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TLE2082 , TLE2082A , TLE2082Y
EXCALIBUR HIGH -SPEED
JFET输入双运算放大器
SLOS105A - 1991年8月 - 修订1994年8月
40 - V / μs压摆率典型值
高增益带宽积。 。 。 10兆赫
±
30 -MA最小输出短路
当前
宽电源电压范围。 。 。
±
2.25 V至
±
19 V
快速建立时间使用10 -V步骤
400 ns至10 mV的典型值
1.5
s
1 mV的典型
输入范围包括正电源
包括宏
总谐波失真加噪声
vs
频率
THD + N - 总谐波失真+噪声 - %
1
12.5
VCC
±
=
±
15 V
VO ( PP ) = 20 V
TA = 25°C
VO - 输出电压 - V
VO
10
输出电压
vs
建立时间
10毫伏
7.5
5
2.5
0
– 2.5
–5
– 7.5
– 10
10毫伏
落下
升起
1毫伏
VCC
±
=
±
15 V
RL = 1 kΩ的
CL = 100 pF的
AV = - 1
TA = 25°C
0.1
A
V
= 100, R
L
= 600
A
V
= 100, R
L
= 2 k
A
V
= 10, R
L
= 600
0.01
A
V
= 10, R
L
= 2 k
1毫伏
过滤器: 10 - Hz至500 kHz的带通
0.001
10
– 12.5
100
1k
的F - 频率 - 赫兹
10 k
100 k
0
0.5
1
1.5
2
TS - 建立时间 -
s
描述
该TLE2082和TLE2082A是高性能,高速,内部补偿JFET输入双
运算放大器内置采用德州仪器互补双极神剑的过程。该TLE2082A
具有较低的输入偏置电压比TLE2082 。两者都是引脚兼容的升级标准的行业
产品。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
概要
(D)
TLE2082ACD
TLE2082CD
TLE2082AID
TLE2082ID
TLE2082AMD
TLE2082MD
芯片
支架
( FK )
TLE2082AMFK
TLE2082MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2082AMJG
TLE2082MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2082ACP
TLE2082CP
TLE2082AIP
TLE2082IP
TLE2082AMP
TLE2082MP
芯片形式
(Y)
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
TLE2082Y
对D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2082ACDR ) 。芯片形式的版本
在测试TA = 25 ℃。对于芯片形式的订单,请联系您当地的TI销售办事处。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年,德州仪器
关于产品符合MIL -STD - 883 , B类,所有的参数都
测试,除非另有说明。在所有其他产品,生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5–1
TLE2082 , TLE2082A , TLE2082Y
EXCALIBUR HIGH -SPEED
JFET输入双运算放大器
SLOS105A - 1991年8月 - 修订1994年8月
描述(续)
该设计采用了28 -V /μs的最小压摆率,从而导致了高功率带宽。建立时间
10 -V的步骤( 1千欧/ 100 - pF负载)的0.1 %,大约为400纳秒。增益带宽积通常为10兆赫
用一个8 MHz的最低限度。这样, TLE2082和TLE2082A提供显著速度和噪声的优点
每通道低1.5 mA的典型电源电流。
与传统的JFET输入放大器相关的输入电流特性进行了保留。该
输入失调电压等级为7 mV至4 mV(最大值)的TLE2082和TLE2082A分别。
通常情况下,输入偏移电压的温度系数为2.4
μV/°C
和典型CMRR和k
SVR
分别为98 dB和
99分贝分别。器件的性能是相对独立的电源电压在宽
±
2.25 V至
±
19 V范围内。输入共模电压范围从正电源向下延伸到V
CC –
+ 4 V
无显著退化的动态性能。最大峰值输出电压摆幅为
V
CC +
= 1 V到V
CC –
+ 1在轻负载条件下V 。该输出可源出和吸收电流的
以至少30 mA和可承受短裤任一电源。必须小心,以确保最大功率
功耗不超过。
两者TLE2082和TLE2082A可用在各种各样的包,其中包括两个
工业标准的8引脚小外形版本和芯片的形式为高密度系统的应用程序。在C-后缀
器件的特点是运行在0 ° C至70 ° C,超过了I-后缀设备 - 40 ° C至85°C的范围内,
以上的整个军用温度范围内的M后缀的设备 - 55 ° C至125°C 。
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
FK包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
5–2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
V
CC –
NC
2IN +
NC
NC
TLE2082 , TLE2082A , TLE2082Y
EXCALIBUR HIGH -SPEED
JFET输入双运算放大器
SLOS105A - 1991年8月 - 修订1994年8月
TLE2082Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2082的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
+
(4)
VCC-
(5)
(6)
2IN -
2IN +
VCC +
(8)
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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5–3
TLE2082 , TLE2082A , TLE2082Y
EXCALIBUR HIGH -SPEED
JFET输入双运算放大器
SLOS105A - 1991年8月 - 修订1994年8月
5–4
VCC +
实际设备
元件数量
57
晶体管
37
电阻器
5
二极管
11
电容器
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q13
Q20
Q24
D3
Q12
Q4
Q15
Q19
R13
R12
OUT
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q10
R7
R4
Q7
C2
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q14
Q21
Q22
Q26 Q27
VCC =
等效电路图(每个通道)
Q1
IN =
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IN +
Q5
Q2
D1
TLE2082 , TLE2082A , TLE2082Y
EXCALIBUR HIGH -SPEED
JFET输入双运算放大器
SLOS105A - 1991年8月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
CC +
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19 V
电源电压,V
CC –
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 19 V
差分输入电压范围,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC +
到V
CC –
输入电流I
I
(每一个输入) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1毫安
输出电流,I
O
(每个输出) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
80毫安
总电流为V
CC +
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
总电流输出的V
CC –
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 160毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒: JG包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注释:1.除了差分电压所有电压值都是相对于VCC +和VCC之间的中点 - 。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
耗散率不超标。
额定功耗表
D
FK
JG
P
TA
25°C
额定功率
725毫瓦
1375毫瓦
1050毫瓦
1000毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
5.8毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
8.4毫瓦/°C的
8.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
464毫瓦
880毫瓦
672毫瓦
640毫瓦
TA = 85°C
额定功率
377毫瓦
715毫瓦
546毫瓦
344毫瓦
TA = 125°C
额定功率
145毫瓦
275毫瓦
210毫瓦
200毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压, VCC-
共模输入电压VIC
电压,
经营自由的空气温度, TA
VCC
±
=
±
5 V
VCC
±
=
±15
V
±
2.25
– 0.9
– 10.9
0
最大
±
19
5
15
70
我的后缀
±
2.25
– 0.8
– 10.8
– 40
最大
±
19
5
15
85
M后缀
±
2.25
– 0.8
– 10.8
– 55
最大
±
19
5
15
125
单位
V
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
5–5
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182A - 1997年2月 - 修订2000年3月
D
D
直接升级到TL05x , TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽( 10兆赫)和
3 ×压摆率( 45 V / μs)内比TL08x
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE208x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。该TLE208x也有更广泛的
电源电压轨,增加动态信号范围的BiFET电路
±19
五片齐纳微调
偏移电压收益率精度等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE208x是
引脚兼容,在改善性能,便于降低性能的BiFET运算放大器
现有的设计。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得这些放大器更适合
与高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号的接口。它们还具有更好的内在交流
响应比有可比性功耗双极或CMOS器件。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出电压摆幅。 DC
输入信号的偏置是必要的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。
德州仪器TLE2426整合工作从放大器的BiFET当虚地发生器是很有用的
单电源供电。
该TLE208x是在完全指定
±15
V和
±5
V.对于在低电压和/或单电源系统的操作,
德州仪器路LinCMOS 运算放大器的家庭( TLC-和TLV -前缀)推荐。
当从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
对于的BiFET电路需要低噪声和/或更严格的直流精度, TLE207x提供同样的交流响应,
在TLE208x更严格的直流和噪声指标。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2081可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
6毫伏
3毫伏
6毫伏
概要
(D)
TLE2081ACD
TLE2081CD
芯片
支架
( FK )
TLE2081AMFK
TLE2081MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2081AMJG
TLE2081MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2081ACP
TLE2081CP
芯片
形式
(Y)
TLE2081Y
0 ° C至70℃
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2081ACDR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2082可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
概要
(D)
TLE2082ACD
TLE2082CD
TLE2082AID
TLE2082ID
TLE2082AMD
TLE2082MD
芯片
支架
( FK )
TLE2082AMFK
TLE2082MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2082AMJG
TLE2082MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2082ACP
TLE2082CP
TLE2082AIP
TLE2082IP
TLE2082AMP
TLE2082MP
芯片形式
(Y)
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
TLE2082Y
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2082ACDR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2084可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
概要
( DW )
TLE2084ACDW
TLE2084CDW
芯片
支架
( FK )
TLE2084AMFK
TLE2084MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLE2084AMJ
TLE2084MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2084ACN
TLE2084CN
芯片
形式
(Y)
TLE2084Y
0 ° C至70℃
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2084ACDWR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2081
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2082
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
1
2
3
4
8
7
6
5
TLE2084
J或N包装
( TOP VIEW )
TLE2084
DW包装
( TOP VIEW )
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
1OUT
V
CC +
1IN -
1IN +
OUT
OFFSET N2 V
CC –
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT 1OUT
4IN -
1IN -
4IN +
1IN +
V
CC –
V
CC +
3英寸+
2IN +
3英寸 -
2IN -
3出2OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2081
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2082
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2084
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
2年 -
V
CC –
NC
2IN +
NC
8
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
NC
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
NC
2OUT
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
17
16
15
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC –
NC
3英寸+
3
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2081Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2081的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
(1)
(3)
(2)
(5)
偏移N2
VCC +
(7)
+
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
58
4
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TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182A - 1997年2月 - 修订2000年3月
TLE2082Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2082的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
+
(4)
VCC-
(5)
(6)
2IN -
2IN +
VCC +
(8)
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
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5
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
D
D
直接升级到TL05x , TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽( 10兆赫)和
3 ×压摆率( 45 V / μs)内比TL08x
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE208x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。该TLE208x也有更广泛的
电源电压轨,增加动态信号范围的BiFET电路
±19
五片齐纳微调
偏移电压收益率精度等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE208x是
引脚兼容,在改善性能,便于降低性能的BiFET运算放大器
现有的设计。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗,无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得这些放大器更适合
与高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号的接口。它们还具有更好的内在交流
响应比有可比性功耗双极或CMOS器件。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用,必须小心,以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出电压摆幅。 DC
输入信号的偏置是必要的,负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。
德州仪器TLE2426整合工作从放大器的BiFET当虚地发生器是很有用的
单电源供电。
该TLE208x是在完全指定
±15
V和
±5
V.对于在低电压和/或单电源系统的操作,
德州仪器路LinCMOS 运算放大器的家庭( TLC-和TLV -前缀)推荐。
当从移动的BiFET和CMOS放大器,应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
对于的BiFET电路需要低噪声和/或更严格的直流精度, TLE207x提供同样的交流响应,
在TLE208x更严格的直流和噪声指标。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年,德州仪器
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1
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
6毫伏
3毫伏
6毫伏
3毫伏
6毫伏
概要
(D)
TLE2081ACD
TLE2081CD
TLE2081AID
TLE2081ID
芯片
支架
( FK )
TLE2081AMFK
TLE2081MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2081AMJG
TLE2081MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2081ACP
TLE2081CP
TLE2081AIP
TLE2081IP
芯片
形式
(Y)
TLE2081Y
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
40°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2081ACDR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2082可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
概要
(D)
TLE2082ACD
TLE2082CD
TLE2082AID
TLE2082ID
TLE2082AMD
TLE2082MD
芯片
支架
( FK )
TLE2082AMFK
TLE2082MFK
陶瓷的
DIP
( JG )
TLE2082AMJG
TLE2082MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2082ACP
TLE2082CP
TLE2082AIP
TLE2082IP
TLE2082AMP
TLE2082MP
芯片形式
(Y)
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
TLE2082Y
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2082ACDR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2084可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
概要
( DW )
TLE2084ACDW
TLE2084CDW
芯片
支架
( FK )
TLE2084AMFK
TLE2084MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLE2084AMJ
TLE2084MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2084ACN
TLE2084CN
芯片
形式
(Y)
TLE2084Y
0 ° C至70℃
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型(例如, TLE2084ACDWR ) 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
2
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TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
TLE2082
D, JG ,或P包装
( TOP VIEW )
1
2
3
4
8
7
6
5
TLE2084
J或N包装
( TOP VIEW )
TLE2084
DW包装
( TOP VIEW )
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
1OUT
V
CC +
1IN -
1IN +
OUT
OFFSET N2 V
CC –
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT 1OUT
4IN -
1IN -
4IN +
1IN +
V
CC –
V
CC +
3英寸+
2IN +
3英寸 -
2IN -
3出2OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2081
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2082
FK包装
( TOP VIEW )
TLE2084
FK包装
( TOP VIEW )
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
2年 -
V
CC –
NC
2IN +
NC
8
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
V
CC –
NC
偏移N2
NC
NC
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NC
3OUT
3英寸 -
NC
2OUT
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
17
16
15
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC –
NC
3英寸+
3
TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2081的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
(1)
(3)
(2)
(5)
偏移N2
VCC +
(7)
+
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 4 )内部连接
背侧的芯片。
58
4
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TLE208x , TLE208xA , TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2082Y芯片信息
该芯片,当正确组装,显示类似的TLE2082的特点。热压缩或
超声键合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
+
(4)
VCC-
(5)
(6)
2IN -
2IN +
VCC +
(8)
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码( 4 )内部连接
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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