaAP
InGaAP
InGaAP
JEDEC
EIAJ
东芝
―
―
4-5AQ1
重量0.25克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
产品名称
TLRE28C(F)
TLRME28C(F)
TLSE28C(F)
TLOE28C(F)
TLYE28C(F)
TLGE28C(F)
正向电流
I
F
（MA ）
50
50
50
50
50
50
反向电压
V
R
(V)
4
4
4
4
4
4
功耗
P
D
（ mW）的
120
120
120
120
120
120
40~100
40~120
操作
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)28C(F)
电气和光学特性
（大
=
25°C)
产品名称
λ
d
TLRE28C(F)
TLRME28C(F)
TLSE28C(F)
TLOE28C(F)
TLYE28C(F)
TLGE28C(F)
单位
630
626
613
605
587
571
典型值。发射波长
λ
P
(644)
(636)
(623)
(612)
(590)
(574)
nm
Δλ
20
23
20
20
17
17
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
发光强度
I
V
民
85
85
85
153
153
47.6
MCD
典型值。
200
200
300
500
350
150
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
正向电压
V
F
典型值。
1.9
1.9
1.9
2.0
2.0
2.0
V
最大
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
I
F
20
20
20
20
20
20
mA
反向
当前
I
R
最大
50
50
50
50
50
50
μA
V
R
4
4
4
4
4
4
V
请注意以下事项：
焊接温度： 260 ℃以下，焊接时间： 3秒以内
（焊接的引线部分：低于器件的引线塞子）
如果铅形成，所述引线应形成到下面的器件的引线塞子不形成应力
到树脂上。焊接后应率先形成进行。
这可见的LED灯还发出了一些红外光。
如果一个光电探测器靠近LED灯，请确保它不会受到此红外光。
2
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)28C(F)
TLRE28C(F)
I
F
– V
F
100
TA = 25℃
3000
TA = 25℃
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
（MA ）
50
30
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
0.8
I
V
相对发光强度
3
相对发光强度
5
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
580
600
620
640
660
680
700
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
（MA ）
I
F
容许正向电流
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
3
2007-10-01
TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)28C(F)
TLRME28C(F)
I
F
– V
F
100
TA = 25℃
3000
TA = 25℃
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
（MA ）
50
30
1000
正向电流
I
F
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
10
1.0
相对发光强度 - 波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
0.8
I
V
相对发光强度
3
相对发光强度
5
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
580
600
620
640
660
680
700
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
（MA ）
I
F
容许正向电流
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
4
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TL(RE,RME,SE,OE,YE,GE)28C(F)
TLSE28C(F)
I
F
– V
F
100
TA = 25℃
10000
TA = 25℃
I
V
– I
F
I
V
（ MCD ）
发光强度
（MA ）
50
30
正向电流
I
F
1000
10
5
3
100
1
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
10
1
10
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
（MA ）
I
V
TC =
3
1.0
相对发光强度 - 波长
如果= 20mA下
TA = 25℃
0.8
I
V
相对发光强度
1
相对发光强度
0.6
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
20
0
20
40
60
80
0
560
580
600
620
640
660
680
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
（纳米）
辐射方向图
I
F
- TA
（MA ）
I
F
容许正向电流
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
环境温度
Ta
(°C)
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