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TLE2142 , TLE2142A , TLE2142Y
EXCALIBUR低噪声高速
精密双运算放大器
SLOS064B - 1990年12月 - 修订1994年8月
低噪音
10赫兹。 。 。 15纳伏/ √Hz的
1千赫。 。 。 10.5内华达州/ √Hz的
10 000- pF负载能力
20 mA最小短路输出电流
27 V / μs的最小转换速率
高增益带宽积。 。 。 5.9兆赫
低V
IO
. . . 750
V
最高25℃
压摆率
vs
负载电容
VN - 等效输入噪声电压 - 内华达州/ Hz的赫兹
Vn
内华达州/
50
单或分离电源
快速建立时间
340 ns至0.1 %
400 ns至0.01 %
饱和度恢复。 。 。 150纳秒
较大的输出摆幅
V
CC –
+ 0.1 V到V
CC +
– 1 V
等效输入噪声电压
vs
频率
250
VCC
±
=
±
15 V
RS = 20
200
TA = - 55°C
150
TA = 125°C
100
TA = 25°C
50
40
SR - 压摆率 - V / XS
V/
s
SR +
30
20
SR =
10
VCC ± =
±
15 V
AVD = - 1
TA = 25℃
0.1
1
10
0
0.01
0
1
10
CL - 负载电容 - nF的
1k
100
的F - 频率 - 赫兹
10 k
描述
该TLE2142和TLE2142A器件的高性能内部补偿的内置运算放大器
采用德州仪器(TI)互补双极神剑工艺。该TLE2142A是一个严格的偏移电压
等级TLE2142的。两者都是引脚兼容的升级,行业标准的产品。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
750
V
1200
V
750
V
1200
V
750
V
1200
V
概要
(D)
TLE2142ACD
TLE2142CD
TLE2142AID
TLE2142ID
TLE2142AMD
TLE2142MD
芯片
支架
( FK )
TLE2142AMFK
TLE2142MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2142AMJG
TLE2142MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2142ACP
TLE2142CP
TLC2142AIP
TLC2142IP
TLC2142AMP
TLC2142MP
芯片
形式
(Y)
TLE2142Y
0 ° C至70℃
- 40℃ 105℃
- 55 ° C至125°C
对D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLC2142ACDR ) 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5–1
TLE2142 , TLE2142A , TLE2142Y
EXCALIBUR低噪声高速
精密双运算放大器
SLOS064B - 1990年12月 - 修订1994年8月
描述(续)
该设计采用了正在申请专利的输入级,同时实现了低音频带内噪声
10.5内华达州/ √Hz的,用了6赫兹1 / f转折和对称的40 V / μs压摆率通常与负载高达800 pF的。该
造成低失真和高功率带宽是高保真音频应用中非常重要。快速建立
的340纳秒到10 -V的步骤用一个2千欧/ 100- pF负载为0.1%的时间是在快速的致动器/驱动器的定位是有用的。下
类似的试验条件下,稳定时间为0.01%是400纳秒。
这些器件具有稳定的容性负载高达10 nF的,虽然6 MHz带宽降低到1.8兆赫
在这样高的负载水平。这样, TLE2142和TLE2142A是用于低下垂有用的采样和保持,并
直接缓冲的长电缆,包括4 mA至20 mA电流环路。
的特殊设计也呈现出改进的不敏感性来继承集成电路元件不匹配
作为由750 μV最大失调电压和1.7 μV/°C典型漂移证明。最小共模
抑制比和电源电压抑制比为85dB或90分贝分别。
器件的性能是相对独立的电源电压的过
±
2 V至
±
22 V范围内。输入可以
V的操作
CC –
- 0.3 V
CC +
- 1.8 V而不引起相位反转,但过大的输入电流
可能流出每个输入超过下的共模输入范围。全NPN输出级提供
V的近轨到轨输出摆幅
CC –
+ 0.1 V
CC +
- 1 V下的光电流负载条件。该装置
可以维持空头要么因为输出电流电源内部限制,但必须注意确保
该封装的最大功耗不超过。
这两个版本也可以用作比较器。 V的差分输入
CC
±
可以保持而不会损坏
到设备。开环传输延迟与TTL电平的供应通常是200纳秒。这给出了一个很好的
指示,以当该装置被驱动以外的推荐的限值输出级饱和度恢复
输出摆幅。
两者TLE2142和TLE2142A可用在各种各样的包,其中包括两个
工业标准的8引脚小外形版本和芯片的形式为高密度系统的应用程序。在C-后缀
器件的特点是运行在0 ° C至70 ° C, I-后缀设备从 - 40 ° C至105 ° C和M后缀
在设备的整个军用温度范围 - 55 ° C至125°C 。
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN +
NC
1IN -
NC
1IN
+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
VCC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
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5–2
达拉斯,德克萨斯州75265
NC
VCC =
NC
2IN +
NC
TLE2142 , TLE2142A , TLE2142Y
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精密双运算放大器
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符号(每个放大器)
IN +
IN =
+
OUT
TLE2142Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似TLE2142特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VCC +
(8)
+
+
(4)
VCC =
(5)
(6)
IN +
IN =
(2)
(1)
(8)
(7)
IN +
IN =
OUT
(3)
(2)
(7)
(1)
OUT
90
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
(3)
(6)
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(4)
80
(5)
4脚内部连接
背侧的芯片。
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5–4
VCC +
R4
R21
Q22
Q26
D2
R3
R6
D4
Q36
Q6
Q11
R15
Q14
Q15
R13
R16
R17
OUT
R8
D3
Q23
Q27
D8
R23
Q30
Q34
R24
Q37
R7
R14
R18
R19
Q5 Q8
Q10
Q13
R9
Q16
Q9
C1
R10
Q18
C2
Q19
Q20
C4
Q24
C3
D6
Q32
D7
R22
Q7
Q12
Q17
R11
R12
D5
R20
R5
Q21
Q29
Q33
Q35
Q25
Q28
Q31
VCC
65
1
14
43
8
等效电路图(每个放大器)
R1
Q3
D1
R2
IN =
Q1
Q4
IN +
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Q2
元件数量
(总设备)
晶体管
EPI -FET
二极管
电阻器
电容器
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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 V
电源电压,V
CC –
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 22 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
– 0.3 V
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
80毫安
总电流为V
CC +
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC –
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 105℃
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。过大的电流会流,如果输入的是带来了以下VCC - - 0.3 V.
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超标。
额定功耗表
D
FK
JG
P
TA
25°C
25 C
额定功率
725毫伏
1375毫伏
1050毫伏
1000毫伏
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
70 C
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
640毫瓦
TA = 105℃
105°C
额定功率
261毫瓦
495毫瓦
378毫瓦
360毫瓦
TA = 125℃
125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
200毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压VCC
±
共模输入电压VIC
电压,
经营自由的空气温度, TA
VCC = 5 V
VCC
±
=
±
15 V
±
2
0
– 15
0
最大
±
22
2.9
12.9
70
我的后缀
±
2
0
– 15
– 40
最大
±
22
2.7
12.7
105
M后缀
±
2
0
– 15
– 55
最大
±
22
2.7
12.7
125
单位
V
V
°C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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