TLE208x ， TLE208xA ， TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
D
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL08x
D
D
片偏移电压的微调
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE208x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。该TLE208x也有更广泛的
电源电压轨，增加动态信号范围的BiFET电路
±19
五片齐纳微调
偏移电压收益率精度等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE208x是
引脚兼容，在改善性能，便于降低性能的BiFET运算放大器
现有的设计。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得这些放大器更适合
与高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号的接口。它们还具有更好的内在交流
响应比有可比性功耗双极或CMOS器件。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出电压摆幅。 DC
输入信号的偏置是必要的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。
德州仪器TLE2426整合工作从放大器的BiFET当虚地发生器是很有用的
单电源供电。
该TLE208x是在完全指定
±15
V和
±5
V.对于在低电压和/或单电源系统的操作，
德州仪器路LinCMOS 运算放大器的家庭（ TLC-和TLV -前缀）推荐。
当从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
对于的BiFET电路需要低噪声和/或更严格的直流精度， TLE207x提供同样的交流响应，
在TLE208x更严格的直流和噪声指标。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2001年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TLE208x ， TLE208xA ， TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
6毫伏
3毫伏
6毫伏
3毫伏
6毫伏
小
概要
(D)
TLE2081ACD
TLE2081CD
TLE2081AID
TLE2081ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2081AMFK
TLE2081MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2081AMJG
TLE2081MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2081ACP
TLE2081CP
TLE2081AIP
TLE2081IP
—
芯片
形式
(Y)
—
TLE2081Y
—
—
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
40°C
- 55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2081ACDR ） 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2082可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
小
概要
(D)
TLE2082ACD
TLE2082CD
TLE2082AID
TLE2082ID
TLE2082AMD
TLE2082MD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2082AMFK
TLE2082MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2082AMJG
TLE2082MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2082ACP
TLE2082CP
TLE2082AIP
TLE2082IP
TLE2082AMP
TLE2082MP
芯片形式
(Y)
0 ° C至70℃
- 40 ° C至85°C
- 55 ° C至125°C
—
TLE2082Y
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2082ACDR ） 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
TLE2084可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
4毫伏
7毫伏
4毫伏
7毫伏
小
概要
（ DW ）
TLE2084ACDW
TLE2084CDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
TLE2084AMFK
TLE2084MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
TLE2084AMJ
TLE2084MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2084ACN
TLE2084CN
—
芯片
形式
(Y)
—
TLE2084Y
—
0 ° C至70℃
- 55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2084ACDWR ） 。
片形式在TA =测试只有25 ℃。
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLE208x ， TLE208xA ， TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2082
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
TLE2084
J或N包装
（ TOP VIEW ）
TLE2084
DW包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC –
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
1OUT
V
CC +
1IN -
1IN +
OUT
OFFSET N2 V
CC –
V
CC+
2OUT
2IN -
2IN+
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT 1OUT
4IN -
1IN -
4IN +
1IN +
V
CC –
V
CC +
3英寸+
2IN +
3英寸 -
2IN -
3出2OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC –
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2081
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2082
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2084
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
2年 -
V
CC –
NC
2IN +
NC
8
14
9 10 11 12 13
NC - 无内部连接
符号
IN +
IN =
+
OUT
–
V
CC –
NC
偏移N2
NC
NC
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达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
NC
2OUT
NC
IN =
NC
IN +
NC
3 2 1 20 19
18
4
5
6
7
17
16
15
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC+
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
V
CC –
NC
3英寸+
3
TLE208x ， TLE208xA ， TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2081Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2081的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(1)
(8)
OFFSET N1
IN +
IN =
(1)
(3)
(2)
(5)
偏移N2
VCC +
(7)
+
–
(4)
VCC =
(6)
OUT
(2)
85
(7)
(3)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
(4)
(5)
(6)
所有尺寸都以密耳。
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
58
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
TLE208x ， TLE208xA ， TLE208xY
神剑高速JFET输入
运算放大器
SLOS182B - 1997年2月 - 修订2001年6月
TLE2082Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似的TLE2082的特点。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有导电
环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(8)
1IN +
1IN -
2OUT
(7)
(3)
(2)
+
–
+
–
(4)
VCC-
(5)
(6)
2IN -
2IN +
VCC +
(8)
(1)
1OUT
(1)
(7)
90
(2)
(6)
切屑厚度： 15典型
焊盘： 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
(3)
(4)
80
(5)
PIN码（ 4 ）内部连接
背侧的芯片。
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5
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