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TLE2141-Q1
www.ti.com
SLOS525
2011年9月
神剑低噪声高速精密运算放大器
检查样品:
TLE2141-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
低噪音
10赫兹
15纳伏/ √Hz的
1千赫
10.5内华达州/ √Hz的
10000 - pF负载能力
20 mA最小短路输出电流
27 V / μs压摆率(最小值)
高增益带宽积
5.9兆赫
低V
IO
500
μV
(最大值) ,在25℃
单或分离电源
4 V至44 V
快速建立时间
340 ns至0.1 %
400 ns至0.01 %
饱和度恢复
150纳秒
较大的输出摆幅
V
CC–
+ 0.1 V到V
CC+
1 V
2
描述
该TLE2141 -Q1器件是一款高性能,内部补偿运算放大器采用内置
德州仪器(TI)互补双极神剑工艺。这是一个引脚兼容的升级标准
行业产品。
该设计采用了一个输入级,同时实现了10.5纳伏/ √Hz的具有低音频频带噪声
10 Hz的1 / f转折和对称的40 V / μs压摆率通常与负载高达800 pF的。将得到的低失真
和高功率带宽是高保真音频应用中非常重要。 340 ns的快速建立时间至0.1%
一个10 -V的步骤用一个2千欧/ 100- pF负载的是在快速致动器/驱动器的定位是有用的。在类似的实验条件下,
建立时间为0.01%是400纳秒。
该设备是稳定的容性负载高达10 nF的,虽然6 MHz带宽降低到1.8兆赫的
这种高负荷水平。因此,采样和保持,并直接缓冲的TLE2141 - Q1为低下垂有用
长电缆,包括4 mA至20 mA电流环路。
的特殊设计也呈现出改进的不敏感固有集成电路元件的不匹配的
由500 μV最大失调电压和1.7 μV/°C典型漂移证明。最小共模抑制
比和电源电压抑制比为85dB或90分贝分别。
器件的性能是相对独立的电源电压的过
±2-V
to
±22-V
范围内。输入可以操作
V之间
CC–
0.3 V到V
CC+
1.8伏而不诱导相位反转,尽管过大的输入电流可以流
从每个输入的超过下的共模输入范围。全NPN输出级提供近
V的轨到轨输出摆幅
CC–
0.1 V到V
CC+
1 V下的光电流负载条件。该设备可以
维持空头要么因为输出电流电源内部限制,但必须小心,以确保
最大的封装功耗不超标。
该TLE2141 -Q1设备也可以用来作为比较。 V的差分输入
CC±
可以保持不
损坏设备。开环传输延迟与TTL电平的供应通常是200纳秒。这给出了一个很好的
指示,以当该装置被驱动以外的推荐的限值输出级饱和度恢复
输出摆幅。
该TLE2141 -Q1器件是业界标准的8引脚封装。该装置的特征为
从操作
–40°C
至125 ℃。
订购信息
(1)
T
A
–40°C
至125℃
(1)
SOIC
D( 8针)
2500卷
订购型号
TLE2141QDRQ1
顶部端标记
2141Q
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
神剑是德州仪器的商标。
版权
2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TLE2141-Q1
SLOS525
2011年9月
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符号
OFFSET N1
IN +
IN-
偏移N2
( TOP VIEW )
+
OUT
-
OFFSET N1
IN-
IN +
V
CC-
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC - 无内部连接
2
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版权
2011年,德州仪器
www.ti.com
V
CC +
R1
R4
R21
Q3
Q5 Q8
Q10
Q26
D1
D2
Q23
R3
R6
R8
D4
Q36
Q6
R15
R17
Q14
Q15
R13
R16
Q4
Q11
D3
Q27
D8
R23
Q34
Q37
Q13
Q22
Q30
R24
R7
R14
R18
R19
版权
2011年,德州仪器
R2
IN -
Q1
OUT
IN +
R9
Q16
Q9
Q2
C1
R10
Q18
Q20
C2
Q19
C4
Q24
C3
Q25
Q28
Q31
Q35
D6
Q32
D7
R22
Q29
Q33
OFFSET N1
R11
R5
R12
Q7
Q12
Q17
Q21
D5
图1.等效原理图
偏移N2
R20
V
CC -
设备组件COUNT
部件
晶体管
电阻器
二极管
电容器
EPI -FET
TLE2141-Q1
46
24
8
4
1
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TLE2141-Q1
3
TLE2141-Q1
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
V
CC+
V
CC–
V
ID
V
I
I
I
I
O
电源电压
电源电压
差分输入电压
(3)
输入电压范围(任何输入)
输入电流(每个输入)
输出电流
总电流为V
CC+
总电流输出的V
CC–
短路电流(或低于) 25℃下的持续时间
θ
JA
T
A
T
英镑
封装的热阻抗
(5)
存储温度范围
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(6)
(4)
(2)
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
° C / W
°C
°C
°C
22
–22
±44
V
CC+
到(Ⅴ
CC–
0.3)
±1
±80
80
80
无限
,D封装( 8针)
97.1
–40
到125
–65
150
260
工作自由空气的温度范围内
强调超越那些在列
“绝对
最大额定值“,可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
“推荐
操作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值,除了差分电压,是相对于与V之间的中点
CC+
和V
CC–
.
差分电压为IN +相对于IN- 。过大的电流流过,如果输入的,被带到低于V
CC–
0.3 V.
该输出可以被短路至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大的耗散
等级不超过。
最大功耗为T的函数
J
(最大) ,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
(最大)
T
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
V
CC±
V
IC
T
A
电源电压
共模输入电压
工作自由空气的温度
V
CC
= 5 V
V
CC±
=
±15
V
±2
0
–15
–40
最大
±22
2.7
12.7
125
单位
V
V
°C
4
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版权
2011年,德州仪器
TLE2141-Q1
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2011年9月
电气特性
V
CC
= 5V时,在指定的自由空气的温度(除非另有说明)
参数
V
IO
α
VIO
I
IO
I
IB
输入失调电压
温度COEF网络cient
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
测试条件
V
O
= 2.5 V ,R
S
= 50
,
V
IC
= 2.5 V
V
O
= 2.5 V ,R
S
= 50
,
V
IC
= 2.5 V
V
O
= 2.5 V ,R
S
= 50
,
V
IC
= 2.5 V
V
O
= 2.5 V ,R
S
= 50
,
V
IC
= 2.5 V
T
A
(1)
典型值
225
最大
1400
2100
单位
μV
μV/°C
25°C
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
0至3
0至2.7
3.9
25°C
3.8
3.2
3.75
全系列
3.65
3.25
1.7
8
–0.8
–0.3
to
3.2
–0.3
to
2.9
4.1
4
3.7
100
250
–2
–2.3
nA
μA
V
ICR
共模输入
电压范围
R
S
= 50
全系列
I
OH
=
–150 μA
I
OH
=
–1.5
mA
I
OH
=
–15
mA
I
OH
=
–100 μA
I
OH
=
–1
mA
I
OH
=
–10
mA
I
OL
= 150
μA
I
OL
= 1.5毫安
25°C
I
OL
= 15毫安
I
OL
= 100
μA
I
OL
= 1毫安
I
OL
= 10毫安
全系列
25°C
全系列
25°C
25°C
F = 1 MHz的
V
IC
= V
ICR
(分钟)中,R
S
= 50
V
CC±
=
±2.5
V到
±15
V ,R
S
= 50
V
O
= 2.5 V ,无负载,V
IC
= 2.5 V
25°C
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
85
80
90
85
50
5
V
V
OH
高电平输出电压
V
75
150
1.2
125
225
1.4
200
250
1.25
mV
V
mV
V
V / MV
M
pF
dB
dB
V
OL
低电平输出电压
A
VD
r
i
c
i
z
o
CMRR
k
SVR
I
CC
(1)
大信号差
电压放大
输入阻抗
输入电容
开环输出阻抗
共模抑制比
电源电压抑制比
(ΔV
CC±
/ΔV
IO
)
电源电流
全范围
–40°C
至125 ℃。
V
IC
=
±2.5
V ,R
L
= 2 k,
V
O
= 1 V至1.5 V
220
70
2.5
30
118
106
3.4
4.4
4.6
mA
版权
2011年,德州仪器
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TLE2141QDRQ1
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    -
    -
    -
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电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
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TLE2141QDRQ1
TI
2021+
10000
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
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电话:13410941925
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TI
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SOIC (D)
███全新原装正品,可配单
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TLE2141QDRQ1
Texas Instruments
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TLE2141QDRQ1
Texas Instruments
24+
10000
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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TI/德州
24+
10000
SOIC-8
原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
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