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TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
D
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
片偏移电压的微调
D
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年至2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2071AMU
TLE2071MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2072AMU
TLE2072MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
陶瓷的
扁平封装
(W)
—
—
TLE2074AMW
TLE2074MW
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J，N或W包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN -
TLE2072和TLE2072A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
2OUT
V
CC
NC
偏移N2
NC
V
CC
NC
2IN+
NC
NC
NC
TLE2071和TLE2071A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
NC - 无内部连接
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
4
VCC +
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q24
D3
Q12
Q15
Q19
R13
R12
OUT
Q13
Q20
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q14
Q10
R7
Q7
C2
R4
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q21
Q22
Q26
Q27
OFFSET N1
（见注一）
VCC =
偏移N2
（见注一）
等效原理图
Q1
模板发布日期： 94年7月11日
IN =
Q4
IN +
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
Q5
Q2
D1
注意事项： A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2074
74
37
25
电阻器
10
5
8
二极管
实际的设备元件数
TLE2072
57
114
TLE2071
33
部件
晶体管
等效电路图（续）
电容器
6
11
22
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
D
直接升级到TL05x ， TL07x和
D
D
TL08x的BiFET运算放大器
大于2×带宽（ 10兆赫）和
3 ×压摆率（ 45 V / μs）内比TL07x
有保证的最大本底噪声
17纳伏/ √Hz的
D
片偏移电压的微调
D
改进的DC性能
更宽的电源轨增加动态
信号范围
±19
V
描述
该TLE207x系列JFET输入运算放大器的两倍以上的带宽和三重摆
率的BiFET运算放大器的TL07x和TL08x家庭。德州仪器神剑过程
产量11.6内华达州/ √Hz的， 17 -NV / √Hz的最大保证，一个典型的本底噪声，提供立即的改善
对噪声敏感的电路使用TL07x设计。该TLE207x还具有更宽的电源电压轨，增加
供的BiFET电路的动态信号范围
±19
五片齐纳二极管的偏置电压精度产量微调
等级的直流耦合应用更高的精度。该TLE207x是引脚兼容的低
在改进现有的设计性能，便于性能的BiFET运算放大器。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TLE207x系列的BiFET放大器是德州仪器最高性能BiFETs ，实行更严格的输入
失调电压，并确保最大噪声规格。要求不那么严格的规范，但设计师
寻求TLE207x的改进交流特性应该考虑TLE208x运算放大器
家庭。
由于的BiFET运算放大器设计用于双电源使用，必须小心，以
从单电源供电时观察的共模输入电压范围和输出摆幅。 DC偏置
输入信号是必需的，负载应终止于一个虚拟接地节点在中间电源。得克萨斯州
仪器TLE2426整合工作从单一的BiFET放大器时虚地发生器是很有用的
耗材。
该TLE207x是在完全指定
±15
V和
±
5五，适用于低电压和/或单电源系统的操作，
推荐运算放大器（ TLC-和TLV -前缀）德州仪器路LinCMOS家庭。当
从移动的BiFET和CMOS放大器，应特别注意支付给压摆率和带宽
要求和输出负载。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年至2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
TLE2071可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
2毫伏
4毫伏
小
外形
(D)
TLE2071ACD
TLE2071CD
TLE2071AID
TLE2071ID
—
—
芯片载体
（ FK ）
—
—
TLE2071AMFK
TLE2071MFK
陶瓷DIP
（ JG ）
—
—
TLE2071AMJG
TLE2071MJG
塑料DIP
(P)
TLE2071ACP
TLE2071CP
TLE2071AIP
TLE2071IP
—
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2071AMU
TLE2071MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2071ACDR ） 。
TLE2072可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
3.5毫伏
6毫伏
小
外形
(D)
TLE2072ACD
TLE2072CD
TLE2072AID
TLE2072ID
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2072AMFK
TLE2072MFK
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
TLE2072AMJG
TLE2072MJG
塑料
DIP
(P)
TLE2072ACP
TLE2072CP
TLE2072AIP
TLE2072IP
—
陶瓷的
扁平封装
(U)
—
—
TLE2072AMU
TLE2072MU
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2072ACDR ） 。
TLE2074可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
3毫伏
5毫伏
小
外形
（ DW ）
TLE2074ACDW
TLE2074CDW
TLE2074AIDW
TLE2074IDW
—
芯片
支架
（ FK ）
—
—
TLE2074AMFK
TLE2074MFK
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
TLE2074AMJ
TLE2074MJ
塑料
DIP
(N)
TLE2074ACN
TLE2074CN
TLE2074AIN
TLE2074IN
—
陶瓷的
扁平封装
(W)
—
—
TLE2074AMW
TLE2074MW
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
在DW软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TLE2074ACDWR ） 。
符号
IN +
IN =
+
OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2071和TLE2071A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
TLE2072和TLE2072A
D， JG ，或P包装
（ TOP VIEW ）
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
CC +
OUT
偏移N2
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC +
2OUT
2IN -
2IN+
TLE2074和TLE2074A
J，N或W包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074和TLE2074A
DW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
1OUT
1IN -
1IN +
V
CC +
2IN +
2IN -
2OUT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
4OUT
4IN -
4IN +
V
CC
3英寸+
3英寸 -
3OUT
NC
TLE2071M和TLE2071AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
NC
NC
NC
TLE2072M和TLE2072AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
TLE2074M和TLE2074AM
FK包装
（ TOP VIEW ）
NC
1OUT
NC
V
CC +
NC
NC
IN =
NC
IN +
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
V
CC +
NC
OUT
NC
NC
1IN -
NC
1IN+
NC
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
NC
2OUT
NC
2IN -
NC
1IN+
NC
V
CC +
NC
2IN+
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN+
NC
V
CC
NC
3IN+
2IN -
TLE2072和TLE2072A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
2OUT
V
CC
NC
偏移N2
NC
V
CC
NC
2IN+
NC
NC
NC
TLE2071和TLE2071A
ü套餐
（ TOP VIEW ）
NC
OFFSET N1
IN =
IN +
V
CC
NC - 无内部连接
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
NC
V
CC+
OUT
偏移N2
NC
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
NC
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
NC
3OUT
3英寸 -
3
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
4
VCC +
R2
R1
R6
R11
Q11
Q17
Q23
R3
C1
Q24
D3
Q12
Q15
Q19
R13
R12
OUT
Q13
Q20
D2
Q28
Q3
Q8
Q9
Q16
R8
C3
Q18
Q6
Q14
Q10
R7
Q7
C2
R4
R5
C4
R9
R10
C5
Q31
R14
Q25
C6
Q29
Q30
Q21
Q22
Q26
Q27
OFFSET N1
（见注一）
VCC =
偏移N2
（见注一）
等效原理图
Q1
模板发布日期： 94年7月11日
IN =
Q4
IN +
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注意事项： A. OFFSET N1和N2 OFFSET仅在所属行业的TLE2071x设备。
TLE207x ， TLE207xA
神剑低噪音的高速运转
JFET输入运算放大器
SLOS181B - 1997年2月 - 修订2004年4月
TLE2074
74
37
25
电阻器
10
5
8
二极管
实际的设备元件数
TLE2072
57
114
TLE2071
33
部件
晶体管
等效电路图（续）
电容器
6
11
22
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