7 H桥的直流电机的应用
数据表
TLE 6209
1
1.1
概观
特点
提供多达6个连续7峰值电流
优化的直流电机管理应用程序
非常低
R
DS ON
的典型值。 150毫欧@ 25
°C
每个交换机
工作在高达40V的电源电压
对瞬态过压保护高达45 V
充分短路保护输出
PG- DSO- 20-37 ， -65
标准的SPI接口，菊花链功能
高达7 A的可调节斩波电流调节
温度监控与预警，报警和停机
过压和欠压锁定
负载开路检测
详细负载故障诊断的SPI
最小化功耗，由于主动随心所欲
由于电压调节斜率低EMI
极低的电流消耗（典型值20
μA
@ 25
°C)
在待机状态（禁止），模式
增强的电源PG- DSO-包
绿色产品（符合RoHS）
AEC合格
包
PG- DSO- 20-37 ， -65
TYPE
TLE 6209
功能说明
该TLE 6209 R是一个集成的电源H桥与D- MOS输出级的驱动
双向负载，如直流电动机。该设计基于英飞凌智能电源
SPT技术，它允许双极， CMOS和功率D- MOS在同一设备
单片电路。
操作模式正向（ CW ） ，反向（ CCW）和制动由两个控制引脚激活
PWM和DIR 。保护和过电流， openload ，短路的可靠诊断
到地，至电源电压或负载两端都集成。详细的诊断
数据手册， Rev.3.2
1
2010-09-10
TLE 6209
信息经由8位SPI状态字给出。一个集成的斩波电流限制
的电流限制例如降低直流机械挡时的功耗
电机。几个设备参数可以由SPI控制字来设置。三级
温度监测与预警，报警和停机是包括
关键的功率损耗的条件下，控制操作。充分保护和
诊断能力使该器件特别适合于安全相关的应用程序，
例如在汽车ECU 。
1.2
引脚配置
（ TOP VIEW ）
TLE 6209R
1
GND
出1
出1
V
S
SCLK
SDI
SDO
CSN
INH
GND
GND
输出2
输出2
V
S
DRV
V
CC
PWM
DIR
DIS
GND
20
2
19
3
18
4
17
5
16
6
15
7
14
8
13
9
12
10
11
合金弹头，
连接到GND
引脚定义和功能
V
S
DRV
SDI
SCLK
OUT
PWM
DIS
电源电压
输入电荷泵缓冲区
电容
串行数据输入
串行时钟输入
电源输出
PWM输入
禁止输入
2
V
CC
GND
SDO
CSN
–
DIR
INH
5 V逻辑电源
地
串行数据输出
片选，未输入
–
方向输入
抑制
2010-09-10
数据手册，版本3.2
TLE 6209
1.2.1
1, 10,
11, 20
2,3
4,17
引脚定义和功能
GND
OUT1
地面;
内部连接到散热片（散热片） ;减少
热阻的地方冷却区和PCB散热孔。
输出1 ;
对D- MOS半桥输出1 ;外部连接
引脚2和3之间是必要的。
电源;
需要一个隔直电容尽可能靠近，以
GND ; 47
μF
电解并联220nF的陶瓷是
建议;与4脚和17脚为外部连接
有必要的。
串行时钟输入端;
时钟shiftregister ; SCLK内部有一个
有源上拉下来，需要CMOS逻辑电平
串行数据输入;
接收来自控制装置的串行数据;
发送到SDI的串行数据与最小的8位控制字
显著位（LSB ）被首先转移;输入具有活动
拉下来，需要CMOS逻辑电平; SDI将接受数据
SCLK信号的下降沿;看
表1
为输入数据的协议。
串行数据输出;
这三态输出传输诊断数据
控制装置;该输出将保持三态，除非该设备
选择一个低的片选，不（ CSN ） ; SDO状态变化
在SCLK的上升沿;看
表4
诊断协议。
片选，不输入;
CSN为低电平输入;串行
通信是通过拉动终端CSN低电平有效; CSN
当SCLK为低投入只能转换; CSN有
内部有源上拉，并要求CMOS逻辑电平。
禁止输入;
具有内部上拉下来;设备被切换
待机状态下通过拉动INH端子低。
禁止输入;
有一个内部上拉;输出级是
通过拉动DIS终端的高交换三态状态。
方向输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
PWM输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
逻辑电源电压;
需要隔直电容尽量靠近
可能到GND ; 10
μF
电解并联220nF的陶瓷是
推荐使用。
引脚号符号功能
V
S
5
6
SCLK
SDI
7
SDO
8
CSN
9
12
13
14
15
INH
DIS
DIR
PWM
V
CC
数据手册，版本3.2
3
2010-09-10
TLE 6209
2
2.1
电路描述
串行外设接口（SPI ）
SPI被用于与控制单元进行双向通信。 8位
编程的字或控制字（见
表1）
是通过SDI的串行数据输入读入，
这是与串行时钟输入SCLK同步。出现的状态字
同步在SDO串行数据输出（见
表4）。
当芯片选择与片选-不（CSN）的发送周期开始
输入（ H到L ） 。当从低电平CSN的输入变为H ，该字已读
到移位寄存器变为控制字。那么SDO输出切换到三态
状态，从而释放用于其他用途的，SDO总线电路。在SPI允许并行
多个SPI器件通过使用多个CSN线。由于全双工的移位寄存器中，在
TLE 6209 R能够也可在菊花链配置中使用。
通过SPI控制字进行的设置将在SPI的结束
传输和保持有效，直到一个不同的控制字传输或电源
复位。在每个SPI传输，诊断比特作为当前在错误有效
逻辑传输。诊断位的行为描述
第2.5节。
表1
位
7
6
5
4
3
2
1
0
状态寄存器复位： H =重置
OVLO ： H =上， L =关闭
未使用
的2位斩波关断时间MSB
LSB的2位斩波关断时间
PWM工作模式： H =快速衰减， L =慢衰减
2位斩波电流限制MSB
LSB 2位斩波电流限制
输入数据协议
数据手册，版本3.2
5
2010-09-10
7 H桥的直流电机的应用
TLE 6209
数据表
1
1.1
概观
特点
提供多达6个连续7峰值电流
优化的直流电机管理应用程序
非常低
R
DS ON
的典型值。 150毫欧@ 25
°C
每个交换机
工作在高达40V的电源电压
对瞬态过压保护高达45 V
充分短路保护输出
PG-DSO-20-37
标准的SPI接口，菊花链功能
高达7 A的可调节斩波电流调节
温度监控与预警，报警和停机
过压和欠压锁定
负载开路检测
详细负载故障诊断的SPI
最小化功耗，由于主动随心所欲
由于电压调节斜率低EMI
极低的电流消耗（典型值20
A
@ 25
°C)
在待机状态（禁止），模式
增强的电源PG- DSO-包
绿色产品（符合RoHS）
AEC合格
包
PG-DSO-20-37
TYPE
TLE 6209
功能说明
该TLE 6209 R是一个集成的电源H桥与D- MOS输出级的驱动
双向负载，如直流电动机。该设计基于英飞凌智能电源
SPT技术，它允许双极， CMOS和功率D- MOS在同一设备
单片电路。
操作模式正向（ CW ） ，反向（ CCW）和制动由两个控制引脚激活
PWM和DIR 。保护和过电流， openload ，短路的可靠诊断
到地，至电源电压或负载两端都集成。详细的诊断
数据手册， Rev.3.1
1
2007-08-01
TLE 6209
信息经由8位SPI状态字给出。一个集成的斩波电流限制
的电流限制例如降低直流机械挡时的功耗
电机。几个设备参数可以由SPI控制字来设置。三级
温度监测与预警，报警和停机是包括
关键的功率损耗的条件下，控制操作。充分保护和
诊断能力使该器件特别适合于安全相关的应用程序，
例如在汽车ECU 。
1.2
引脚配置
（ TOP VIEW ）
TLE 6209R
1
GND
出1
出1
V
S
SCLK
SDI
SDO
CSN
INH
GND
GND
输出2
输出2
V
S
DRV
V
CC
PWM
DIR
DIS
GND
20
2
19
3
18
4
17
5
16
6
15
7
14
8
13
9
12
10
11
合金弹头，
连接到GND
引脚定义和功能
V
S
DRV
SDI
SCLK
OUT
PWM
DIS
电源电压
输入电荷泵缓冲区
电容
串行数据输入
串行时钟输入
电源输出
PWM输入
禁止输入
2
V
CC
GND
SDO
CSN
–
DIR
INH
5 V逻辑电源
地
串行数据输出
片选，未输入
–
方向输入
抑制
2007-08-01
数据手册，版本3.1
TLE 6209
1.2.1
1, 10,
11, 20
2,3
4,17
引脚定义和功能
GND
OUT1
地面;
内部连接到散热片（散热片） ;减少
热阻的地方冷却区和PCB散热孔。
输出1 ;
对D- MOS半桥输出1 ;外部连接
引脚2和3之间是必要的。
电源;
需要一个隔直电容尽可能靠近，以
GND ; 47
F
电解并联220nF的陶瓷是
建议;与4脚和17脚为外部连接
有必要的。
串行时钟输入端;
时钟shiftregister ; SCLK内部有一个
有源上拉下来，需要CMOS逻辑电平
串行数据输入;
接收来自控制装置的串行数据;
发送到SDI的串行数据与最小的8位控制字
显著位（LSB ）被首先转移;输入具有活动
拉下来，需要CMOS逻辑电平; SDI将接受数据
SCLK信号的下降沿;看
表1
为输入数据的协议。
串行数据输出;
这三态输出传输诊断数据
控制装置;该输出将保持三态，除非该设备
选择一个低的片选，不（ CSN ） ; SDO状态变化
在SCLK的上升沿;看
表4
诊断协议。
片选，不输入;
CSN为低电平输入;串行
通信是通过拉动终端CSN低电平有效; CSN
当SCLK为低投入只能转换; CSN有
内部有源上拉，并要求CMOS逻辑电平。
禁止输入;
具有内部上拉下来;设备被切换
待机状态下通过拉动INH端子低。
禁止输入;
有一个内部上拉;输出级是
通过拉动DIS终端的高交换三态状态。
方向输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
PWM输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
逻辑电源电压;
需要隔直电容尽量靠近
可能到GND ; 10
F
电解并联220nF的陶瓷是
推荐使用。
引脚号符号功能
V
S
5
6
SCLK
SDI
7
SDO
8
CSN
9
12
13
14
15
INH
DIS
DIR
PWM
V
CC
数据手册，版本3.1
3
2007-08-01
TLE 6209
2
2.1
电路描述
串行外设接口（SPI ）
SPI被用于与控制单元进行双向通信。 8位
编程的字或控制字（见
表1）
是通过SDI的串行数据输入读入，
这是与串行时钟输入SCLK同步。出现的状态字
同步在SDO串行数据输出（见
表4）。
当芯片选择与片选-不（CSN）的发送周期开始
输入（ H到L ） 。当从低电平CSN的输入变为H ，该字已读
到移位寄存器变为控制字。那么SDO输出切换到三态
状态，从而释放用于其他用途的，SDO总线电路。在SPI允许并行
多个SPI器件通过使用多个CSN线。由于全双工的移位寄存器中，在
TLE 6209 R能够也可在菊花链配置中使用。
通过SPI控制字进行的设置将在SPI的结束
传输和保持有效，直到一个不同的控制字传输或电源
复位。在每个SPI传输，诊断比特作为当前在错误有效
逻辑传输。诊断位的行为描述
第2.5节。
表1
位
7
6
5
4
3
2
1
0
状态寄存器复位： H =重置
OVLO ： H =上， L =关闭
未使用
的2位斩波关断时间MSB
LSB的2位斩波关断时间
PWM工作模式： H =快速衰减， L =慢衰减
2位斩波电流限制MSB
LSB 2位斩波电流限制
输入数据协议
数据手册，版本3.1
5
2007-08-01
7 H桥的直流电机的应用
TLE 6209
数据表
1
1.1
概观
特点
提供多达6个连续7峰值电流
优化的直流电机管理应用程序
非常低
R
DS ON
的典型值。 150米
@ 25
°
每个开关C
工作在高达40V的电源电压
P-DSO-20-12
对瞬态过压保护高达45 V
充分短路保护输出
标准的SPI接口，菊花链功能
高达7 A的可调节斩波电流调节
温度监控与预警，报警和停机
过压和欠压锁定
负载开路检测
详细负载故障诊断的SPI
最小化功耗，由于主动随心所欲
由于电压调节斜率低EMI
极低的电流消耗（典型值20
A @ 25
°
C）在待机状态（禁止），模式
增强的功率P - DSO-包
订购代码
Q67007-A9488
包
P-DSO-20-12
TYPE
TLE 6209
功能说明
该TLE 6209 R是一个集成的电源H桥与D- MOS输出级的驱动
双向负载，如直流电动机。该设计基于英飞凌智能电源
SPT技术，它允许双极， CMOS和功率D- MOS在同一设备
单片电路。
操作模式正向（ CW ） ，反向（ CCW）和制动由两个控制引脚激活
PWM和DIR 。保护和过电流， openload ，短路的可靠诊断
到地，至电源电压或负载两端都集成。详细的诊断
信息经由8位SPI状态字给出。一个集成的斩波电流限制
的电流限制例如降低直流机械挡时的功耗
数据手册，版本3.0
1
2001-10-15
TLE 6209
1.2.1
1, 10,
11, 20
2,3
4,17
引脚定义和功能
GND
OUT1
地面;
内部连接到散热片（散热片） ;减少
热阻的地方冷却区和PCB散热孔。
输出1 ;
对D- MOS半桥输出1 ;外部连接
引脚2和3之间是必要的。
电源;
需要一个隔直电容尽可能靠近，以
GND ; 47
μF电解平行于220 nF的陶瓷
建议;与4脚和17脚为外部连接
有必要的。
串行时钟输入端;
时钟shiftregister ; SCLK内部有一个
有源上拉下来，需要CMOS逻辑电平
串行数据输入;
接收来自控制装置的串行数据;
发送到SDI的串行数据与最小的8位控制字
显著位（LSB ）被首先转移;输入具有活动
拉下来，需要CMOS逻辑电平; SDI将接受数据
SCLK信号的下降沿;看
表1
为输入数据的协议。
串行数据输出;
这三态输出传输诊断数据
控制装置;该输出将保持三态，除非该设备
选择一个低的片选，不（ CSN ） ; SDO状态变化
在SCLK的上升沿;看
表4
诊断协议。
片选，不输入;
CSN为低电平输入;串行
通信是通过拉动终端CSN低电平有效; CSN
当SCLK为低投入只能转换; CSN有
内部有源上拉，并要求CMOS逻辑电平。
禁止输入;
具有内部上拉下来;设备被切换
待机状态下通过拉动INH端子低。
禁止输入;
有一个内部上拉;输出级是
通过拉动DIS终端的高交换三态状态。
方向输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
PWM输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
逻辑电源电压;
需要隔直电容尽量靠近
可能到GND ; 10
μF电解平行于220 nF的陶瓷
推荐使用。
引脚号符号功能
V
S
5
6
SCLK
SDI
7
SDO
8
CSN
9
12
13
14
15
INH
DIS
DIR
PWM
V
CC
数据手册，版本3.0
3
2001-10-15
TLE 6209
2
2.1
电路描述
串行外设接口（SPI ）
SPI被用于与控制单元进行双向通信。 8位
编程的字或控制字（见
表1）
是通过SDI的串行数据输入读入，
这是与串行时钟输入SCLK同步。出现的状态字
同步在SDO串行数据输出（见
表4）。
当芯片选择与片选-不（CSN）的发送周期开始
输入（ H到L ） 。当从低电平CSN的输入变为H ，该字已读
到移位寄存器变为控制字。那么SDO输出切换到三态
状态，从而释放用于其他用途的，SDO总线电路。在SPI允许并行
多个SPI器件通过使用多个CSN线。由于全双工的移位寄存器中，在
TLE 6209 R能够也可在菊花链配置中使用。
通过SPI控制字进行的设置将在SPI的结束
传输和保持有效，直到一个不同的控制字传输或电源
复位。在每个SPI传输，诊断比特作为当前在错误有效
逻辑传输。诊断位的行为描述
第2.5节。
表1
位
7
6
5
4
3
2
1
0
状态寄存器复位： H =重置
OVLO ： H =上， L =关闭
未使用
的2位斩波关断时间MSB
LSB的2位斩波关断时间
PWM工作模式： H =快速衰减， L =慢衰减
2位斩波电流限制MSB
LSB 2位斩波电流限制
输入数据协议
数据手册，版本3.0
5
2001-10-15
7 H桥的直流电机的应用
TLE 6209
数据表
1
1.1
概观
特点
提供多达6个连续7峰值电流
优化的直流电机管理应用程序
非常低
R
DS ON
的典型值。 150米
@ 25
°
每个开关C
工作在高达40V的电源电压
P-DSO-20-12
对瞬态过压保护高达45 V
充分短路保护输出
标准的SPI接口，菊花链功能
高达7 A的可调节斩波电流调节
温度监控与预警，报警和停机
过压和欠压锁定
负载开路检测
详细负载故障诊断的SPI
最小化功耗，由于主动随心所欲
由于电压调节斜率低EMI
极低的电流消耗（典型值20
A @ 25
°
C）在待机状态（禁止），模式
增强的功率P - DSO-包
订购代码
Q67007-A9488
包
P-DSO-20-12
TYPE
TLE 6209
功能说明
该TLE 6209 R是一个集成的电源H桥与D- MOS输出级的驱动
双向负载，如直流电动机。该设计基于英飞凌智能电源
SPT技术，它允许双极， CMOS和功率D- MOS在同一设备
单片电路。
操作模式正向（ CW ） ，反向（ CCW）和制动由两个控制引脚激活
PWM和DIR 。保护和过电流， openload ，短路的可靠诊断
到地，至电源电压或负载两端都集成。详细的诊断
信息经由8位SPI状态字给出。一个集成的斩波电流限制
的电流限制例如降低直流机械挡时的功耗
数据手册，版本3.0
1
2001-10-15
TLE 6209
1.2.1
1, 10,
11, 20
2,3
4,17
引脚定义和功能
GND
OUT1
地面;
内部连接到散热片（散热片） ;减少
热阻的地方冷却区和PCB散热孔。
输出1 ;
对D- MOS半桥输出1 ;外部连接
引脚2和3之间是必要的。
电源;
需要一个隔直电容尽可能靠近，以
GND ; 47
μF电解平行于220 nF的陶瓷
建议;与4脚和17脚为外部连接
有必要的。
串行时钟输入端;
时钟shiftregister ; SCLK内部有一个
有源上拉下来，需要CMOS逻辑电平
串行数据输入;
接收来自控制装置的串行数据;
发送到SDI的串行数据与最小的8位控制字
显著位（LSB ）被首先转移;输入具有活动
拉下来，需要CMOS逻辑电平; SDI将接受数据
SCLK信号的下降沿;看
表1
为输入数据的协议。
串行数据输出;
这三态输出传输诊断数据
控制装置;该输出将保持三态，除非该设备
选择一个低的片选，不（ CSN ） ; SDO状态变化
在SCLK的上升沿;看
表4
诊断协议。
片选，不输入;
CSN为低电平输入;串行
通信是通过拉动终端CSN低电平有效; CSN
当SCLK为低投入只能转换; CSN有
内部有源上拉，并要求CMOS逻辑电平。
禁止输入;
具有内部上拉下来;设备被切换
待机状态下通过拉动INH端子低。
禁止输入;
有一个内部上拉;输出级是
通过拉动DIS终端的高交换三态状态。
方向输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
PWM输入;
具有内部上拉下来; TTL / CMOS兼容
输入。
逻辑电源电压;
需要隔直电容尽量靠近
可能到GND ; 10
μF电解平行于220 nF的陶瓷
推荐使用。
引脚号符号功能
V
S
5
6
SCLK
SDI
7
SDO
8
CSN
9
12
13
14
15
INH
DIS
DIR
PWM
V
CC
数据手册，版本3.0
3
2001-10-15
TLE 6209
2
2.1
电路描述
串行外设接口（SPI ）
SPI被用于与控制单元进行双向通信。 8位
编程的字或控制字（见
表1）
是通过SDI的串行数据输入读入，
这是与串行时钟输入SCLK同步。出现的状态字
同步在SDO串行数据输出（见
表4）。
当芯片选择与片选-不（CSN）的发送周期开始
输入（ H到L ） 。当从低电平CSN的输入变为H ，该字已读
到移位寄存器变为控制字。那么SDO输出切换到三态
状态，从而释放用于其他用途的，SDO总线电路。在SPI允许并行
多个SPI器件通过使用多个CSN线。由于全双工的移位寄存器中，在
TLE 6209 R能够也可在菊花链配置中使用。
通过SPI控制字进行的设置将在SPI的结束
传输和保持有效，直到一个不同的控制字传输或电源
复位。在每个SPI传输，诊断比特作为当前在错误有效
逻辑传输。诊断位的行为描述
第2.5节。
表1
位
7
6
5
4
3
2
1
0
状态寄存器复位： H =重置
OVLO ： H =上， L =关闭
未使用
的2位斩波关断时间MSB
LSB的2位斩波关断时间
PWM工作模式： H =快速衰减， L =慢衰减
2位斩波电流限制MSB
LSB 2位斩波电流限制
输入数据协议
数据手册，版本3.0
5
2001-10-15
QQ：2880707522 复制
